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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102706369A
公开(公告)日：2012-10-03
申请号：CN201210219900.6
申请日：2012-06-27
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明公开了属于传感器技术领域的三维集成悬空传感器及其制造方法。传感器和信号处理电路分别在绝缘衬底器件的两侧，传感器和信号处理电路通过三维互连线和平面金属互连线实现连接。本发明的有益效果为：利用三维互连线同时实现对传感器的机械支撑使其悬空并实现电信号连接，获得的传感器和处理电路集成。这种方法可以减小信号处理电路占用的面积、实现单片集成的单晶传感器结构，有利于提高传感器的填充因子、减小信号处理的噪声，并获得高性能的传感器。
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公开(公告)号：CN102689874A
公开(公告)日：2012-09-26
申请号：CN201210211266.1
申请日：2012-06-20
Applicant: 清华大学
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明公开了半导体三维集成技术领域的一种传感器阵列与信号处理电路的三维集成方法；包括以下步骤：1）在绝缘衬底器件的顶层单晶材料上制造传感器；2）在信号处理电路衬底表面制造信号处理电路和金属互连线，并在金属互连线上制造金属凸点；3）进行键合过程或三维互连过程；4）对键合金属凸点与金属凸点进行金属热压键合；5）去除临时键合高分子层和辅助圆片；6）制造平面互连线。本发明的有益效果为：实现传感器与信号处理电路的集成，并实现传感器的悬空，并利用三维互连线实现传感器与信号处理电路的电信号连接，具有制造过程简单、能够实现悬空传感器、获得优良的传感器一致性和大规模阵列式结构。
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公开(公告)号：CN102706369B
公开(公告)日：2015-02-18
申请号：CN201210219900.6
申请日：2012-06-27
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明公开了属于传感器技术领域的三维集成悬空传感器及其制造方法。传感器和信号处理电路分别在绝缘衬底器件的两侧，传感器和信号处理电路通过三维互连线和平面金属互连线实现连接。本发明的有益效果为：利用三维互连线同时实现对传感器的机械支撑使其悬空并实现电信号连接，获得的传感器和处理电路集成。这种方法可以减小信号处理电路占用的面积、实现单片集成的单晶传感器结构，有利于提高传感器的填充因子、减小信号处理的噪声，并获得高性能的传感器。
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公开(公告)号：CN103241704B
公开(公告)日：2015-12-23
申请号：CN201310176097.7
申请日：2013-05-14
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明公开了一种三维集成传感器及其制备方法，包括：提供信号处理电路芯片和传感器芯片,其中，定义信号处理电路芯片中制造有信号处理电路的一面为正面，定义传感器芯片中制造有传感器的一面为正面；在信号处理电路芯片上制造穿透整个芯片厚度的三维互连；在信号处理电路芯片的背面制造凹槽阵列，每个凹槽与传感器芯片上的传感单元位置对应；利用金属凸点键合或高分子层键合，将传感器芯片与信号处理电路芯片集成，其中，传感器芯片正面与信号处理电路芯片的背面相对，传感器与信号处理电路芯片之间通过三维互连实现电学连接。本发明还公开了一种三维集成传感器。本发明的传感器及其制备方法具有集成度高、灵敏可靠的优点。
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公开(公告)号：CN103241704A
公开(公告)日：2013-08-14
申请号：CN201310176097.7
申请日：2013-05-14
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明公开了一种三维集成传感器及其制备方法，包括：提供信号处理电路芯片和传感器芯片，其中，定义信号处理电路芯片中制造有信号处理电路的一面为正面，定义传感器芯片中制造有传感器的一面为正面；在信号处理电路芯片上制造穿透整个芯片厚度的三维互连；在信号处理电路芯片的背面制造凹槽阵列，每个凹槽与传感器芯片上的传感单元位置对应；利用金属凸点键合或高分子层键合，将传感器芯片与信号处理电路芯片集成，其中，传感器芯片正面与信号处理电路芯片的背面相对，传感器与信号处理电路芯片之间通过三维互连实现电学连接。本发明还公开了一种三维集成传感器。本发明的传感器及其制备方法具有集成度高、灵敏可靠的优点。
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