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公开(公告)号：CN1349240A
公开(公告)日：2002-05-15
申请号：CN01140097.8
申请日：2001-11-27
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种场发射阴极及其制造方法和应用,属于纳米技术领域和平面场发射阴极技术领域。本发明的场发射阴极是金属纳米线阵列,是在金属平面电极基底上生长与基底相同金属的纳米线阵列;基底厚度为1μm～0.5mm,纳米线直径为20～200nm,长度为100～500nm。制造步骤包括:(1)按照显示器件尺寸要求选用纳米孔模板;(2)在所选纳米孔模板的一面蒸发－电镀制造金属薄膜电极;(3)在纳米孔模板的纳米孔中电化学生长金属纳米线阵列;(4)清洗烘干后溶去部分或全部模板,露出金属纳米线。本发明的场发射阴应用于阴极射线管和平板显示器。本发明的场发射阴极启始场强低,电流密度大,制备简单,成本低。
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公开(公告)号：CN1030417C
公开(公告)日：1995-11-29
申请号：CN92112947.5
申请日：1992-11-13
Applicant: 中国科学院北京真空物理实验室 , 北京大学
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种光电发射薄膜的制备方法与应用，属于半导体器件领域。此种薄膜含有银、钡、氧三种元素，用真空系统中通电加热蒸发钡源和银源，使其沉积并激活的方法制备。此种薄膜可存放于大气能在真空仪器中恢复光电发射而无需重新激活，并可以在较高温度环境下工作，具有较高灵敏度。它可以作为光电发射薄膜材料，用于皮秒级激光脉冲检测及高亮度阴极，还可用于变相管等。
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公开(公告)号：CN100411866C
公开(公告)日：2008-08-20
申请号：CN200510011678.0
申请日：2005-04-30
Applicant: 北京大学
IPC: B32B5/08
Abstract: 本发明提供了一种碳纤维复合单根碳纳米管，由碳纳米管、锥状碳纤维和基底组成，其特征在于，所述的碳纳米管垂直生长于基底上，并包裹在锥状碳纤维中，同时在锥状碳纤维的顶端探出形成针尖状。本发明还提供了制备所述的碳纤维复合单根碳纳米管的方法，包括步骤：(1)将基底清洗干净；(2)将过渡金属催化剂附着在基底表面；(3)将基底置于可抽真空的加热设备中作为电极之一，并与另一电极接触；(4)将加热设备抽真空后，缓慢通入还原气体与碳源气体的混合气；(5)当加热设备达到一定压强时，在两电极之间加电流，使基底温度达到1600℃至2400℃范围内某一值并保持30至120秒，然后切断电源；(6)继续通入还原气体，直到基底冷却。
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公开(公告)号：CN1127113C
公开(公告)日：2003-11-05
申请号：CN01109133.9
申请日：2001-03-09
Applicant: 北京大学
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种掺杂稀土元素的纳米粒子/介质复合光电薄膜及其制备方法和用途，属于半导体器件领域。稀土纳米粒子和金属Ag纳米粒子均匀地埋藏在半导体介质BaO中。其制备方法是在传统的制备Ag-BaO薄膜工艺中按体积比Ba∶Ag∶稀土＝7∶3∶1蒸发沉积适量的稀土元素，形成掺杂稀土的Ag-BaO薄膜。本发明的薄膜可作为光电发射薄膜材料，用于各种光电阴极中，进行光电检测，超快光电信号转换等。
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公开(公告)号：CN1319866A
公开(公告)日：2001-10-31
申请号：CN01109133.9
申请日：2001-03-09
Applicant: 北京大学
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种掺杂稀土元素的纳米粒子/介质复合光电薄膜及其制备方法和用途,属于半导体器件领域。稀土纳米粒子和金属Ag纳米粒子均匀地埋藏在半导体介质BaO中。其制备方法是在传统的制备Ag－BaO薄膜工艺中按体积比Ba∶Ag∶稀土=7∶3∶1蒸发沉积适量的稀土元素,形成掺杂稀土的Ag－BaO薄膜。本发明的薄膜可作为光电发射薄膜材料,用于各种光电阴极中,进行光电检测,超快光电信号转换等。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1931422A
公开(公告)日：2007-03-21
申请号：CN200510086422.6
申请日：2005-09-14
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提出一种将碳纳米管应用于能源领域的新方法，利用纳米材料的“超级光吸收效应”，以及水在碳纳米管中的特殊存在状态，对含水的碳纳米管体系施加光照射，产生氢气(H2)、一氧化碳(CO)、甲烷(CH4)、乙烷(C2H6)等燃料气体。本发明还提出一种制备新型光控燃料气体源的制备装置结构，在此基础上提出几个典型的应用装置。光控燃料气体源的制备装置包括：可抽真空的容器、碳纳米管样品、电光源及其控制电路，以及用于抽真空、进水汽和取燃料气体的阀门；电光源封接在容器内，碳纳米管放在容器中，控制电路连接电光源。它可以与不同类型的应用装置相连通。
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公开(公告)号：CN1403851A
公开(公告)日：2003-03-19
申请号：CN02146377.8
申请日：2002-10-30
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供了一种金属纳米粒子－半导体介质复合薄膜，该复合薄膜既有大的三阶光学非线性系数又具有极快响应速度。该复合薄膜沉积在透明基底的一侧，基质为厚度在100～200nm之间的碱金属氧化物或碱土金属氧化物等半导体介质薄膜，其中埋藏有均匀分布的直径为5～20nm的贵金属纳米粒子。该复合薄膜制备方法为：高真空条件下在透明基底的一侧沉积碱金属或碱土金属薄膜，至白光透过率下降至30％时止；氧化金属薄膜至白光透过率基本恢复，得到半导体介质薄膜；在半导体介质薄膜表面沉积贵金属薄膜；再依次进行真空中120℃半小时以上和大气中100℃一小时以上的退火处理。本发明还提供了采用该复合薄膜为克尔介质的全光克尔开关。
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公开(公告)号：CN1857915A
公开(公告)日：2006-11-08
申请号：CN200510011678.0
申请日：2005-04-30
Applicant: 北京大学
IPC: B32B5/08
Abstract: 本发明提供了一种碳纤维复合单根碳纳米管，由碳纳米管、锥状碳纤维和基底组成，其特征在于，所述的碳纳米管垂直生长于基底上，并包裹在锥状碳纤维中，同时在锥状碳纤维的顶端探出形成针尖状。本发明还提供了制备所述的碳纤维复合单根碳纳米管的方法，包括步骤：(1)将基底清洗干净；(2)将过渡金属催化剂附着在基底表面；(3)将基底置于可抽真空的加热设备中作为电极之一，并与另一电极接触；(4)将加热设备抽真空后，缓慢通入还原气体与碳源气体的混合气；(5)当加热设备达到一定压强时，在两电极之间加电流，使基底温度达到1600℃至2400℃范围内某一值并保持30至120秒，然后切断电源；(6)继续通入还原气体，直到基底冷却。
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