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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101813645B
公开(公告)日：2011-11-16
申请号：CN201010108670.7
申请日：2010-02-05
Applicant: 北京工业大学
IPC: G01N23/207 , G01N23/225
Abstract: 纳米锆酸镧外延层与Ni-W衬底晶体取向匹配关系测试方法，属于超导薄膜性能测试技术领域，其特征在于，在热场发射扫描电镜SEM-电子背散射衍射仪EBSD分析测试系统中，调整二次电子放大倍率、扫描步进距离，使得能在加速电压最低为6kV条件下，用5nA的入射电子流，实现在一幅极图中，同时显示锆酸镧外延层和Ni-W衬底的织构，还在一幅菊池花样中，同时包含锆酸镧外延层和Ni-W衬底两相的菊池花样，在此基础上可用商用EBSD分析软件，测量出锆酸镧外延层与Ni-W衬底在面内和外延生长方向(c-轴)的晶体取向匹配关系，具有直观、简便，且不需要对锆酸镧进行表面预处理的优点，并适用于其它外延材料系统。
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公开(公告)号：CN101555623A
公开(公告)日：2009-10-14
申请号：CN200910084277.6
申请日：2009-05-15
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种在环境扫描电镜中原位生长磷酸二氢钾单晶体的方法属于材料学科领域。本发明应用ESEM的可控真空环境和变温条件，原位生长KDP单晶体，同时原位观测KDP的溶解和生长过程。本发明通过控制ESEM样品室内的水蒸气压力、相对湿度及样品台的温度，由KDP多晶粉末制备出KDP单晶体：溶解KDP多晶粉末的压力为600－670Pa，温度为－1－1℃，φ≈100％；生长KDP单晶体的压力为600－650Pa、温度为1－2.2℃，φ≈91－95％。本发明方法还适用于生长其它水溶性晶体，并为动态研究水溶性晶体的微观形貌特征，生长机理，水湿环境对水溶性晶体的影响等基础问题提供了方法和条件。
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公开(公告)号：CN103344789A
公开(公告)日：2013-10-09
申请号：CN201310280287.3
申请日：2013-07-05
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 扫描电镜薄样品透射过滤-反射接收式衬度分离成像方法属于扫描电镜成像技术领域，其特征在于，薄样品采用悬臂梁式单端固定状态，薄样品厚度在50～1000nm之间，透射成像方式减小了入射电子在样品中的多重非弹性散射，增强了低能真二次电子和高能弹性背散射电子的发射几率，分离了形貌衬度与通道衬度，形貌衬度与成分衬度，加速电压为5～15kV，入射电流为10-9～10-11A，工作距离为5～15mm，获得增强的单一衬度的二次电子像和背散射电子像，样品厚度控制在透射电镜观察用薄膜样品的二倍以上，使薄样品易于制备，适于各类扫描电镜及多种薄样品，如金属及合金，复合材料，半导体及外延层，陶瓷，有机物及纳米材料。
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公开(公告)号：CN101813645A
公开(公告)日：2010-08-25
申请号：CN201010108670.7
申请日：2010-02-05
Applicant: 北京工业大学
IPC: G01N23/207 , G01N23/225
Abstract: 纳米锆酸镧外延层与Ni-W衬底晶体取向匹配关系测试方法，属于超导薄膜性能测试技术领域，其特征在于，在热场发射扫描电镜SEM-电子背散射衍射仪EBSD分析测试系统中，调整二次电子放大倍率、扫描步进距离，使得能在加速电压最低为6kV条件下，用5nA的入射电子流，实现在一幅极图中，同时显示锆酸镧外延层和Ni-W衬底的织构，还在一幅菊池花样中，同时包含锆酸镧外延层和Ni-W衬底两相的菊池花样，在此基础上可用商用EBSD分析软件，测量出锆酸镧外延层与Ni-W衬底在面内和外延生长方向(c-轴)的晶体取向匹配关系，具有直观、简便，且不需要对锆酸镧进行表面预处理的优点，并适用于其它外延材料系统。
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公开(公告)号：CN103344789B
公开(公告)日：2015-09-09
申请号：CN201310280287.3
申请日：2013-07-05
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 扫描电镜薄样品透射过滤-反射接收式衬度分离成像方法属于扫描电镜成像技术领域，其特征在于，薄样品采用悬臂梁式单端固定状态，薄样品厚度在50～1000nm之间，透射成像方式减小了入射电子在样品中的多重非弹性散射，增强了低能真二次电子和高能弹性背散射电子的发射几率，分离了形貌衬度与通道衬度，形貌衬度与成分衬度，加速电压为5～15kV，入射电流为10-9～10-11A，工作距离为5～15mm，获得增强的单一衬度的二次电子像和背散射电子像，样品厚度控制在透射电镜观察用薄膜样品的二倍以上，使薄样品易于制备，适于各类扫描电镜及多种薄样品，如金属及合金，复合材料，半导体及外延层，陶瓷，有机物及纳米材料。
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