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公开(公告)号：CN118712186A
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN202411018360.4
申请日：2024-07-29
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
IPC: H01L25/075 , A01G7/04 , F21K9/235 , F21K9/90 , H01L33/48 , F21Y115/10
Abstract: 本发明公开一种用于LED植物照明的膜片光源及封装方法，依次包括上透明膜片、下透明膜片、LED发光器件和金属电极线路基板；所述LED发光器件包含阵列排布的正白色光、暖白色光、蓝色光、红色光、近红外色光的CSP LED芯片或Micro LED灯珠。本发明采用透明膜片封装技术，进行CSP LED芯片或Micro LED灯珠优化阵列排布封装制作成LED膜片光源，并将其膜片LED光源任意裁切制作成一个植物生长补光培育光源模块，从而进行LED单质光的智能控制光质、光周期、光强度和光合光子通量密度，利于植物的培育生长。
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公开(公告)号：CN106757359B
公开(公告)日：2020-10-27
申请号：CN201611110488.9
申请日：2016-12-06
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
Abstract: 本发明公开了一种用于晶体生长的调节反应釜及其控制方法，包括釜体和设在釜体内的加热器，所述釜体内至少设置一个晶体生长用坩埚和一个反应物溶液调整坩埚，该晶体生长用坩埚和反应物溶液调整坩埚通过充满反应物溶液的连通管路连接，釜体上设有升降移动控制机构，该升降移动控制机构分别与晶体生长用坩埚和反应物溶液调整坩埚连接，带动该晶体生长用坩埚和反应物溶液调整坩埚上升或下降。本发明实现反应物液体在两个坩埚间循环流动，该流动会进一步促进反应物液面的波动，增强反应物液体与氮气的进一步混合，提高材料生长速率和质量。
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公开(公告)号：CN104439724B
公开(公告)日：2016-06-29
申请号：CN201410626931.2
申请日：2014-11-10
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
IPC: B23K26/60 , B23K26/382 , B23K26/36 , B23K26/402
Abstract: 本发明公开了一种在陶瓷基板上利用激光加工导电通道的方法，包括以下步骤：清洗，对待加工的陶瓷基板进行清洗，除去该陶瓷基板表面的杂质和污垢，该陶瓷基板选用在被激光辐照下会在与激光接触的表面形成金属导电层的陶瓷基板；激光打孔，在陶瓷基板上利用激光加工出若干导通孔，在该导通孔内壁形成有金属导电层，带金属导电层的导通孔即为导电通道；激光除溶渣，利用激光扫描陶瓷基板的表面，除去陶瓷基板表面产生的溶渣，陶瓷基板的表面在被激光扫描的过程中形成导电金属层，该导电金属层将各个导通孔连接导通。本发明通过激光打孔，并且在打孔的过程中在孔壁形成金属导电层，使得该孔直接形成导电通道，能大大缩减工艺周期和工艺成本。
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公开(公告)号：CN105506624A
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：CN201510970847.7
申请日：2015-12-22
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
IPC: C23C28/02
CPC classification number: C23C28/021
Abstract: 本发明公开了一种氮化铝陶瓷基板的镀膜方法，包括步骤：S1，对待加工的氮化铝陶瓷基板进行清洗；S2，清洗完成之后，在氮化铝陶瓷基板上电镀一层渐变的TiAlN金属化合物膜层或者NiAlN金属化合物膜层；S3，在镀好的TiAlN金属化合物膜层上镀TiCu合金膜层；S4，在镀好的TiCu合金膜层上镀Cu金属膜层，完成陶瓷基板的镀膜操作。本发明提高金属与氮化铝陶瓷基板的结合力外，还可以减少工序中引入的热阻层，从而提高封装基板的导热和散热性能。
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公开(公告)号：CN105113004A
公开(公告)日：2015-12-02
申请号：CN201510550420.1
申请日：2015-09-01
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
Abstract: 本发明公开了一种三族氮化物晶体生长装置，包括反应釜，该反应釜内设有晶种模板，所述反应釜与滚动驱动装置连接，该滚动驱动装置带动反应釜转动，滚动驱动装置带动反应釜水平方向滚动，或者与水平方向成倾斜角度方向滚动。本发明有效克服了传统反应装置生长氮化物晶体过程中，N源不足的缺点，可有效避免氮化物晶体存在N空位、晶体质量差、生长速率低等问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104319345A
公开(公告)日：2015-01-28
申请号：CN201410626642.2
