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公开(公告)号：CN102543937B
公开(公告)日：2014-01-22
申请号：CN201110457533.9
申请日：2011-12-30
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L23/498 , H01L23/495 , H01L23/31 , H01L21/48 , H01L21/56 , H01L21/50
CPC classification number: H01L21/4828 , H01L21/4825 , H01L21/561 , H01L21/563 , H01L23/3121 , H01L23/49541 , H01L23/49575 , H01L23/49582 , H01L23/49861 , H01L24/16 , H01L24/32 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/97 , H01L2224/16145 , H01L2224/32145 , H01L2224/32245 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/45565 , H01L2224/48091 , H01L2224/48095 , H01L2224/48227 , H01L2224/48247 , H01L2224/73204 , H01L2224/73265 , H01L2224/92127 , H01L2224/92242 , H01L2224/92247 , H01L2224/97 , H01L2924/12042 , H01L2924/14 , H01L2924/181 , H01L2924/30107 , H01L2924/3011 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012 , H01L2224/83 , H01L2224/85 , H01L2924/00 , H01L2224/45664
Abstract: 本发明公开了一种芯片上倒装芯片封装及制造方法。本封装包括引线框架、第一、第二金属材料层、母IC芯片、具有凸点的子IC芯片、绝缘填充材料、粘贴材料、下填料和塑封材料。引线框架包括芯片载体和引脚。金属材料层配置于引线框架上表面和下表面。绝缘填充材料配置于引线框架的台阶式结构下。母IC芯片通过粘贴材料配置于引线框架上表面的第一金属材料层位置，具有凸点的子IC芯片倒转焊接配置于母IC芯片的有缘面上。下填料配置于母IC芯片与具有凸点的子IC芯片之间。塑封材料包覆母IC芯片、具有凸点的子IC芯片、粘贴材料、下填料、第一金属导线和引线框架。本发明提供了基于QFN封装的高可靠性、低成本、高I/O密度的三维封装结构。
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公开(公告)号：CN102543907B
公开(公告)日：2014-01-22
申请号：CN201110460400.7
申请日：2011-12-31
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L23/31 , H01L23/495 , H01L23/367 , H01L21/56
CPC classification number: H01L24/97 , H01L24/73 , H01L2224/16245 , H01L2224/32245 , H01L2224/48247 , H01L2224/73253 , H01L2224/73265 , H01L2224/97 , H01L2924/14 , H01L2924/18161 , H01L2924/30107 , H01L2924/3011 , H01L2224/81 , H01L2924/00012 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了一种热增强型四边扁平无引脚倒装芯片封装及制造方法。本封装包括引线框架、第一金属材料层、第二金属材料层、具有凸点的IC芯片、绝缘填充材料、粘贴材料、散热片、导热隔片和塑封材料。引线框架包括芯片载体和多个围绕芯片载体呈多圈排列的引脚。第一金属材料层和第二金属材料层分别配置于引线框架上表面和下表面。具有凸点的IC芯片倒装焊接配置于引线框架上表面的第一金属材料层位置。绝缘填充材料配置于引线框架的台阶式结构下。导热隔片通过粘贴材料配置于IC芯片与芯片载体之间。散热片通过粘贴材料配置于IC芯片无缘面上。通过塑封材料包覆形成封装件。本发明提供了一种高可靠性、低成本、高I/O密度的QFN封装。
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公开(公告)号：CN102446882B
公开(公告)日：2013-12-04
申请号：CN201110456464.X
申请日：2011-12-30
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L23/488 , H01L23/495 , H01L23/31 , H01L21/50 , H01L21/60 , H01L21/56 , H01L21/78
