公开(公告)号：CN117790365A

公开(公告)日：2024-03-29

申请号：CN202311796191.2

申请日：2023-12-25

Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 ,  北京微电子技术研究所

Inventor： 郝梓淋 ,  李金月 ,  戴晨毅 ,  刘晓敏 ,  木瑞强 ,  郝贵争 ,  贾天宇

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/687 ,  H01L23/08

Abstract: 本发明涉及一种器件转移保护装置、台面器件封装保护方法及封装结构，涉及分立器件封装技术领域。其中，所述器件转移保护装置包括升降单元和顶针板，其中，升降单元在升降旋钮组件的调节下，升降板能够穿过支撑上板的开孔，带动顶针板上下移动，以调整顶针板与支撑上板的间隙，从而将焊接件转移至玻璃外壳内，在转移过程中可减少外力影响，使得焊接件能够顺利转移到玻璃外壳内，为后续烧结封装提供良好的焊接件，从而提高封装器件结构的成品率。

公开(公告)号：CN105405772B

公开(公告)日：2018-09-11

申请号：CN201510703413.0

申请日：2015-10-26

Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 ,  北京微电子技术研究所

Inventor： 吴鹏 ,  赵元富 ,  姚全斌 ,  木瑞强 ,  练滨浩 ,  刘晓敏 ,  王娟

IPC: H01L21/50 ,  H01L21/60 ,  H01L21/603

Abstract: 一种二极管芯片熔焊方法，包含两个内电极、二极管芯片、配重以及用于装配用的装配模具，将具有金属化结构的硅基二极管芯片和两个内电极叠放在一起，高温条件下采用无钎料的熔焊技术将硅基二极管芯片与双内电极永久焊接，形成牢固的整体结构。本发明将两个内电极与芯片上下两个表面直接接触，实现双插头结构，然后采取熔焊技术，在接触界面产生低于各自单质金属熔点的银硅共晶体，形成冶金键，实现一字结构，本发明的焊接温度较高，为后续工艺提供了很宽泛的工艺操作窗口，降低了考核和使用时环境温度等对焊接结构的影响。起连接作用的共晶体稳定性强，在固相下没有复杂的相变，也提高了器件的可靠性。

公开(公告)号：CN105405772A

公开(公告)日：2016-03-16

申请号：CN201510703413.0

申请日：2015-10-26

Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 ,  北京微电子技术研究所

Inventor： 吴鹏 ,  赵元富 ,  姚全斌 ,  木瑞强 ,  练滨浩 ,  刘晓敏 ,  王娟

IPC: H01L21/50 ,  H01L21/60 ,  H01L21/603

CPC classification number: H01L21/50 ,  H01L24/80 ,  H01L2021/60007 ,  H01L2021/603 ,  H01L2224/80805

Abstract: 一种二极管芯片熔焊方法，包含两个内电极、二极管芯片、配重以及用于装配用的装配模具，将具有金属化结构的硅基二极管芯片和两个内电极叠放在一起，高温条件下采用无钎料的熔焊技术将硅基二极管芯片与双内电极永久焊接，形成牢固的整体结构。本发明将两个内电极与芯片上下两个表面直接接触，实现双插头结构，然后采取熔焊技术，在接触界面产生低于各自单质金属熔点的银硅共晶体，形成冶金键，实现一字结构，本发明的焊接温度较高，为后续工艺提供了很宽泛的工艺操作窗口，降低了考核和使用时环境温度等对焊接结构的影响。起连接作用的共晶体稳定性强，在固相下没有复杂的相变，也提高了器件的可靠性。

公开(公告)号：CN119252799A

公开(公告)日：2025-01-03

申请号：CN202411125154.3

申请日：2024-08-16

Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 ,  北京微电子技术研究所

Inventor： 郝贵争 ,  冯小成 ,  戴晨毅 ,  李金月 ,  刘晓敏 ,  蔺建龙

IPC: H01L23/02 ,  H01L23/04 ,  H01L23/16 ,  H01L21/50

Abstract: 本发明属于分立器件封帽的技术领域，具体涉及了一种超小尺寸分立器件外壳的封帽装置及封帽方法，旨在解决固定钢夹的过程中由于人工操作导致的钢夹轻微振动可能造成盖板偏移及盖板表面划伤的问题。本发明包括底座、配重支撑板以及配重杆；底座与配重支撑板连接在一起；底座上开设有多个均匀布置的外壳定位槽，在外壳定位槽的槽底开设有盖板定位槽；配重支撑板布置在底座上侧，配重支撑上开设有多个均匀布置且为通孔的布置孔；每个安装孔中可以安装一个配重杆；配重杆在安装时，下端插入布置孔中；底座上外壳定位槽的中心、配重支撑板上布置孔的中心、压板上安装孔的中心对齐。本发明能够避免在外壳、盖板固定过程中的产生的偏移、划伤问题。

公开(公告)号：CN110860817A

公开(公告)日：2020-03-06

申请号：CN201910934531.0

申请日：2019-09-29

Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 ,  北京微电子技术研究所

Inventor： 戴晨毅 ,  木瑞强 ,  李金月 ,  王勇 ,  练滨浩 ,  郝贵争 ,  刘晓敏 ,  王世华

IPC: B23K35/30 ,  B23K1/008 ,  B23K1/20

Abstract: 本发明涉及一种焊料片和用该焊料片焊接的功率器件芯片封装方法，属于微电子器件封装技术领域。该焊料片包括铟和银，其中铟材料重量百分比为20～40％，金属银的重量百分比为60％～80％，所述焊料片为铟-银-铟三层复合结构。所述芯片封装方法以Ag-In作为反应系，芯片低温焊接原理为连接过程中低熔点金属铟形成液相与固态的高熔点金属银相互扩散或反应，发生等温凝固形成高熔点金属间化合物，实现耐高温连接。在Ag-In体系中靠近In一侧金属间化合物为AgIn2，随着工艺焊接时间的延长，Ag-In内部互扩散反应加剧，In4Ag9和Ag3In金属间化合物逐渐增多，并占据多数，金属间化合物In4Ag9和Ag3In能耐受660℃的高温，从而实现大功率器件高温服役。

公开(公告)号：CN215342570U

公开(公告)日：2021-12-28

申请号：CN202120920054.5

申请日：2021-04-29

Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 ,  北京微电子技术研究所

Inventor： 郝贵争 ,  冯小成 ,  木瑞强 ,  戴晨毅 ,  李金月 ,  蔺建龙 ,  李静微 ,  王世华 ,  刘晓敏 ,  张姗姗 ,  贾天宇

IPC: H01L23/495 ,  H01L23/488

Abstract: 一种防震动的TO金属外壳键合指结构，包括金属壳体、键合指端头、陶瓷绝缘子、外引线，其中键合指端头下设有与键合指端头尺寸配合的氧化铝陶瓷绝缘块，绝缘块通过银铜焊料与键合指端头底部平面及金属外壳底部壳体进行焊接。使得该TO金属外壳在粗铝丝键合过程中避免因键合机压力及超声频率产生震动，增强键合指的强度及稳定性，确保键合指表面平面度，提升键合可靠性。