融合蛋白
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN113501881A

    公开(公告)日:2021-10-15

    申请号:CN202110661610.6

    申请日:2017-09-27

    Applicant: 北京大学

    Abstract: 本发明利用G蛋白偶联受体(GPCR)感受特定配体并发生构象改变的特点,在G蛋白偶联受体的第三胞内环中插入循环重排的荧光蛋白,将G蛋白偶联受体的构象改变转变为光学信号的变化,通过检测光学信号的变化来检测所述特定配体的浓度,以此为原理构建基于GPCR的激活的荧光探针(GRAB探针)。本发明还公开了利用GRAB探针检测特定配体的方法。

    基于图神经网络的交易欺诈检测方法及系统

    公开(公告)号:CN112396160A

    公开(公告)日:2021-02-23

    申请号:CN202011203297.3

    申请日:2020-11-02

    Abstract: 本发明提出的一种基于图神经网络的交易欺诈检测方法及系统,包括以下步骤:交易数据预处理步骤,获取交易数据并对交易数据进行预处理,获得面板形式的交易样本集;交易行为历史特征提取步骤,对交易样本集进行长短期记忆网络处理,获得交易行为历史特征;交易行为聚合特征提取步骤,对交易历史行为特征进行图卷积网络处理,获得交易行为聚合特征;预测步骤,将交易行为历史特征以及交易行为聚合特征进行全连接层处理,通过二分类进行交易节点的欺诈预测。克服了传统的交易欺诈检测方法忽略数据之间本身就存在的联系以及交易行为是时间序列数据的缺陷,确保了交易欺诈检测的全面性,并且提高了交易欺诈检测的精确性。

    一种多晶铜箔转变为单晶Cu(100)的方法

    公开(公告)号:CN105603518A

    公开(公告)日:2016-05-25

    申请号:CN201610147553.9

    申请日:2016-03-15

    Applicant: 北京大学

    CPC classification number: C30B29/02 C30B1/10

    Abstract: 本发明公开了一种多晶铜箔的表面转变为单晶Cu(100)的制备方法。该方法,包括如下步骤:1)在不通入任何气体的条件下,对铜基底进行退火处理;其中,所述铜基底具有至少两个相对的表面,且两表面之间的间距不超过50μm;2)在还原性气氛中,对步骤1)所得铜基底进行还原处理,降温,即在所述铜基底相对的表面上得到所述Cu(100)单晶。通过对铜基底的大小进行调节,可以快速不同尺寸的大面积Cu(100)单晶,制备时间短,工艺简单,与生产兼容性好。

    一种大单晶石墨烯及其制备方法

    公开(公告)号:CN104649259A

    公开(公告)日:2015-05-27

    申请号:CN201510064067.6

    申请日:2015-02-06

    Applicant: 北京大学

    Abstract: 本发明涉及一种大单晶石墨烯及其制备方法,所述制备方法包括如下步骤:1)在非还原性气体气氛下,对铜基底进行退火处理;2)在持续通入还原性气体的反应器中,对放入其中的步骤1)中所述退火处理后铜基底进行退火还原;3)采用化学气相沉积法在由所述退火还原后的两个铜基底形成间隙的基底相对的表面上沉积石墨烯,即得到所述孤立的大单晶石墨烯。还可进一步以聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)或聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)为媒介,将大单晶石墨烯转移到目标基底上,通过对石墨烯生长过程中生长时间和气体流量进行调节,可以快速制备得到孤立的大单晶石墨烯样品,无需较长的制备时间,也无需昂贵的单晶基底。

    基于G蛋白偶联受体构建的荧光探针

    公开(公告)号:CN109553687A

    公开(公告)日:2019-04-02

    申请号:CN201710892931.0

    申请日:2017-09-27

    Applicant: 北京大学

    Abstract: 本发明利用G蛋白偶联受体(GPCR)感受特定配体并发生构象改变的特点,在G蛋白偶联受体的第三胞内环中插入循环重排的荧光蛋白,将G蛋白偶联受体的构象改变转变为光学信号的变化,通过检测光学信号的变化来检测所述特定配体的浓度,以此为原理构建基于GPCR的激活的荧光探针(GRAB探针)。本发明还公开了利用GRAB探针检测特定配体的方法。

    一种多晶铜箔转变为单晶Cu(100)的方法

    公开(公告)号:CN105603518B

    公开(公告)日:2018-09-21

    申请号:CN201610147553.9

    申请日:2016-03-15

    Applicant: 北京大学

    Abstract: 本发明公开了一种多晶铜箔的表面转变为单晶Cu(100)的制备方法。该方法,包括如下步骤:1)在不通入任何气体的条件下,对铜基底进行退火处理;其中,所述铜基底具有至少两个相对的表面,且两表面之间的间距不超过50μm;2)在还原性气氛中,对步骤1)所得铜基底进行还原处理,降温,即在所述铜基底相对的表面上得到所述Cu(100)单晶。通过对铜基底的大小进行调节,可以快速不同尺寸的大面积Cu(100)单晶,制备时间短,工艺简单,与生产兼容性好。

    一种大单晶石墨烯及其制备方法

    公开(公告)号:CN104649259B

    公开(公告)日:2016-08-17

    申请号:CN201510064067.6

    申请日:2015-02-06

    Applicant: 北京大学

    Abstract: 本发明涉及一种大单晶石墨烯及其制备方法,所述制备方法包括如下步骤:1)在非还原性气体气氛下,对铜基底进行退火处理;2)在持续通入还原性气体的反应器中,对放入其中的步骤1)中所述退火处理后铜基底进行退火还原;3)采用化学气相沉积法在由所述退火还原后的两个铜基底形成间隙的基底相对的表面上沉积石墨烯,即得到所述孤立的大单晶石墨烯。还可进一步以聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)或聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)为媒介,将大单晶石墨烯转移到目标基底上,通过对石墨烯生长过程中生长时间和气体流量进行调节,可以快速制备得到孤立的大单晶石墨烯样品,无需较长的制备时间,也无需昂贵的单晶基底。

    一种基于扭转双层石墨烯的光电探测器及其制备方法

    公开(公告)号:CN104659152A

    公开(公告)日:2015-05-27

    申请号:CN201510078677.1

    申请日:2015-02-13

    Applicant: 北京大学

    CPC classification number: Y02E10/50 Y02P70/521

    Abstract: 本发明公开了一种基于扭转双层石墨烯的光电探测器及其制备方法。它的制备方法包括如下步骤:1)在扭转双层石墨烯上涂覆光敏材料,然后在所述扭转双层石墨烯上刻蚀,并进行显影、定影,做出电极图案;2)将经步骤1)处理的所述扭转双层石墨烯的所述电极图案上,进行蒸镀金属得到电极,即得到所述光电探测器。本发明通过制备得到特定角度的扭转角双层石墨烯,其制备的光电探测器件具有很高迁移率,对特定波长光具有高效的光电探测效率,光电响应平均增强,且具有极低的暗电流,以及无需偏压、栅压提供额外能量的优点。

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