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公开(公告)号：CN118540958A
公开(公告)日：2024-08-23
申请号：CN202410368360.0
申请日：2024-03-28
Applicant: 北京微电子技术研究所 , 北京时代民芯科技有限公司 , 清华大学
IPC: H10B80/00 , H01L23/12 , H01L23/488 , H01L23/498 , H01L23/52 , G01D21/02 , G01D11/00 , G01D11/30
Abstract: 一种多通道传感通用微系统，由多种传感器、FPGA电路裸芯片、FPGA配置存储器裸芯片、AD转换电路裸芯片、基板、引出端组成，FPGA电路裸芯片、FPGA配置存储器裸芯片、AD转换电路裸芯片都组装在基板上，并根据功能设计在基板上进行互联，基板上另外设计引出端，用以同印制电路板实现物理连接，基板上同时提供若干焊盘，将FPGA部分IO、FPGA给出的时钟、AD的模拟输入端、电源和地连接到焊盘上，使得多种传感器可以直接安装到基板上，与前述部分共同组成多通道传感微系统。本发明所述的多通道传感通用微系统可用于工业控制、航空航天、医疗等多个领域的感知与处理系统中，其余部分制造完成后，仅通过更换所需的传感器，即可形成不同的多通道传感微系统。
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公开(公告)号：CN108592902B
公开(公告)日：2020-07-31
申请号：CN201810433771.8
申请日：2018-05-08
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明实施例提供了一种基于多传感器的定位设备及其定位方法、系统和机械臂，该定位设备应用于机械臂，包括多个传感器和处理器。多个传感器用于检测机械臂的三轴加速度值、三轴角速度值、三轴磁场强度值和超声数据，并输出到处理器；处理器用于根据三轴加速度值计算第一位移，根据三轴角速度值计算第一旋转角度，根据三轴磁场强度值和三轴加速度值计算第二旋转角度，根据超声数据计算第二位移，并将第一位移、第一旋转角度、第二位移和第二旋转角度通过卡尔曼滤波算法进行融合计算，得到机械臂的位置数据和方向数据。利用位置数据和方向数据就可确定机械臂在执行任务时的任务轨迹，并利用任务轨迹对机械臂进行训练，省去了重新编程的麻烦。
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公开(公告)号：CN103281084B
公开(公告)日：2016-12-28
申请号：CN201310148660.X
申请日：2013-04-25
Applicant: 清华大学
IPC: H03M1/66
Abstract: 本发明提出一种数模转换器，包括：差分器，用于将输入电压与反馈电压相减，其中，输入电压为当前像素点与参考像素点输出电压的差值；积分器，用于对输入电压与反馈电压的差值积分；第一比较器，用于当积分器输出大于第一阈值电压时，反馈第一阈值的电压；第二比较器，用于在预定周期将积分器输出的电压值与第二阈值进行比较；以及控制器，用于当预定周期转换后积分器输出的电压值小于第二阈值时，产生复位脉冲，此外，在一次完整的转换完成之后，将当前像素作为参考像素对下一个像素进行处理，其中，第一阈值大于第二阈值。根据本发明实施例的数模转换器，通过预定周期的累加结果与第二阈值进行比较，进而减少了转换周期提高了数据处理效率。
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公开(公告)号：CN103713203B
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：CN201310706890.3
申请日：2013-12-19
Applicant: 清华大学
IPC: G01R29/12
Abstract: 本发明公开了一种微型电场传感器结构，包括：可动感应电极阵列和固定感应电极阵列，可动感应电极阵列可周期性往复运动，包括至少一个可动感应电极单元，可动感应电极单元包括正极性可动感应电极和负极性可动感应电极，二者通过绝缘结构连接；固定感应电极阵列包括至少一个固定感应电极单元，固定感应电极单元包括正极性固定感应电极和负极性固定感应电极。可动感应电极单元与固定感应电极单元分别外接电路实现电位钳制，当可动感应电极周期性往复运动时，产生与电场强度相关的电信号，实现电场强度测量。这种传感器结构能够避免直接接地结构的电场浪费问题，获得更大的电场感应面积，在相同检测周期内能够产生更多的感应电荷，提高测量的分辨率。
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公开(公告)号：CN105226013A
公开(公告)日：2016-01-06
申请号：CN201510617391.6
申请日：2015-09-24
Applicant: 清华大学
IPC: H01L21/768 , H01L23/535
