公开(公告)号：CN100411728C

公开(公告)日：2008-08-20

申请号：CN200510086422.6

申请日：2005-09-14

Applicant: 北京大学

Inventor： 郭等柱 ,  薛增泉 ,  张耿民 ,  张兆祥 ,  赵兴钰 ,  张琦锋 ,  侯士敏 ,  申自勇 ,  高崧 ,  吴锦雷

IPC: B01J19/12 ,  C01B3/06 ,  C01B31/18 ,  H01M8/06

CPC classification number: Y02E60/36 ,  Y02P70/56

Abstract: 本发明提出一种将碳纳米管应用于能源领域的新方法，利用纳米材料的“超级光吸收效应”，以及水在碳纳米管中的特殊存在状态，对含水的碳纳米管体系施加光照射，产生氢气(H2)、一氧化碳(CO)、甲烷(CH4)、乙烷(C2H6)等燃料气体。本发明还提出一种制备新型光控燃料气体源的制备装置结构，在此基础上提出几个典型的应用装置。光控燃料气体源的制备装置包括：可抽真空的容器、碳纳米管样品、电光源及其控制电路，以及用于抽真空、进水汽和取燃料气体的阀门；电光源封接在容器内，碳纳米管放在容器中，控制电路连接电光源。它可以与不同类型的应用装置相连通。

公开(公告)号：CN1155980C

公开(公告)日：2004-06-30

申请号：CN01140097.8

申请日：2001-11-27

Applicant: 北京大学

Inventor： 薛增泉 ,  张葵 ,  张耿民 ,  余宁 ,  侯士敏 ,  申志勇 ,  刘惟敏 ,  赵兴钰 ,  陈清 ,  吴锦雷 ,  张兆祥 ,  彭练矛

IPC: H01J1/304 ,  H01J9/02

Abstract: 本发明公开了一种场发射阴极及其制造方法和应用，属于纳米技术领域和平面场发射阴极技术领域。本发明的场发射阴极是金属纳米线阵列，是在金属薄膜电极基底上生长与基底相同金属的纳米线阵列；基底厚度为1μm～0.5mm，纳米线直径为20～200nm，长度为100～500nm。制造步骤包括：(1)按照显示器件尺寸要求选用纳米孔模板；(2)在所选纳米孔模板的一面蒸发-电镀制造金属薄膜电极；(3)在纳米孔模板的纳米孔中电化学生长金属纳米线阵列；(4)清洗烘干后溶去部分或全部模板，露出金属纳米线。本发明的场发射阴极应用于阴极射线管和平板显示器。本发明的场发射阴极启始场强低，电流密度大，制备简单，成本低。

公开(公告)号：CN1349240A

公开(公告)日：2002-05-15

申请号：CN01140097.8

申请日：2001-11-27

Applicant: 北京大学

Inventor： 薛增泉 ,  张葵 ,  张耿民 ,  余宁 ,  侯士敏 ,  申志勇 ,  刘惟敏 ,  赵兴钰 ,  陈清 ,  吴锦雷 ,  张兆祥 ,  彭练矛

IPC: H01J1/304 ,  H01J9/02

Abstract: 本发明公开了一种场发射阴极及其制造方法和应用,属于纳米技术领域和平面场发射阴极技术领域。本发明的场发射阴极是金属纳米线阵列,是在金属平面电极基底上生长与基底相同金属的纳米线阵列;基底厚度为1μm～0.5mm,纳米线直径为20～200nm,长度为100～500nm。制造步骤包括:(1)按照显示器件尺寸要求选用纳米孔模板;(2)在所选纳米孔模板的一面蒸发－电镀制造金属薄膜电极;(3)在纳米孔模板的纳米孔中电化学生长金属纳米线阵列;(4)清洗烘干后溶去部分或全部模板,露出金属纳米线。本发明的场发射阴应用于阴极射线管和平板显示器。本发明的场发射阴极启始场强低,电流密度大,制备简单,成本低。

公开(公告)号：CN1931422A

公开(公告)日：2007-03-21

申请号：CN200510086422.6

申请日：2005-09-14

Applicant: 北京大学

Inventor： 郭等柱 ,  薛增泉 ,  张耿民 ,  张兆祥 ,  赵兴钰 ,  张琦锋 ,  侯士敏 ,  申自勇 ,  高崧 ,  吴锦雷

IPC: B01J19/12 ,  C01B3/06 ,  C01B31/18 ,  H01M8/06

CPC classification number: Y02E60/36 ,  Y02P70/56

Abstract: 本发明提出一种将碳纳米管应用于能源领域的新方法，利用纳米材料的“超级光吸收效应”，以及水在碳纳米管中的特殊存在状态，对含水的碳纳米管体系施加光照射，产生氢气(H2)、一氧化碳(CO)、甲烷(CH4)、乙烷(C2H6)等燃料气体。本发明还提出一种制备新型光控燃料气体源的制备装置结构，在此基础上提出几个典型的应用装置。光控燃料气体源的制备装置包括：可抽真空的容器、碳纳米管样品、电光源及其控制电路，以及用于抽真空、进水汽和取燃料气体的阀门；电光源封接在容器内，碳纳米管放在容器中，控制电路连接电光源。它可以与不同类型的应用装置相连通。

