公开(公告)号：CN1155980C

公开(公告)日：2004-06-30

申请号：CN01140097.8

申请日：2001-11-27

Applicant: 北京大学

Inventor： 薛增泉 ,  张葵 ,  张耿民 ,  余宁 ,  侯士敏 ,  申志勇 ,  刘惟敏 ,  赵兴钰 ,  陈清 ,  吴锦雷 ,  张兆祥 ,  彭练矛

IPC: H01J1/304 ,  H01J9/02

Abstract: 本发明公开了一种场发射阴极及其制造方法和应用，属于纳米技术领域和平面场发射阴极技术领域。本发明的场发射阴极是金属纳米线阵列，是在金属薄膜电极基底上生长与基底相同金属的纳米线阵列；基底厚度为1μm～0.5mm，纳米线直径为20～200nm，长度为100～500nm。制造步骤包括：(1)按照显示器件尺寸要求选用纳米孔模板；(2)在所选纳米孔模板的一面蒸发-电镀制造金属薄膜电极；(3)在纳米孔模板的纳米孔中电化学生长金属纳米线阵列；(4)清洗烘干后溶去部分或全部模板，露出金属纳米线。本发明的场发射阴极应用于阴极射线管和平板显示器。本发明的场发射阴极启始场强低，电流密度大，制备简单，成本低。

公开(公告)号：CN1349240A

公开(公告)日：2002-05-15

申请号：CN01140097.8

申请日：2001-11-27

Applicant: 北京大学

Inventor： 薛增泉 ,  张葵 ,  张耿民 ,  余宁 ,  侯士敏 ,  申志勇 ,  刘惟敏 ,  赵兴钰 ,  陈清 ,  吴锦雷 ,  张兆祥 ,  彭练矛

IPC: H01J1/304 ,  H01J9/02

Abstract: 本发明公开了一种场发射阴极及其制造方法和应用,属于纳米技术领域和平面场发射阴极技术领域。本发明的场发射阴极是金属纳米线阵列,是在金属平面电极基底上生长与基底相同金属的纳米线阵列;基底厚度为1μm～0.5mm,纳米线直径为20～200nm,长度为100～500nm。制造步骤包括:(1)按照显示器件尺寸要求选用纳米孔模板;(2)在所选纳米孔模板的一面蒸发－电镀制造金属薄膜电极;(3)在纳米孔模板的纳米孔中电化学生长金属纳米线阵列;(4)清洗烘干后溶去部分或全部模板,露出金属纳米线。本发明的场发射阴应用于阴极射线管和平板显示器。本发明的场发射阴极启始场强低,电流密度大,制备简单,成本低。