CPC classification number: H01L21/76822 , H01L21/768 , H01L23/481 , H01L23/535 , H01L24/20
Abstract: 本发明公开了一种多孔状绝缘介质层的三维互连装置，包括：芯片，芯片具有环形深孔；导电体，导电体通过环形深孔贯穿芯片；多孔状绝缘介质层，其设置于环形深孔内，并且设置于芯片与导电体之间，其中，多孔状绝缘介质层为由可加热分解的第一高分子材料与不可加热分解的第二高分子材料根据预设比例混合得到的混合高分子材料在经过加热使第一高分子材料分解后由所述第二高分子材料生成的多孔结构，以降低三维互连的电容，并且缓解由导电体热膨胀产生的热应力。本发明实施例的三维互连装置可以降低三维互连的电容，更好地保证三维互连的可靠性，简单便捷。本发明还公开了一种多孔状绝缘介质层的三维互连装置的制备方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102706369B
公开(公告)日：2015-02-18
申请号：CN201210219900.6
申请日：2012-06-27
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明公开了属于传感器技术领域的三维集成悬空传感器及其制造方法。传感器和信号处理电路分别在绝缘衬底器件的两侧，传感器和信号处理电路通过三维互连线和平面金属互连线实现连接。本发明的有益效果为：利用三维互连线同时实现对传感器的机械支撑使其悬空并实现电信号连接，获得的传感器和处理电路集成。这种方法可以减小信号处理电路占用的面积、实现单片集成的单晶传感器结构，有利于提高传感器的填充因子、减小信号处理的噪声，并获得高性能的传感器。
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公开(公告)号：CN101241882A
公开(公告)日：2008-08-13
申请号：CN200810102494.9
申请日：2008-03-21
Applicant: 清华大学
IPC: H01L21/84 , H01L21/768
Abstract: 本发明公开一种基于SOI圆片的三维集成电路的实现方法。所述方法包括：刻蚀去除制造好集成电路的绝缘体上硅(SOI)圆片对应垂直互连的SOI器件层；利用有机聚合物将SOI圆片与辅助圆片临时键合，去除SOI圆片衬底将SOI层向辅助圆片转移；利用有机聚合物实现临时转移的SOI圆片和另一个制造好集成电路的底层圆片的背面对正面永久键合，形成叠加圆片；从叠加圆片正面刻蚀二氧化硅层和永久键合层形成垂直通孔，填充金属实现SOI层圆片与底层圆片的垂直互连。本发明在绝缘位置制造垂直互连解决深孔侧壁绝缘，降低了三维集成的制造难度。本方法可用于集成电路和微型传感器领域，实现多层芯片的背面对正面键合的三维集成。
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公开(公告)号：CN101179037A
公开(公告)日：2008-05-14
申请号：CN200710178845.X
申请日：2007-12-06
Applicant: 清华大学
IPC: H01L21/60
CPC classification number: H01L2224/16145
Abstract: 本发明公开了属于半导体制造技术和微型传感器制造技术领域的一种高深宽比三维垂直互连及三维集成电路的实现方法。所述方法包括：在制作好平面集成电路或者微型传感器的半导体圆片正面进行深反应离子刻蚀，获得深孔；在正面淀积绝缘层、扩散阻挡层以及电镀种子层；将该半导体圆片电镀面与辅助圆片临时键合，并对该半导体圆片背面减薄使DRIE深孔从背面露出；背面淀积绝缘层、扩散阻挡层以及电镀种子层；进行自底向上的电镀过程，将DRIE深孔填满形成高深宽比三维垂直互连；去除辅助圆片，实现两层圆片的垂直集成；重复以上步骤，实现更多层的三维集成电路。本发明降低了填充高深宽比通孔的工艺难度。简化了制造过程，保证了成品率。
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公开(公告)号：CN119706735A
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202411754104.1
申请日：2024-12-02
Applicant: 清华大学
Inventor： 王喆垚
Abstract: 本申请提供了一种微机械开关的制备方法和微机械开关，微机械开关的制备方法包括提供第一衬底，在第一衬底的一侧制备第一电极层。提供第二衬底，在第二衬底的一侧制备第一子保护层，在第一子保护层远离第二衬底的一侧制备单晶硅层。在单晶硅层远离衬底一侧制备第二子保护层。在第二子保护层远离第二衬底的一侧制备第二电极层。对第一子保护层、第二子保护层及第二衬底进行刻蚀形成开关结构。第二驱动电极及第二极在第二衬底上的正投影位于开关结构层在第二衬底上的正投影内，开关结构远离第二极的一端与第二衬底连接，另一端悬空。将第二衬底设有所述第二电极层的一侧与所述第一衬底设有所述第一电极层的一侧键合。
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