CPC classification number: H01L24/85 , H01L21/4821 , H01L21/4828 , H01L21/56 , H01L21/561 , H01L23/142 , H01L23/28 , H01L23/3121 , H01L23/49544 , H01L23/49575 , H01L23/49861 , H01L23/52 , H01L24/16 , H01L24/32 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/81 , H01L24/97 , H01L25/03 , H01L2224/16245 , H01L2224/2929 , H01L2224/29339 , H01L2224/32245 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/45565 , H01L2224/45664 , H01L2224/48091 , H01L2224/48095 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2224/83101 , H01L2224/92247 , H01L2224/97 , H01L2924/00014 , H01L2924/14 , H01L2924/171 , H01L2924/181 , H01L2924/30107 , H01L2924/3011 , H01L2224/48247 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2224/45099 , H01L2924/0665 , H01L2224/05599
Abstract: 本发明公开了一种半导体封装中封装系统结构及制造方法。本半导体封装中封装系统结构包括引线框架、第一金属材料层、第二金属材料层、具有凸点的IC芯片、引线键合的IC芯片、绝缘填充材料、粘贴材料和塑封材料。引线框架包括芯片载体和多个围绕芯片载体呈多圈排列的引脚。第一金属材料层和第二金属材料层分别配置于引线框架上表面和下表面。绝缘填充材料配置于引线框架的台阶式结构下。引线键合的IC芯片配置于芯片载体上。具有凸点的IC芯片的凸点倒装焊接配置于多圈引脚的内引脚上，通过塑封材料包覆具有凸点的IC芯片、引线键合的IC芯片形成半导体封装中封装系统结构。本发明是基于QFN封装的高可靠性、低成本、高I/O密度的三维封装结构及其制造方法。
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公开(公告)号：CN102338763B
公开(公告)日：2013-06-12
申请号：CN201110147793.6
申请日：2011-06-02
Applicant: 北京工业大学
IPC: G01N25/72
Abstract: 一种用于红外热成像法检测微电子封装结构缺陷的装置，属于电子封装行业无损检测领域。底座1由两端的两个接地脚，一个中间承力梁组成，承力梁开有两个贯通的圆孔.立柱7的下端以过盈配合的方式装配到贯通的圆孔内。立柱7上分别装配了下横梁2，上横梁6，螺杆传动轴承9和托环13.下横梁2的前端用小螺栓12连接了一个试样台16，后端用螺栓连接螺杆套3.钠灯13通过连接块4，连接架5和圆环夹子14固定在立柱7上。螺杆传动轴承装配在立柱的上端，螺杆传动轴承上装有把手，通过转动把手可以改变下横梁在立柱上的位置，从而实现试样台高低位置的变化。本发明结构简单，装置平稳，操作方便，可以实现红外无损检测。
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公开(公告)号：CN103021889A
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN201210548640.7
申请日：2012-12-17
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L21/60
CPC classification number: H01L24/97 , H01L2224/32245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2224/92247 , H01L2224/97 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了一种再布线AAQFN封装器件的制造方法。制造形成的再布线AAQFN封装器件的引脚在封装工艺过程中采用蚀刻方法或者电镀方法形成，采用注塑或者丝网印刷方法在引脚之间的凹槽中配置绝缘填充材料，依次采用电镀和化学镀方法制作再布线层，采用塑封材料进行包封，塑封完成后，采用蚀刻方法或者机械磨削方法形成独立的引脚。制造形成的再布线AAQFN具有小的尺寸、高的I/O密度、低的制造成本和良好的可靠性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103000648A
公开(公告)日：2013-03-27
申请号：CN201210478706.X
申请日：2012-11-22
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L27/146
Abstract: 大芯片尺寸封装及其制造方法，属于传感器技术领域。在晶圆第一表面中硅衬底上方的中央设置有光学交互区，在设置有光学交互区的一面连接有金属互联结构，硅衬底上光学交互区周围的I/O通过金属互联结构连接到电极垫；金属互联结的表面设置有保护层，并在保护层上形成有台阶状的凸起或凹槽结构；晶圆的第一表面与玻璃片键合在一起，在玻璃片和晶圆之间形成空腔；晶圆的第二表面设置有TSV孔，通过TSV孔穿过硅衬底将电极垫连接到晶圆第二表面上面的焊盘垫，在TSV孔孔壁上依次制作有作钝化层和金属衬里，聚合物材料将TSV孔填充；在晶圆第二表面上制作防焊层，焊球制作在焊盘垫上。本发明改善了现有封装结构中玻璃和硅衬底之间的分层问题，提高了封装可靠性。
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公开(公告)号：CN102818765A
