公开(公告)号：CN106783552A

公开(公告)日：2017-05-31

申请号：CN201710056998.0

申请日：2017-01-22

Applicant: 北京大学

Inventor： 彭海琳 ,  尹建波 ,  谈振军 ,  刘玉静 ,  吴金雄

IPC: H01L21/02 ,  H01L31/18 ,  H01L31/032 ,  H01L31/09

CPC classification number: Y02P70/521 ,  H01L31/18 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/0262 ,  H01L31/032 ,  H01L31/09

Abstract: 本发明公开了一种二维硒氧化铋晶体及近红外光电探测器件。该制备二维硒氧化铋晶体的方法，包括如下步骤：以Bi2O3粉末和Bi2Se3块体为原料，在基底上进行化学气相沉积，沉积完毕得到所述二维硒氧化铋晶体。用该种方法得到的二维硒氧化铋近红外探测器，被有效应用在近红外探测、显示、成像上。

公开(公告)号：CN104659152A

公开(公告)日：2015-05-27

申请号：CN201510078677.1

申请日：2015-02-13

Applicant: 北京大学

Inventor： 刘忠范 ,  尹建波 ,  王欢 ,  彭海琳

IPC: H01L31/18 ,  H01L21/02 ,  H01L31/0392

CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明公开了一种基于扭转双层石墨烯的光电探测器及其制备方法。它的制备方法包括如下步骤：1)在扭转双层石墨烯上涂覆光敏材料，然后在所述扭转双层石墨烯上刻蚀，并进行显影、定影，做出电极图案；2)将经步骤1)处理的所述扭转双层石墨烯的所述电极图案上，进行蒸镀金属得到电极，即得到所述光电探测器。本发明通过制备得到特定角度的扭转角双层石墨烯，其制备的光电探测器件具有很高迁移率，对特定波长光具有高效的光电探测效率，光电响应平均增强，且具有极低的暗电流，以及无需偏压、栅压提供额外能量的优点。

公开(公告)号：CN104659152B

公开(公告)日：2016-08-17

申请号：CN201510078677.1

申请日：2015-02-13

Applicant: 北京大学

Inventor： 刘忠范 ,  尹建波 ,  王欢 ,  彭海琳

IPC: H01L31/18 ,  H01L21/02 ,  H01L31/0392

CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明公开了一种基于扭转双层石墨烯的光电探测器及其制备方法。它的制备方法包括如下步骤：1)在扭转双层石墨烯上涂覆光敏材料，然后在所述扭转双层石墨烯上刻蚀，并进行显影、定影，做出电极图案；2)将经步骤1)处理的所述扭转双层石墨烯的所述电极图案上，进行蒸镀金属得到电极，即得到所述光电探测器。本发明通过制备得到特定角度的扭转角双层石墨烯，其制备的光电探测器件具有很高迁移率，对特定波长光具有高效的光电探测效率，光电响应平均增强，且具有极低的暗电流，以及无需偏压、栅压提供额外能量的优点。

公开(公告)号：CN119730417A

公开(公告)日：2025-03-28

申请号：CN202411793487.3

申请日：2024-12-06

Applicant: 北京石墨烯研究院 ,  北京大学

Inventor： 庞亚会 ,  刘忠范 ,  胡清梅 ,  杨嘉炜 ,  尹建波

IPC: H10F30/28 ,  H10F77/42 ,  H10F71/00 ,  G01J1/42 ,  G01J1/44 ,  G01J1/00 ,  G01J5/12 ,  G01J5/20 ,  G01J5/00

Abstract: 本发明公开了基于垂直蝶形耦合天线的双层石墨烯太赫兹探测器及其制备方法。本发明太赫兹探测器包括硅衬底；贴合在硅衬底上表面的二氧化硅支撑层；嵌入二氧化硅支撑层上表层内或贴合在上表面的底栅，包括翅状天线部分和矩形天线部分；平行设置于二氧化硅支撑层上方的顶栅，包括翅状天线部分和矩形天线部分；底栅和顶栅共同形成蝴蝶结结构，底栅和顶栅的矩形天线部分沿宽度方向半错位半重合；石墨烯部件，上下连接底栅和顶栅的矩形天线部分，包括由下至上的包裹层、双层石墨烯层和包裹层；分别连接在石墨烯部件左右两端的源电极和漏电极。本发明太赫兹探测器可在室温下实现太赫兹的探测，有效减小探测器件尺寸。