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公开(公告)号：CN103344789B
公开(公告)日：2015-09-09
申请号：CN201310280287.3
申请日：2013-07-05
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 扫描电镜薄样品透射过滤-反射接收式衬度分离成像方法属于扫描电镜成像技术领域，其特征在于，薄样品采用悬臂梁式单端固定状态，薄样品厚度在50～1000nm之间，透射成像方式减小了入射电子在样品中的多重非弹性散射，增强了低能真二次电子和高能弹性背散射电子的发射几率，分离了形貌衬度与通道衬度，形貌衬度与成分衬度，加速电压为5～15kV，入射电流为10-9～10-11A，工作距离为5～15mm，获得增强的单一衬度的二次电子像和背散射电子像，样品厚度控制在透射电镜观察用薄膜样品的二倍以上，使薄样品易于制备，适于各类扫描电镜及多种薄样品，如金属及合金，复合材料，半导体及外延层，陶瓷，有机物及纳米材料。
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公开(公告)号：CN1888881A
公开(公告)日：2007-01-03
申请号：CN200610088992.3
申请日：2006-07-28
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明涉及在扫描电子显微镜中荷电衬度成像的方法，应用于电子显微分析技术中。采用高真空扫描电镜时，绝缘样品采用加速电压10～30kV，导体和非导体材料合成的复合颗粒和多层膜采用加速电压25～30kV，入射电流选10－10～10－11A，扫描速率选6～80s/帧；当样品室真空度达到1×10－4Pa或其以上时，使入射电子在样品表面扫描，并保存二次电子像；采用环境扫描电镜时，成像操作条件同高真空扫描电镜，样品室的压力要低于通常荷电补偿用的压力，绝缘材料为13～90Pa，含水及生物材料为400～500Pa。利用本发明，可以观察到样品局域在导电、介电、应力等性能方面存在的差异，及微观结构和成分分布的特征。
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公开(公告)号：CN101813645B
公开(公告)日：2011-11-16
申请号：CN201010108670.7
申请日：2010-02-05
Applicant: 北京工业大学
IPC: G01N23/207 , G01N23/225
Abstract: 纳米锆酸镧外延层与Ni-W衬底晶体取向匹配关系测试方法，属于超导薄膜性能测试技术领域，其特征在于，在热场发射扫描电镜SEM-电子背散射衍射仪EBSD分析测试系统中，调整二次电子放大倍率、扫描步进距离，使得能在加速电压最低为6kV条件下，用5nA的入射电子流，实现在一幅极图中，同时显示锆酸镧外延层和Ni-W衬底的织构，还在一幅菊池花样中，同时包含锆酸镧外延层和Ni-W衬底两相的菊池花样，在此基础上可用商用EBSD分析软件，测量出锆酸镧外延层与Ni-W衬底在面内和外延生长方向(c-轴)的晶体取向匹配关系，具有直观、简便，且不需要对锆酸镧进行表面预处理的优点，并适用于其它外延材料系统。
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公开(公告)号：CN101017123A
公开(公告)日：2007-08-15
申请号：CN200710064136.9
申请日：2007-03-02
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明是一种加热消除绝缘陶瓷样品荷电效应的方法。该方法主要用于消除陶瓷类绝缘样品在电子束辐照下产生的荷电效应，达到在扫描电镜中直接对绝缘样品进行观察和分析的目的。本发明是在SEM中配置一个加热装置，而不改变SEM原有的真空系统、电子光学系统和电子信号探测系统。加热使绝缘样品的荷电效应逐渐减小和消除。由于加热是在高真空环境中进行的，因而减小了残余气体分子对入射电子的散射作用，避免了残余气体对样品表面的污染，从而提高了图像的质量。与通常的采用负电荷与正离子中和的方法来消除荷电效应的结果相比较，加热消除荷电可使非导电样品的二次电子像具有更好的图像衬度和信噪比，是一种简便、有效的荷电补偿方法。
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公开(公告)号：CN1873400A
公开(公告)日：2006-12-06
申请号：CN200610089512.5
申请日：2006-06-30
Applicant: 北京工业大学
IPC: G01N23/225
CPC classification number: H01J2237/2605
Abstract: 本发明中涉及一种环境扫描电镜中电荷环境的测量方法。该方法中采用一个高灵敏度的微小电流测试仪表(pA－表)和计算机，测量在电子束辐照下，在法拉第杯中，以及金属、半导体和绝缘体中的样品电流(ISC)，即空间电荷电流(ISP)，确定环境扫描电镜(ESEM)样品室中气体压力、气体离子化效率、离子化饱和度，以及气体对电子的散射率等。以此评价ESEM样品室内由电子流和离子流所控制的电荷环境，优化ESEM的成像条件，包括环境参数(压力、气氛、湿度)，以及操作参数(加速电压、工作距离等)，研究荷电补偿条件及荷电动态平衡条件，以获得高质量的图像。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106098520A
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：CN201610617959.9
申请日：2016-07-30
Applicant: 北京工业大学