公开(公告)日：2012-12-12
申请号：CN201210310455.4
申请日：2012-08-28
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种用于“硅通孔”TSV-Cu结构工艺残余应力的测试方法，属于电子信息技术领域。用压头向下对实验试样中硅通孔中的铜柱进行挤压，同时记录压头向下作用时的位移和压力F，获得压力F和位移曲线，得到压力F下降时的门槛值，并将压力F的门槛值代入压力和界面切应力转换公式中，便得到镀铜工艺制作的硅通孔结构TSV-Cu中铜和硅界面处发生滑移时的切应力门槛值τ0；由切应力门槛值τ0计算得到本发明所需要测量的“硅通孔”TSV-Cu残余应力。本发明最大程度保持试样的完整性，不对试样进行切割等影响残余应力释放的操作，测试结果更加精确，同时残余应力的计算方法简单可靠，可以直观的判断残余应力的正负。
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公开(公告)号：CN102420205A
公开(公告)日：2012-04-18
申请号：CN201110344525.3
申请日：2011-11-04
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L23/495 , H01L23/31 , H01L21/56 , H01L21/60
CPC classification number: H01L24/97 , H01L24/73 , H01L2224/32245 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2224/97 , H01L2924/14 , H01L2924/181 , H01L2924/30107 , H01L2924/3011 , H01L2224/85 , H01L2924/00012 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了一种先进四边扁平无引脚封装及制造方法。本先进四边扁平无引脚封装包括芯片载体，引脚，金属材料层，IC芯片，绝缘填充材料，粘贴材料，金属导线和塑封材料。芯片载体具有凹槽结构和用于接地的引脚，多个引脚在封装件结构中呈面阵排列分布。金属材料层配置于芯片载体和多个引脚的上表面和下表面位置。IC芯片配置于芯片载体上表面位置的金属材料层上，或者配置于多个引脚上表面位置的金属材料层上。绝缘填充材料配置于多个引脚的台阶式结构下和芯片载体的凹槽中。通过塑封材料包覆密封形成封装件，暴露出封装件结构底面的芯片载体和外引脚具有凸起部分。本发明突破了低I/O数量瓶颈，提高封装可靠性。
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公开(公告)号：CN103165475A
公开(公告)日：2013-06-19
申请号：CN201210548637.5
申请日：2012-12-17
Applicant: 北京工业大学
CPC classification number: H01L24/97 , H01L2224/32245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48095 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2224/73265 , H01L2224/92247 , H01L2224/97 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明公开了一种半导体封装器件的制造方法。制造形成的QFN半导体封装器件的芯片载荷和引脚无需基于事先制作成型的引线框架结构，而是在封装工艺过程中，有机结合蚀刻、电镀、化学镀方法形成具有的台阶结构的芯片载体和引脚，采用塑封材料进行包封，塑封完成后，采用蚀刻或者机械磨削方法形成独立的芯片载体和引脚。
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公开(公告)号：CN103050452A
公开(公告)日：2013-04-17
申请号：CN201210550161.9
申请日：2012-12-17
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L23/31 , H01L23/495 , H01L21/56 , H01L21/60
CPC classification number: H01L24/97 , H01L24/73 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/48227 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2224/97 , H01L2924/15311 , H01L2224/85 , H01L2924/00012 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了一种再布线高密度AAQFN封装器件及其制造方法。制造形成的再布线高密度AAQFN封装器件的引脚在封装工艺过程中采用蚀刻或者电镀方法形成，采用注塑或者丝网印刷方法在引脚之间的凹槽中配置绝缘填充材料，采用蚀刻方法制作再布线层，并形成独立的引脚，采用塑封材料进行包封，塑封完成后，采用化学镀方法在引脚表面制作第二金属材料层。制造形成的再布线高密度AAQFN具有小的尺寸、高的I/O密度、低的制造成本和良好的可靠性。
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