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公开(公告)号：CN107553038A
公开(公告)日：2018-01-09
申请号：CN201710908663.7
申请日：2017-09-29
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种用于双插头二极管引线焊接的工装及焊接方法，属于半导体分立器件封装技术领域。利用高精度模具与焊片-引线一体化结构配合，通过熔焊实现二极管玻璃封装体与外引线高精度、高可靠连接。本方法通过双插头同轴器件外引线与焊片的预先连接，并结合高精度模具精确定位引线与玻璃封装体，成功降低了由于各工件尺寸小导致装模难度及焊片偏移，解决了内外引线熔焊连接后焊缝、偏移以及质量一致性差等问题。这种引线焊接工艺技术方法的应用，既降低了装模过程对器件成品率的影响，同时提高了装模的效率，大大降低了二极管封装失效率，节省了贵金属焊片等原材料的耗量，降低了成本。
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公开(公告)号：CN102956515B
公开(公告)日：2016-01-13
申请号：CN201210375482.X
申请日：2012-09-29
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC: H01L21/60
CPC classification number: H01L24/83
Abstract: 本发明涉及一种银硅共晶焊接芯片的方法，该方法无需采用焊片进行导体器件的焊接方法，属于芯片焊接技术领域。将待焊接芯片的一侧进行金属化处理；将载体的一侧进行金属化处理；将待焊接芯片叠放在载体上，给待焊接芯片表面施加配重，然后放入高温炉中；将高温炉升高至合适温度，并保持一定时间后降温至室温，完成焊接。本发明的方法采用银硅共晶焊接可以将工艺温度提高至890～970℃，为后续的高温操作提供了大的工艺窗口；焊接时，不放置焊片，利用芯片与载体的金属结构进行焊接，有效的控制了焊料的融化范围。
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公开(公告)号：CN102956515A
公开(公告)日：2013-03-06
申请号：CN201210375482.X
申请日：2012-09-29
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC: H01L21/60
CPC classification number: H01L24/83
Abstract: 本发明涉及一种银硅共晶焊接芯片的方法，该方法无需采用焊片进行导体器件的焊接方法，属于芯片焊接技术领域。将待焊接芯片的一侧进行金属化处理；将载体的一侧进行金属化处理；将待焊接芯片叠放在载体上，给待焊接芯片表面施加配重，然后放入高温炉中；将高温炉升高至合适温度，并保持一定时间后降温至室温，完成焊接。本发明的方法采用银硅共晶焊接可以将工艺温度提高至890～970℃，为后续的高温操作提供了大的工艺窗口；焊接时，不放置焊片，利用芯片与载体的金属结构进行焊接，有效的控制了焊料的融化范围。
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公开(公告)号：CN117790365A
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202311796191.2
申请日：2023-12-25
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC: H01L21/67 , H01L21/687 , H01L23/08
Abstract: 本发明涉及一种器件转移保护装置、台面器件封装保护方法及封装结构，涉及分立器件封装技术领域。其中，所述器件转移保护装置包括升降单元和顶针板，其中，升降单元在升降旋钮组件的调节下，升降板能够穿过支撑上板的开孔，带动顶针板上下移动，以调整顶针板与支撑上板的间隙，从而将焊接件转移至玻璃外壳内，在转移过程中可减少外力影响，使得焊接件能够顺利转移到玻璃外壳内，为后续烧结封装提供良好的焊接件，从而提高封装器件结构的成品率。
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公开(公告)号：CN113910757B
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN202111138045.1
申请日：2021-09-27
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种一种方形电极玻璃二极管标识印制机构，包括：硅胶头、阵列轨道工装、钢片、清洁区、X方向伺服机构、Y方向伺服机构和工作平台；其中，所述阵列轨道工装、所述钢片、所述清洁区和所述Y方向伺服机构均设置于所述工作平台上；所述硅胶头与所述X方向伺服机构相连接，所述硅胶头能够沿着X方向伺服机构长度方向移动；所述X方向伺服机构与所述Y方向伺服机构相连接，所述X方向伺服机构能够沿着Y方向伺服机构长度方向移动。本发明攻克了自动化环状标识印制的瓶颈，从而克服了手工制作效率低、一致性差、良率低的缺点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113910757A
