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公开(公告)号：CN101311349A
公开(公告)日：2008-11-26
申请号：CN200810101189.8
申请日：2008-02-29
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种具有三维凹陷结构的硅及其制备方法，属于半导体材料及其制备领域。本发明具有三维凹陷结构的硅的三维结构具有类似于倒屋顶的外形，即，顶面为长方形，侧面为两对相同大小的三角形和梯形，顶面长方形的长度等于该倒屋顶形的屋脊长度和顶面长方形的宽度的和，特别的，当倒屋顶形的屋脊长度为零时，该倒屋顶形退化为倒金字塔形。本发明同时提供了一种通过气相沉积方法制备上述具有三维凹陷结构的硅的方法。和现有技术相比，本发明的优势在于：制备所需原料非常廉价；制备步骤简单；制备参数容易控制；生成的产物形貌平整，结晶良好，且具有规则的硅的三维立体结构。
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公开(公告)号：CN100411866C
公开(公告)日：2008-08-20
申请号：CN200510011678.0
申请日：2005-04-30
Applicant: 北京大学
IPC: B32B5/08
Abstract: 本发明提供了一种碳纤维复合单根碳纳米管，由碳纳米管、锥状碳纤维和基底组成，其特征在于，所述的碳纳米管垂直生长于基底上，并包裹在锥状碳纤维中，同时在锥状碳纤维的顶端探出形成针尖状。本发明还提供了制备所述的碳纤维复合单根碳纳米管的方法，包括步骤：(1)将基底清洗干净；(2)将过渡金属催化剂附着在基底表面；(3)将基底置于可抽真空的加热设备中作为电极之一，并与另一电极接触；(4)将加热设备抽真空后，缓慢通入还原气体与碳源气体的混合气；(5)当加热设备达到一定压强时，在两电极之间加电流，使基底温度达到1600℃至2400℃范围内某一值并保持30至120秒，然后切断电源；(6)继续通入还原气体，直到基底冷却。
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公开(公告)号：CN100349803C
公开(公告)日：2007-11-21
申请号：CN200610011721.8
申请日：2006-04-04
Applicant: 北京大学
IPC: C01G41/02
Abstract: 一种氧化钨微米管及其制备方法。所述的微米管截面呈六重对称，直径为1至6微米，长度为5至10微米。所述的制备方法包括步骤：(1)将钨基底和水分别置于可加热的反应腔室中；(2)通入保护气体，除去反应腔室内空气，并使腔内压强保持在0.35至0.45MPa之间；(3)加热，使反应腔室内温度达到1100-1300℃，并保持30-45分钟，在钨基底上生长氧化钨微米管，其化学成分为WO3·xH2O；(4)反应腔室内温度自然降至室温，微米管的化学成分由WO3·xH2O脱水而成为六角型氧化钨：h-WO3。
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公开(公告)号：CN112187359B
公开(公告)日：2022-11-25
申请号：CN202011128386.6
申请日：2020-10-20
Applicant: 北京大学
IPC: H04B10/116 , H04B10/516
Abstract: 本发明涉及一种适用于非对称可见光通信的调制方法及装置，所述调制装置，至少包括控制器和至少一个调制器，所述控制器配置为以所述调制器其改变光信号状态的趋势构建表示信息的第一符号/第一波形。通过该设置方式，本发明能够以调制器其改变光信号状态的趋势，例如，上升、下降、下降到上升等构建第一符号/第一波形来进行调制，不用等待调制器完全结束其状态转换就能调制，进而提高通信的数据传输速率。
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公开(公告)号：CN112187359A
公开(公告)日：2021-01-05
申请号：CN202011128386.6
申请日：2020-10-20
Applicant: 北京大学
IPC: H04B10/116 , H04B10/516
Abstract: 本发明涉及一种适用于非对称可见光通信的调制方法及装置，所述调制装置，至少包括控制器和至少一个调制器，所述控制器配置为以所述调制器其改变光信号状态的趋势构建表示信息的第一符号/第一波形。通过该设置方式，本发明能够以调制器其改变光信号状态的趋势，例如，上升、下降、下降到上升等构建第一符号/第一波形来进行调制，不用等待调制器完全结束其状态转换就能调制，进而提高通信的数据传输速率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112019271A
公开(公告)日：2020-12-01
申请号：CN202010695848.6
申请日：2020-07-17
