-
公开(公告)号：CN102520058B
公开(公告)日：2014-10-22
申请号：CN201110309984.8
申请日：2011-10-13
Applicant: 北京工业大学
IPC: G01N27/83
Abstract: 一种基于金属原位晶体学及磁畴表征金属磁记忆检测的方法，属于金属磁记忆无损检测研究领域。将金属材料本身作为研究对象，在不同应力状态下(拉伸不同阶段或者疲劳不同次数)，利用bitter粉纹法测得对应的磁畴图，利用SEM-EBSD系统测得SEM形貌和取向等晶体学信息。从而得到金属材料的晶体学信息、磁畴与应力的关系。本发明结合金属材料本身得到材料微观尺度磁信号大小和磁矩的方向以及晶体学信息，去除了材料本身以外其他因素的干扰，具有良好的可靠性，克服了上述实际应用中的误差。
-
公开(公告)号：CN102520058A
公开(公告)日：2012-06-27
申请号：CN201110309984.8
申请日：2011-10-13
Applicant: 北京工业大学
IPC: G01N27/83
Abstract: 一种基于金属原位晶体学及磁畴表征金属磁记忆检测的方法，属于金属磁记忆无损检测研究领域。将金属材料本身作为研究对象，在不同应力状态下(拉伸不同阶段或者疲劳不同次数)，利用bitter粉纹法测得对应的磁畴图，利用SEM-EBSD系统测得SEM形貌和取向等晶体学信息。从而得到金属材料的晶体学信息、磁畴与应力的关系。本发明结合金属材料本身得到材料微观尺度磁信号大小和磁矩的方向以及晶体学信息，去除了材料本身以外其他因素的干扰，具有良好的可靠性，克服了上述实际应用中的误差。
-
公开(公告)号：CN1176369C
公开(公告)日：2004-11-17
申请号：CN03123988.9
申请日：2003-06-02
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 绝缘材料荷电的测试方法涉及一种利用扫描电子显微镜对绝缘材料表面荷电的测量及评价方法。本发明是采用扫描电镜扫描样品，在入射电子束逐点扫描样品和记录成像的过程中，由皮安-电流表逐点实时接收电子束在样品表面产生的吸收电流Ia，检测非导电样品在入射电子辐照下引起的荷电现象；通过调整数据流的收集参数，包括积分时间、步长和信号收集时间，保证采集一帧图像与收集一帧扫描图像的吸收电流基本同步；各扫描点的吸收电流Ia值通过计算机进行实时存储和处理，用以判断非导电样品表面的荷电效应；并根据评价用来优化扫描电镜的工作条件，评价非导电样品表面导电膜的质量。达到减小及消除非导电材料的荷电效应，提高图像质量和分析精度等目的。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101017123A
公开(公告)日：2007-08-15
申请号：CN200710064136.9
申请日：2007-03-02
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明是一种加热消除绝缘陶瓷样品荷电效应的方法。该方法主要用于消除陶瓷类绝缘样品在电子束辐照下产生的荷电效应，达到在扫描电镜中直接对绝缘样品进行观察和分析的目的。本发明是在SEM中配置一个加热装置，而不改变SEM原有的真空系统、电子光学系统和电子信号探测系统。加热使绝缘样品的荷电效应逐渐减小和消除。由于加热是在高真空环境中进行的，因而减小了残余气体分子对入射电子的散射作用，避免了残余气体对样品表面的污染，从而提高了图像的质量。与通常的采用负电荷与正离子中和的方法来消除荷电效应的结果相比较，加热消除荷电可使非导电样品的二次电子像具有更好的图像衬度和信噪比，是一种简便、有效的荷电补偿方法。
-
公开(公告)号：CN1873400A
公开(公告)日：2006-12-06
申请号：CN200610089512.5
申请日：2006-06-30
Applicant: 北京工业大学
IPC: G01N23/225
CPC classification number: H01J2237/2605
Abstract: 本发明中涉及一种环境扫描电镜中电荷环境的测量方法。该方法中采用一个高灵敏度的微小电流测试仪表(pA－表)和计算机，测量在电子束辐照下，在法拉第杯中，以及金属、半导体和绝缘体中的样品电流(ISC)，即空间电荷电流(ISP)，确定环境扫描电镜(ESEM)样品室中气体压力、气体离子化效率、离子化饱和度，以及气体对电子的散射率等。以此评价ESEM样品室内由电子流和离子流所控制的电荷环境，优化ESEM的成像条件，包括环境参数(压力、气氛、湿度)，以及操作参数(加速电压、工作距离等)，研究荷电补偿条件及荷电动态平衡条件，以获得高质量的图像。
-
公开(公告)号：CN1587978A
公开(公告)日：2005-03-02
申请号：CN200410078331.3
申请日：2004-09-24
Applicant: 北京工业大学
IPC: G01N13/10
Abstract: 本发明涉及一种在扫描电子显微镜中，注入微量氧气，在氧环境中对非导电材料直接进行观察和分析的方法及系统。特征在于：在扫描样品前，将微量活性氧气注入样品室内，以减小和消除非导电样品荷电现象。注入氧气前先选择真空模式，氧气通过减压阀减压，用真空计和真空规监测样品室内的真空度，由针阀继续降低氧气流量；注入的氧气对扫描电镜系统真空度的影响非常小，实现了在不同真空模式下的氧环境观察条件；配合氧环境扫描电子显微方法的氧气微注入系统设置在样品室侧壁上，主要包括有供气回路、真空检测系统及吸收电流测试系统。本发明完成了简便而有效地消除氧化物、氢氧化物等类非导电样品进行电子显微分析时产生荷电效应的目的。
-
公开(公告)号：CN1888881A
公开(公告)日：2007-01-03
申请号：CN200610088992.3
申请日：2006-07-28
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明涉及在扫描电子显微镜中荷电衬度成像的方法，应用于电子显微分析技术中。采用高真空扫描电镜时，绝缘样品采用加速电压10～30kV，导体和非导体材料合成的复合颗粒和多层膜采用加速电压25～30kV，入射电流选10－10～10－11A，扫描速率选6～80s/帧；当样品室真空度达到1×10－4Pa或其以上时，使入射电子在样品表面扫描，并保存二次电子像；采用环境扫描电镜时，成像操作条件同高真空扫描电镜，样品室的压力要低于通常荷电补偿用的压力，绝缘材料为13～90Pa，含水及生物材料为400～500Pa。利用本发明，可以观察到样品局域在导电、介电、应力等性能方面存在的差异，及微观结构和成分分布的特征。
-
公开(公告)号：CN1453575A
公开(公告)日：2003-11-05
申请号：CN03123988.9
申请日：2003-06-02
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 绝缘材料荷电的测试方法涉及一种利用扫描电子显微镜对绝缘材料表面荷电的测量及评价方法。本发明是采用扫描电镜扫描样品，在入射电子束逐点扫描样品和记录成像的过程中，由皮安－电流表逐点实时接收电子束在样品表面产生的吸收电流Ia，检测非导电样品在入射电子辐照下引起的荷电现象；通过调整数据流的收集参数，包括积分时间、步长和信号收集时间，保证采集一帧图像与收集一帧扫描图像的吸收电流基本同步；各扫描点的吸收电流Ia值通过计算机进行实时存储和处理，用以判断非导电样品表面的荷电效应；并根据评价用来优化扫描电镜的工作条件，评价非导电样品表面导电膜的质量。达到减小及消除非导电材料的荷电效应，提高图像质量和分析精度等目的。
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
8
records
(took 0.02 seconds)