公开(公告)日：2022-01-11
申请号：CN202111138045.1
申请日：2021-09-27
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种一种方形电极玻璃二极管标识印制机构，包括：硅胶头、阵列轨道工装、钢片、清洁区、X方向伺服机构、Y方向伺服机构和工作平台；其中，所述阵列轨道工装、所述钢片、所述清洁区和所述Y方向伺服机构均设置于所述工作平台上；所述硅胶头与所述X方向伺服机构相连接，所述硅胶头能够沿着X方向伺服机构长度方向移动；所述X方向伺服机构与所述Y方向伺服机构相连接，所述X方向伺服机构能够沿着Y方向伺服机构长度方向移动。本发明攻克了自动化环状标识印制的瓶颈，从而克服了手工制作效率低、一致性差、良率低的缺点。
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公开(公告)号：CN112420619A
公开(公告)日：2021-02-26
申请号：CN202011192070.3
申请日：2020-10-30
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
Abstract: 本发明为立体集成阵列式整流二极管模组封装结构及方法，其主要选用高可靠陶瓷外壳及金属盖板为封装材料，首先在外壳基座内部通过芯片定位装置进行焊片及芯片高精度安装，通过焊接实现芯片与外壳基座焊接，再通过硅铝丝实现芯片与外壳互连连接，最后通过平行缝焊实现金属盖板与外壳密封封装。本发明方法的应用，实现了立体阵列式整流二极管封装，大大提高整流二极管应用范围，纳米银膏和平行缝焊多温度梯度焊接方式可以起到优良的散热以及高可靠气密性封装，拓宽了器件应用场景。
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公开(公告)号：CN112002765A
公开(公告)日：2020-11-27
申请号：CN202010880815.9
申请日：2020-08-27
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC: H01L29/861 , H01L21/329
Abstract: 一种面向立体集成阵列封装的硅整流二极管芯片，芯片为台面结构，芯片钝化为PSG和SiO2复合结构，正、反面金属电极为同一材质。本发明的硅整流二极管芯片体积小、重量轻；采用PSG和SiO2复合钝化结构，芯片反向耐压高、反向漏电小，尤其是反向阻断高温特性好；正反面金属材料采用同一材质，使得芯片与外壳、芯片与芯片之间立体焊接一次完成，有利于提高芯片立体集成封装的效率和可靠性。采用本发明的硅整流二极管芯片，通过双芯片叠层立体焊接，可在7mm×10mm×2.5mm空间内集成16个芯片，实现的600V 8路立体集成整流阵列器件，能够通过150℃、1000h高温反偏和-65℃～175℃、500次温度循环的可靠性考核。
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公开(公告)号：CN110860817A
公开(公告)日：2020-03-06
申请号：CN201910934531.0
申请日：2019-09-29
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种焊料片和用该焊料片焊接的功率器件芯片封装方法，属于微电子器件封装技术领域。该焊料片包括铟和银，其中铟材料重量百分比为20～40％，金属银的重量百分比为60％～80％，所述焊料片为铟-银-铟三层复合结构。所述芯片封装方法以Ag-In作为反应系，芯片低温焊接原理为连接过程中低熔点金属铟形成液相与固态的高熔点金属银相互扩散或反应，发生等温凝固形成高熔点金属间化合物，实现耐高温连接。在Ag-In体系中靠近In一侧金属间化合物为AgIn2，随着工艺焊接时间的延长，Ag-In内部互扩散反应加剧，In4Ag9和Ag3In金属间化合物逐渐增多，并占据多数，金属间化合物In4Ag9和Ag3In能耐受660℃的高温，从而实现大功率器件高温服役。
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公开(公告)号：CN103745935B
公开(公告)日：2016-09-07
申请号：CN201310703241.8
申请日：2013-12-19
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC: H01L21/56 , H01L21/329
Abstract: 本发明公开了一种无空洞透明玻壳与金属密封的方法，包括下列步骤：步骤一、选取内径为2.30‑2.50mm、外径为3.10‑3.50mm、高度为3.20‑3.70mm的玻壳；选取直径为2.20‑2.30mm、高度为2.20‑2.40mm的电极进行封装；步骤二、将二极管芯片的上下表面分别与圆柱形金属电极的圆形底面接触，步骤三、将包含有芯片的圆柱形金属电极放置于模具中；步骤四、将模具装配，并施加配重；步骤五、将模具放置在高温炉内，完成玻璃密封；本发明提高了与后续工序间的温度梯度，加强了对芯片的保护，无空洞密封进一步提高了产品的质量和可靠性。
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