公开(公告)号：CN103515466A

公开(公告)日：2014-01-15

申请号：CN201210219025.1

申请日：2012-06-26

Applicant: 北京大学

Inventor： 朱智源 ,  于民 ,  王陪权 ,  朱韫晖 ,  孙新 ,  刘晨晨 ,  马盛林 ,  金玉丰

IPC: H01L31/115 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L25/043 ,  H01L31/085 ,  H01L31/1055 ,  H01L31/1804

Abstract: 本发明公开了一种复合式ΔE-E核辐射探测器及其制造方法，属于半导体核辐射探测器技术领域。本发明的复合式ΔE-E核辐射探测器包括薄型PIN探测器，厚型PIN探测器以及两者之间的介质键合层；薄型PIN探测器与厚型PIN探测器通过介质键合层机械固定到一起，并且形成电学互连；所述薄型PIN探测器包括高阻硅基片和所述高阻硅基片上的探测窗口；所述薄型PIN探测器探测窗口包括P区，N区以及两者之间的硅层。本发明还公开了所述复合式ΔE-E核辐射探测器的制造方法。本发明可用于空间探测，核物理，医学检测，和环境检测等多个领域。

公开(公告)号：CN114899315A

公开(公告)日：2022-08-12

申请号：CN202210481275.6

申请日：2022-05-05

Applicant: 北京大学 ,  北京元芯碳基集成电路研究院 ,  北京华碳元芯电子科技有限责任公司

Inventor： 刘晨晨 ,  曹宇 ,  张志勇 ,  韩杰

IPC: H01L51/40 ,  H01L51/30 ,  H01L51/05 ,  H01L27/28 ,  B08B3/08 ,  C01B32/17

Abstract: 本公开提供了一种去除碳纳米管材料的表面聚合物的方法，包括：对碳纳米管材料进行退火处理，以使碳纳米管材料的表面聚合物转化为包括无定形碳在内的物质；将退火步骤处理之后的碳纳米管材料置于聚合物的良溶剂之中，以进行聚合物二次去除；以及对进行了聚合物二次去除的碳纳米管材料进行清洗处理，获得清洗处理之后的碳纳米管材料。本公开还提供了一种CMOS器件、CMOS反相器的制备方法。

公开(公告)号：CN114843402A

公开(公告)日：2022-08-02

申请号：CN202210482553.X

申请日：2022-05-05

Applicant: 北京大学 ,  北京元芯碳基集成电路研究院 ,  北京华碳元芯电子科技有限责任公司

Inventor： 刘晨晨 ,  曹宇 ,  张志勇 ,  韩杰

IPC: H01L51/10 ,  H01L51/05 ,  H01L51/30 ,  H01L51/40

Abstract: 本公开提供了一种基于纳米材料的N型晶体管，包括：衬底层；半导体材料层，半导体材料层设置在衬底层上，以用于形成半导体沟道区；第一金属电极，第一金属电极设置在半导体材料层上以形成源电极；以及第二金属电极，第二金属电极设置在半导体材料层上以形成漏电极；其中，半导体材料层由纳米材料形成，金属电极的底部与半导体材料层接触，衬底层与半导体材料层之间设置有疏水性材料层，以避免金属电极的底部被氧化。本公开还提供一种集成电路器件及一种晶体管的制备方法。

公开(公告)号：CN103515467A

公开(公告)日：2014-01-15

申请号：CN201210219111.2

申请日：2012-06-26

Applicant: 北京大学

Inventor： 于民 ,  朱智源 ,  王陪权 ,  董显山 ,  刘晨晨 ,  胡安琪 ,  金玉丰

IPC: H01L31/115 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L25/043 ,  H01L31/085 ,  H01L31/1055 ,  H01L31/1804

Abstract: 本发明公开了一种基于基片键合的ΔE-E核辐射探测器及其制备方法，属于半导体核辐射探测器技术领域。本发明的ΔE-E核辐射探测器包括薄型PIN探测器，厚型PIN探测器以及两者之间的金属键合层；所述薄型PIN探测器是在键合基片上形成的；所述薄型PIN探测器键合基片由器件层硅片、支撑层硅片以及两层硅片之间的二氧化硅层组成，支撑层硅片上通过TMAH腐蚀开窗口形成空腔结构，所述空腔为八边形结构，呈倒扣桶状，且空腔侧壁与底面的夹角为54.74°。本发明还公开了所述基于基片键合的ΔE-E核辐射探测器的制造方法。本发明可用于空间探测，核物理，医学检测，和环境检测等多个领域。