公开(公告)号：CN1888881A

公开(公告)日：2007-01-03

申请号：CN200610088992.3

申请日：2006-07-28

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 吉元 ,  张隐奇 ,  权雪玲 ,  徐学东 ,  傅景永 ,  王丽 ,  刘翠秀

IPC: G01N23/04 ,  G01N13/10 ,  H01J37/28 ,  G02B21/00

Abstract: 本发明涉及在扫描电子显微镜中荷电衬度成像的方法，应用于电子显微分析技术中。采用高真空扫描电镜时，绝缘样品采用加速电压10～30kV，导体和非导体材料合成的复合颗粒和多层膜采用加速电压25～30kV，入射电流选10－10～10－11A，扫描速率选6～80s/帧；当样品室真空度达到1×10－4Pa或其以上时，使入射电子在样品表面扫描，并保存二次电子像；采用环境扫描电镜时，成像操作条件同高真空扫描电镜，样品室的压力要低于通常荷电补偿用的压力，绝缘材料为13～90Pa，含水及生物材料为400～500Pa。利用本发明，可以观察到样品局域在导电、介电、应力等性能方面存在的差异，及微观结构和成分分布的特征。