Applicant: 北京大学
IPC: H04B10/116 , H04B10/54 , H04L1/00
Abstract: 本发明涉及一种基于逆反射可见光通信的数据传输方法及装置，所述方法包括：光标签逆反射读写器发送的光信号并通过光调制单元阻挡或通过所述光信号的方式调制所述光信号，在所述光调制单元因非线性的响应时间使得所述光调制单元无法在阻挡光信号的第一状态和通过光信号的第二状态之间立即切换的情况下，所述光标签基于所述光调制单元的第一状态和第二状态之间光信号明暗变化的趋势进行调制。通过该设置方式，本发明不必等到光调制单元完全进入到第一状态和第二状态就能调制信号，突破了光调制单元本身的响应时间的限制。
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公开(公告)号：CN109308942A
公开(公告)日：2019-02-05
申请号：CN201811080137.7
申请日：2018-09-17
Applicant: 北京大学深圳医院
Abstract: 本发明公开了一种医院人事管理系统，包括服务器端、医护端及人事管理端，服务器端用于存储和管理人事信息；医护端包括资料管理模块、申请模块及查询模块，资料管理模块用以录入个人相关信息并提交人事申请至服务器端，申请模块用以提交人事申请至服务器端，查询模块用以从服务端查询与其权限相匹配的人事信息；人事管理端包括人事审核模块、人员变动管理模块及人事查询模块，人事审核模块用以对个人相关信息及人事申请进行审核，人员变动管理模块用以对入职及离职人员的进行统计管理，人事查询模块用以从服务器端查询人事信息。本发明可以实现对医院人事进行精细化的管理，确保医院医疗事务更加有序的展开。
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公开(公告)号：CN106581700A
公开(公告)日：2017-04-26
申请号：CN201611095338.5
申请日：2016-12-02
Applicant: 北京大学 , 国家纳米科学中心 , 中国科学院生物物理研究所
CPC classification number: A61K51/025 , A61K51/088
Abstract: 本发明提供了一种靶向HER2的新型多肽放射性药物及其制备方法和应用，所述靶向HER2的新型多肽放射性药物包括HYLF8多肽和放射性核素99mTc，所述HYLF8多肽是将多肽YLFFVFER与双功能螯合剂HYNIC连接，即HYNIC‑YLFFVFER；所述放射性核素99mTc通过双功能螯合剂HYNIC标记所述HYLF8多肽，即得到所述靶向HER2的新型多肽放射性药物，即99mTc‑HYLF8，所述靶向HER2的新型多肽放射性药物为无色透明液体针剂。
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公开(公告)号：CN101311348B
公开(公告)日：2010-12-08
申请号：CN200810101188.3
申请日：2008-02-29
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种具有三维中空结构的硅及其制备方法，属于半导体材料及其制备领域。本发明具有三维中空结构的硅的三维结构具有类似于屋顶的外形，即，底面为长方形，侧面为两对相同大小的三角形和梯形，底面长方形的长度等于该屋顶形的屋脊长度和底面长方形的宽度的和，特别的，当屋顶形的屋脊长度为零时，该屋顶形退化为正四棱锥形，也可以称为金字塔形。上述三维结构的内部是空心的。本发明同时提供了一种通过气相沉积方法制备上述具有三维中空结构的硅的方法。和现有技术相比，本发明的优势在于：制备所需原料非常廉价；制备步骤简单；易于重复；制备参数容易控制；生成的产物结晶良好，且具有规则的三维立体结构。
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公开(公告)号：CN101311348A
公开(公告)日：2008-11-26
申请号：CN200810101188.3
申请日：2008-02-29
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种具有三维中空结构的硅及其制备方法，属于半导体材料及其制备领域。本发明具有三维中空结构的硅的三维结构具有类似于屋顶的外形，即，底面为长方形，侧面为两对相同大小的三角形和梯形，底面长方形的长度等于该屋顶形的屋脊长度和底面长方形的宽度的和，特别的，当屋顶形的屋脊长度为零时，该屋顶形退化为正四棱锥形，也可以称为金字塔形。上述三维结构的内部是空心的。本发明同时提供了一种通过气相沉积方法制备上述具有三维中空结构的硅的方法。和现有技术相比，本发明的优势在于：制备所需原料非常廉价；制备步骤简单；易于重复；制备参数容易控制；生成的产物结晶良好，且具有规则的三维立体结构。
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