CPC classification number: H01J37/26 , H01J37/20 , H01J37/28 , H01J2237/20221 , H01J2237/20228
Abstract: 本发明公开了一种扫描/透射电子显微镜关联分析用真空移动装置，包括与扫描电镜相连接的真空腔体，其内部的二维平移台以及透射电镜样品杆偏心套筒；真空腔体前端与扫描电镜腔体法兰连接；真空腔体设置有二维平移台外接旋钮；腔体内部安装有用于实现SEM电子束成像区域精确选择的二维平移台，及其上的透射电镜样品杆偏心套筒，实现成像区域的Z轴微调。本发明结合TEM的高分辨成像和局部区域高精度成分获取和SEM能够获得大范围样品的形貌和成分的优点，实现精确定位样品研究区域、微观、纳米尺度相结合的研究样品的显微结构、成分、物相等信息；同时可用于对透射电镜加热、通电、液体及其一体化样品杆的初步测试，以保障透射电镜的安全。
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公开(公告)号：CN103344789A
公开(公告)日：2013-10-09
申请号：CN201310280287.3
申请日：2013-07-05
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 扫描电镜薄样品透射过滤-反射接收式衬度分离成像方法属于扫描电镜成像技术领域，其特征在于，薄样品采用悬臂梁式单端固定状态，薄样品厚度在50～1000nm之间，透射成像方式减小了入射电子在样品中的多重非弹性散射，增强了低能真二次电子和高能弹性背散射电子的发射几率，分离了形貌衬度与通道衬度，形貌衬度与成分衬度，加速电压为5～15kV，入射电流为10-9～10-11A，工作距离为5～15mm，获得增强的单一衬度的二次电子像和背散射电子像，样品厚度控制在透射电镜观察用薄膜样品的二倍以上，使薄样品易于制备，适于各类扫描电镜及多种薄样品，如金属及合金，复合材料，半导体及外延层，陶瓷，有机物及纳米材料。
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公开(公告)号：CN101813645A
公开(公告)日：2010-08-25
申请号：CN201010108670.7
申请日：2010-02-05
Applicant: 北京工业大学
IPC: G01N23/207 , G01N23/225
Abstract: 纳米锆酸镧外延层与Ni-W衬底晶体取向匹配关系测试方法，属于超导薄膜性能测试技术领域，其特征在于，在热场发射扫描电镜SEM-电子背散射衍射仪EBSD分析测试系统中，调整二次电子放大倍率、扫描步进距离，使得能在加速电压最低为6kV条件下，用5nA的入射电子流，实现在一幅极图中，同时显示锆酸镧外延层和Ni-W衬底的织构，还在一幅菊池花样中，同时包含锆酸镧外延层和Ni-W衬底两相的菊池花样，在此基础上可用商用EBSD分析软件，测量出锆酸镧外延层与Ni-W衬底在面内和外延生长方向(c-轴)的晶体取向匹配关系，具有直观、简便，且不需要对锆酸镧进行表面预处理的优点，并适用于其它外延材料系统。
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公开(公告)号：CN108107066B
公开(公告)日：2020-08-14
申请号：CN201711374006.5
申请日：2017-12-19
Applicant: 北京工业大学
IPC: G01N23/2206 , G01N23/2254 , G01N21/64
Abstract: 用于生物纳米探针的SEM/ESEM—阴极荧光成像方法属于阴极荧光成像技术领域，尤其涉及生物荧光成像技术领域，其特征在于，采用SEM/ESEM和CL组成的联机系统，包括量子点和纳米颗粒在内的纳米探针，选择包括玻璃、导电玻璃、SiO2‑Au‑Si复合膜、Si、SiO2、碳基薄膜在内的任何一种衬底，以SEM外接模式、配以阴极荧光谱的CL全光模式，得到CL像和相对应的SE或TE电子像，以及CL像和电子像的合成像，以SEM快速扫描模式、配以阴极荧光谱的CL单光模式，得到单细胞的CL谱，或单一波长的CL单光像和各电子像，从而得到了由纳米颗粒/量子点探针特异性标识的单细胞和单分子的高分辨光子像和对应的电子像，可以在室温～‑180℃下低温成像，还可以与具有不同发光特性的荧光分子/荧光蛋白探针匹配，并减少高能电子束对生物样品的辐照损伤。
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公开(公告)号：CN108107066A
公开(公告)日：2018-06-01
申请号：CN201711374006.5
申请日：2017-12-19
Applicant: 北京工业大学
IPC: G01N23/2206 , G01N23/2254 , G01N21/64
Abstract: 用于生物纳米探针的SEM/ESEM—阴极荧光成像方法属于阴极荧光成像技术领域，尤其涉及生物荧光成像技术领域，其特征在于，采用SEM/ESEM和CL组成的联机系统，包括量子点和纳米颗粒在内的纳米探针，选择包括玻璃、导电玻璃、SiO2‑Au‑Si复合膜、Si、SiO2、碳基薄膜在内的任何一种衬底，以SEM外接模式、配以阴极荧光谱的CL全光模式，得到CL像和相对应的SE或TE电子像，以及CL像和电子像的合成像，以SEM快速扫描模式、配以阴极荧光谱的CL单光模式，得到单细胞的CL谱，或单一波长的CL单光像和各电子像，从而得到了由纳米颗粒/量子点探针特异性标识的单细胞和单分子的高分辨光子像和对应的电子像，可以在室温～‑180℃下低温成像，还可以与具有不同发光特性的荧光分子/荧光蛋白探针匹配，并减少高能电子束对生物样品的辐照损伤。
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