公开(公告)号：CN1091544C

公开(公告)日：2002-09-25

申请号：CN99103111.3

申请日：1999-03-24

Applicant: 北京大学

Inventor： 薛增泉 ,  刘惟敏 ,  顾镇南 ,  施祖进 ,  侯士敏 ,  张兆祥 ,  赵兴钰 ,  吴锦雷 ,  吴全德

IPC: H01L21/77

Abstract: 本发明属于高新科技新型纳米电子器件领域。本发明涉及碳纳米管竖立在纯净金属基底表面上的组装技术及用此技术所制造的电子器件，包括阵列场发射电子源，场发射平板显示器件，扫描探针显微镜(SPM)的针尖，场发射电子显微镜(FEM)的样品，测试碳纳米管特性的装置和利用此技术产生的量子特性与负阻特性曲线制造纳米电子放大器、振荡器和电子开关器件。

公开(公告)号：CN1241813A

公开(公告)日：2000-01-19

申请号：CN99103111.3

申请日：1999-03-24

Applicant: 北京大学

Inventor： 薛增泉 ,  刘惟敏 ,  顾镇南 ,  施祖进 ,  侯士敏 ,  张兆祥 ,  赵兴钰 ,  吴锦雷 ,  吴全德

IPC: H01L21/77

Abstract: 本发明属于高新科技新型纳米电子器件领域。本发明涉及碳纳米管竖立在纯净金属基底表面上的组装技术及用此技术所制造的电子器件,包括阵列场发射电子源,场发射平板显示器件,扫描探针显微镜(SPM)的针尖,场发射电子显微镜(FEM)的样品,测试碳纳米管特性的装置和利用此技术产生的量子特性与负阻特性曲线制造纳米电子放大器、振荡器和电子开关器件。

公开(公告)号：CN1193397C

公开(公告)日：2005-03-16

申请号：CN01140098.6

申请日：2001-11-27

Applicant: 北京大学

Inventor： 薛增泉 ,  侯士敏 ,  吴锦雷 ,  张耿民 ,  申志勇 ,  刘惟敏 ,  赵兴钰 ,  陈清 ,  彭练矛 ,  张兆祥

IPC: H01J1/02 ,  H01J9/02 ,  B82B1/00 ,  B82B3/00

CPC classification number: B82Y10/00 ,  H01J1/3044 ,  H01J9/02 ,  H01J2201/30469

Abstract: 本发明涉及一种弹道电子发射源及其制备方法，包括电导体丝，单壁碳纳米管，电导体丝前端为针尖形；单壁碳纳米管直径为1-2纳米，长度为10～100纳米，将短单壁碳纳米管用物理的或化学方法组装在电导体丝针尖前端，在真空中经加热或电子束轰击处理，在电导体丝与碳纳米管交接处形成过渡区的碳化物。由于碳纳米管具有很高的强度和很好的柔性，所以本弹道电子发射源是一稳定结构的新型电子源，具有超强、高亮度、相干性和偏振性。可以应用在彩色全息电视电子源；复眼式平板显示屏；电子显微分析仪；偏振电子束；自由电子激光器；超亮光源；大气中的X光源；高能电子束手术刀等多个领域。

公开(公告)号：CN1352461A

公开(公告)日：2002-06-05

申请号：CN01140098.6

申请日：2001-11-27

Applicant: 北京大学

Inventor： 薛增泉 ,  侯士敏 ,  吴锦雷 ,  张耿民 ,  申志勇 ,  刘惟敏 ,  赵兴钰 ,  陈清 ,  彭练矛 ,  张兆祥

IPC: H01J1/02 ,  H01J9/02 ,  B82B1/00 ,  B82B3/00

CPC classification number: B82Y10/00 ,  H01J1/3044 ,  H01J9/02 ,  H01J2201/30469

Abstract: 本发明涉及一种弹道电子发射源及其制备方法,包括电导体丝,单壁碳纳米管,电导体丝前端为针尖形;单壁碳纳米管直径为1－2纳米,长度为10～100纳米,将短单壁碳纳米管用物理的或化学方法组装在电导体丝针尖前端,在真空中经加热或电子束轰击处理,在电导体丝与碳纳米管交接处形成过渡区的碳化物。由于碳纳米管具有很高的强度和很好的柔性,所以本弹道电子发射源是一稳定结构的新型电子源,具有超强、高亮度、相干性和偏振性。可以应用在彩色全息电视电子源;复眼式平板显示屏;电子显微分析仪;偏振电子束;自由电子激光器;超亮光源;大气中的X光源;高能电子束手术刀等多个领域。