公开(公告)号：CN113169221B

公开(公告)日：2023-06-27

申请号：CN202080006544.2

申请日：2020-07-17

Applicant: 北京大学深圳研究生院

Inventor： 李龙飞 ,  刘保良 ,  林信南

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/08 ,  H01L29/10 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 一种无结纳米线场效应晶体管，包括无结纳米线(100)，无结纳米线(100)包括沿其轴线方向依次定义的源区(101)、沟道区(103)和漏区(102)；沟道区(103)为不掺杂或轻掺杂，源区(101)、漏区(102)和沟道区(103)掺杂类型相同。源区(101)和漏区(102)的掺杂浓度大于沟道区(103)的掺杂浓度。一种无结纳米线场效应晶体管的制造方法，包括形成无结纳米线(100)，对沟道区(103)进行轻掺杂或不掺杂，使用掺杂工艺对源区(101)和漏区(102)进行与沟道区(103)的掺杂类型相同的掺杂，且掺杂浓度大于沟道区(103)的掺杂浓度，使得源极金属层(301)和漏极金属层(302)与半导体体硅接触时由肖特基势垒引起的接触电阻降低，增大器件的开态电流与跨导，抑制随机掺杂引起的波动。

公开(公告)号：CN115115041B

公开(公告)日：2025-05-02

申请号：CN202210340931.0

申请日：2022-03-28

Applicant: 北京大学深圳研究生院

Inventor： 张立宁 ,  刘保良 ,  陈旭辉 ,  彭宝康 ,  黄如

IPC: G06N3/065 ,  G06N3/049 ,  G06N3/084

Abstract: 本申请涉及一种神经网络电路，包括多个神经元电路，以及多个电子突触电路，其中所述电子突触电路中的至少一个配置为从一个突触前神经元电路接收输入和控制信号，并接收一个突触后神经元电路的反馈信号；其中，所述电子突触电路至少包括开关单元、输入单元以及权值计算单元。本申请还涉及一种包含如前述的神经网络电路的电子系统和一种电子设备。

公开(公告)号：CN115146770A

公开(公告)日：2022-10-04

申请号：CN202210870776.3

申请日：2022-07-22

Applicant: 北京大学深圳研究生院

Inventor： 张立宁 ,  冯宁 ,  刘保良 ,  黄如

IPC: G06N3/063 ,  G06N3/06 ,  G06N3/04

Abstract: 一种基于铁电隧穿结的电子突触电路及神经网络。本申请涉及一种神经网络电路，包括多个神经元电路，以及多个电子突触电路，其中所述电子突触电路中的至少一个配置为从一个突触前神经元电路接收第一输入信号、第二输入信号和控制信号，并接收一个突触后神经元电路的反馈信号；其中，所述电子突触电路至少包括开关单元、输入单元以及权值计算单元；本申请还涉及一种包含如前述的神经网络电路的电子系统和一种电子设备。

公开(公告)号：CN115146770B

公开(公告)日：2025-04-18

申请号：CN202210870776.3

申请日：2022-07-22

Applicant: 北京大学深圳研究生院

Inventor： 张立宁 ,  冯宁 ,  刘保良 ,  黄如

IPC: G06N3/063 ,  G06N3/06 ,  G06N3/0464

Abstract: 一种基于铁电隧穿结的电子突触电路及神经网络电路。本申请涉及一种神经网络电路，包括多个神经元电路，以及多个电子突触电路，其中所述电子突触电路中的至少一个配置为从一个突触前神经元电路接收第一输入信号、第二输入信号和控制信号，并接收一个突触后神经元电路的反馈信号；其中，所述电子突触电路至少包括开关单元、输入单元以及权值计算单元；本申请还涉及一种包含如前述的神经网络电路的电子系统和一种电子设备。

公开(公告)号：CN115271052A

公开(公告)日：2022-11-01

申请号：CN202210348043.3

申请日：2022-03-28

Applicant: 北京大学深圳研究生院

Inventor： 张立宁 ,  刘保良 ,  陈旭辉 ,  彭宝康 ,  黄如

IPC: G06N3/063

Abstract: 本申请涉及一种神经网络电路，包括多个神经元电路，以及多个电子突触电路，其中所述电子突触电路中的至少一个配置为从一个突触前神经元电路接收输入和控制信号，并接收一个突触后神经元电路的反馈信号；其中，所述电子突触电路至少包括开关单元、输入单元以及权值计算单元；本申请还涉及一种包含如前述的神经网络电路的电子系统和一种电子设备。

公开(公告)号：CN115115041A

公开(公告)日：2022-09-27

申请号：CN202210340931.0

申请日：2022-03-28

Applicant: 北京大学深圳研究生院

Inventor： 张立宁 ,  刘保良 ,  陈旭辉 ,  彭宝康 ,  黄如

IPC: G06N3/063 ,  G06N3/04 ,  G06N3/08

Abstract: 本申请涉及一种神经网络电路，包括多个神经元电路，以及多个电子突触电路，其中所述电子突触电路中的至少一个配置为从一个突触前神经元电路接收输入和控制信号，并接收一个突触后神经元电路的反馈信号；其中，所述电子突触电路至少包括开关单元、输入单元以及权值计算单元。本申请还涉及一种包含如前述的神经网络电路的电子系统和一种电子设备。

公开(公告)号：CN113169221A

公开(公告)日：2021-07-23

申请号：CN202080006544.2

申请日：2020-07-17

Applicant: 北京大学深圳研究生院

Inventor： 李龙飞 ,  刘保良 ,  林信南

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/08 ,  H01L29/10 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 一种无结纳米线场效应晶体管，包括无结纳米线(100)，无结纳米线(100)包括沿其轴线方向依次定义的源区(101)、沟道区(103)和漏区(102)；沟道区(103)为不掺杂或轻掺杂，源区(101)、漏区(102)和沟道区(103)掺杂类型相同。源区(101)和漏区(102)的掺杂浓度大于沟道区(103)的掺杂浓度。一种无结纳米线场效应晶体管的制造方法，包括形成无结纳米线(100)，对沟道区(103)进行轻掺杂或不掺杂，使用掺杂工艺对源区(101)和漏区(102)进行与沟道区(103)的掺杂类型相同的掺杂，且掺杂浓度大于沟道区(103)的掺杂浓度，使得源极金属层(301)和漏极金属层(302)与半导体体硅接触时由肖特基势垒引起的接触电阻降低，增大器件的开态电流与跨导，抑制随机掺杂引起的波动。