申请日：2014-11-10
Applicant: 北京大学东莞光电研究院 , 东莞市中皓照明科技有限公司
CPC classification number: H01L33/005 , H01L33/48 , H01L33/502 , H01L33/62 , H01L2933/0008 , H01L2933/0041
Abstract: 本发明公开了一种LED灯丝的封装方法，包括步骤：向模具内注入液态的硅树脂及荧光粉混合物，且在模具内硅树脂及荧光粉混合物的一端放置金属导电引脚；将模具加热固化后除去模具，得到一端带金属导电引脚的硅树脂及荧光粉胶体；在硅树脂及荧光粉胶体上安装若干个LED芯片，用导线将各个LED芯片连接相互并连接到金属导电引脚形成导电通路；将设置好LED芯片的硅树脂及荧光粉胶体放入模具中，并且向该模具注入液态的硅树脂及荧光粉混合物将LED芯片和导线覆盖；将模具加热固化后除去模具，得到无支架封装LED灯丝成品。本发明实现无支架封装LED灯丝，有效解决良品率低、支架透光率偏低等品质问题。
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公开(公告)号：CN108799851A
公开(公告)日：2018-11-13
申请号：CN201810442994.0
申请日：2018-05-10
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
IPC: F21K9/20 , F21V19/00 , F21K9/68 , F21K9/69 , F21K9/64 , F21K9/60 , F21K9/61 , F21Y115/10 , F21Y113/13
CPC classification number: F21K9/20 , F21K9/60 , F21K9/61 , F21K9/64 , F21K9/68 , F21K9/69 , F21V19/001 , F21Y2113/13 , F21Y2115/10
Abstract: 本发明公开了一种发光装置和光源成像系统，包装光源，所述光源包括发光元件阵列和具有入光口的复合抛物面集光器；发光元件阵列设在复合抛物面集光器的入光口处，使得复合抛物面集光器对来自发光元件阵列的光束进行收集，发光元件阵列中各发光元件的发光面积之和大于或者等于复合抛物面集光器的入光口的面积的50%。本发明能够出射较高亮度的光束，提高出光效率。
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公开(公告)号：CN105063730B
公开(公告)日：2017-04-19
申请号：CN201510410911.6
申请日：2015-07-14
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
IPC: C25D17/20
Abstract: 本发明公开了一种电镀滚筒，包括筒体和轴承管，该筒体两端装有带齿的边板，轴承管沿筒体的轴线方向设置在筒体内，且该轴承管的两端穿过边板裸露在筒体外，轴承管与边板间为活动装接，筒体侧壁上设有流通孔，所述筒体内设有阳极板和支管，阳极板固定在支管尾端，该支管固定装接在轴承管上，阳极板与阳极线连接，筒体侧壁和边板均与阴极线连接，筒体内壁设有用于放置基板的卡槽机构。本发明能够对基板上的孤立金属线路图形进行直接加厚，提高电镀金属膜层的均匀性，缩短了工序流程，节约成本。
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公开(公告)号：CN105586605A
公开(公告)日：2016-05-18
申请号：CN201510983634.8
申请日：2015-12-24
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
Abstract: 本发明公开了一种五金器件盲孔的清洗方法，包括步骤：将待清洗的五金器件放置在密闭容器内，容器内填充有能够溶解油污的有机溶剂；对该容器进行抽真空处理，使容器内为真空环境；在真空条件下，使该五金器件在容器内持续翻转，持续时间T，使有机溶剂不断进入和涌出五金器件的盲孔中；五金器件在容器内持续翻转时间T后，停止对容器抽真空处理，往容器内引入气体，使容器内的气压和外界气压相等，从而取出五金器件，完成对该五金器件的清洗。本发明清洗方便彻底，有效提高后面工序电镀膜层的结合力减少孔内膜层发黑，提高电镀膜层的厚度和均匀度。
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公开(公告)号：CN105543794A
公开(公告)日：2016-05-04
申请号：CN201510949824.8
申请日：2015-12-18
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
CPC classification number: C23C14/352 , C23C14/505
Abstract: 本发明公开了一种陶瓷基板双面镀膜装置，包括依次装接连通的进片室、镀膜室和出片室，所述镀膜室包括室体，该室体底部的两侧活动设有转动辊，室体外设有驱动器，该驱动器通过连接件与转动辊连接以控制该转动辊的转动，转动辊上活动放置有用于传输陶瓷基板的衬底夹具板，该衬底夹具板内设有转动支架，室体上设有电机，该电机通过连接件与转动支架连接以控制该转动支架的转动，室体顶部内壁上安装有耙材。本发明利用转动支架实现陶瓷基板的翻转，从而实现双面镀膜，有效降低设备制造和维护成本，提高陶瓷基板的镀膜效率。
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