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公开(公告)号：CN1155980C
公开(公告)日：2004-06-30
申请号：CN01140097.8
申请日：2001-11-27
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种场发射阴极及其制造方法和应用，属于纳米技术领域和平面场发射阴极技术领域。本发明的场发射阴极是金属纳米线阵列，是在金属薄膜电极基底上生长与基底相同金属的纳米线阵列；基底厚度为1μm～0.5mm，纳米线直径为20～200nm，长度为100～500nm。制造步骤包括：(1)按照显示器件尺寸要求选用纳米孔模板；(2)在所选纳米孔模板的一面蒸发-电镀制造金属薄膜电极；(3)在纳米孔模板的纳米孔中电化学生长金属纳米线阵列；(4)清洗烘干后溶去部分或全部模板，露出金属纳米线。本发明的场发射阴极应用于阴极射线管和平板显示器。本发明的场发射阴极启始场强低，电流密度大，制备简单，成本低。
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公开(公告)号：CN1349240A
公开(公告)日：2002-05-15
申请号：CN01140097.8
申请日：2001-11-27
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种场发射阴极及其制造方法和应用,属于纳米技术领域和平面场发射阴极技术领域。本发明的场发射阴极是金属纳米线阵列,是在金属平面电极基底上生长与基底相同金属的纳米线阵列;基底厚度为1μm～0.5mm,纳米线直径为20～200nm,长度为100～500nm。制造步骤包括:(1)按照显示器件尺寸要求选用纳米孔模板;(2)在所选纳米孔模板的一面蒸发－电镀制造金属薄膜电极;(3)在纳米孔模板的纳米孔中电化学生长金属纳米线阵列;(4)清洗烘干后溶去部分或全部模板,露出金属纳米线。本发明的场发射阴应用于阴极射线管和平板显示器。本发明的场发射阴极启始场强低,电流密度大,制备简单,成本低。
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公开(公告)号：CN1193397C
公开(公告)日：2005-03-16
申请号：CN01140098.6
申请日：2001-11-27
Applicant: 北京大学
CPC classification number: B82Y10/00 , H01J1/3044 , H01J9/02 , H01J2201/30469
Abstract: 本发明涉及一种弹道电子发射源及其制备方法，包括电导体丝，单壁碳纳米管，电导体丝前端为针尖形；单壁碳纳米管直径为1-2纳米，长度为10～100纳米，将短单壁碳纳米管用物理的或化学方法组装在电导体丝针尖前端，在真空中经加热或电子束轰击处理，在电导体丝与碳纳米管交接处形成过渡区的碳化物。由于碳纳米管具有很高的强度和很好的柔性，所以本弹道电子发射源是一稳定结构的新型电子源，具有超强、高亮度、相干性和偏振性。可以应用在彩色全息电视电子源；复眼式平板显示屏；电子显微分析仪；偏振电子束；自由电子激光器；超亮光源；大气中的X光源；高能电子束手术刀等多个领域。
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公开(公告)号：CN1352461A
公开(公告)日：2002-06-05
申请号：CN01140098.6
申请日：2001-11-27
Applicant: 北京大学
CPC classification number: B82Y10/00 , H01J1/3044 , H01J9/02 , H01J2201/30469
Abstract: 本发明涉及一种弹道电子发射源及其制备方法,包括电导体丝,单壁碳纳米管,电导体丝前端为针尖形;单壁碳纳米管直径为1－2纳米,长度为10～100纳米,将短单壁碳纳米管用物理的或化学方法组装在电导体丝针尖前端,在真空中经加热或电子束轰击处理,在电导体丝与碳纳米管交接处形成过渡区的碳化物。由于碳纳米管具有很高的强度和很好的柔性,所以本弹道电子发射源是一稳定结构的新型电子源,具有超强、高亮度、相干性和偏振性。可以应用在彩色全息电视电子源;复眼式平板显示屏;电子显微分析仪;偏振电子束;自由电子激光器;超亮光源;大气中的X光源;高能电子束手术刀等多个领域。
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