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公开(公告)号：CN115732396A
公开(公告)日：2023-03-03
申请号：CN202211501572.9
申请日：2022-11-28
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: H01L21/762 , H01L21/311 , H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种形成沟槽隔离结构的方法和半导体处理腔室，该方法包括提供一具有沟槽结构的衬底；在衬底的沟槽结构上沉积隔离层；对隔离层执行各向同性刻蚀步骤，各向同性刻蚀步骤用于与隔离层反应生成附着在沟槽结构内的固态副产物，且沟槽结构上部生成的固态副产物多于沟槽结构下部生成的固态副产物；对所生成的固态副产物执行升华步骤；循环执行各向同性刻蚀步骤和升华步骤至少一次，以使沟槽结构上部的隔离层的厚度小于沟槽结构下部的隔离层的厚度。本发明提供的形成沟槽隔离结构的方法和半导体处理腔室，其不仅可以有效延长硬件的使用寿命，降低设备耗材成本，同延长了设备周期性维护的时间，提升产能，还可以避免在沟槽中出现孔洞(Void)。
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公开(公告)号：CN113416945B
公开(公告)日：2022-10-21
申请号：CN202110703536.X
申请日：2021-06-24
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: C23C16/455 , C23C16/52
Abstract: 本发明提供一种进气装置及原子层沉积设备，其包括：用于向第一进气结构输送第一补偿气体的第一补偿进气结构，以能够使经由第一进气结构进入反应腔室的气体流量值等于经由第二进气结构进入反应腔室的气体流量值；以及用于向反应腔室内输送第二补偿气体的第二补偿进气结构，以能够在第一进气结构和第二进气结构停止向反应腔室输送第一前驱体和第二前驱体时，使进入反应腔室的气体流量值等于经由第一进气结构或第二进气结构进入反应腔室的气体流量值。本发明提出的进气装置及原子层沉积设备能够使前驱体和补偿气体充分混合，且不会造成反应腔室内部压力波动，以使反应腔室中的用于制备膜层的工艺气体具有良好的均匀性，从而使膜层具有良好的均匀性。
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公开(公告)号：CN105734511B
公开(公告)日：2018-07-06
申请号：CN201410757732.5
申请日：2014-12-10
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: C23C14/35
Abstract: 本发明提供一种降低磁控溅射设备沉积速率的方法及磁控溅射设备。该磁控溅射设备包括靶材、磁控管和功率源，功率源为靶材提供电能，磁控管扫描靶材的表面，通过降低功率源的功率的同时，提高磁控管的功率密度的方式降低薄膜沉积速率。本发明提供的降低磁控溅射设备沉积速率的方法，可以降低薄膜的沉积速率，适于制作厚度较薄的薄膜，而且可以提高靶材的利用率。
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公开(公告)号：CN114649242A
公开(公告)日：2022-06-21
申请号：CN202210257714.5
申请日：2022-03-16
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: H01L21/67 , H01L21/687
Abstract: 本发明提供一种半导体工艺腔室，包括腔体和设置在腔体中的工艺组件、承载盘、升降装组件、控制装置和设置在腔体底部的至少一个测距组件，控制装置用于控制测距组件对工艺组件进行测距；向腔体中传入晶圆，并控制测距组件对承载盘上方的晶圆进行测距；根据前后两次测距结果控制升降组件对晶圆进行升降，以使晶圆的顶面与工艺组件之间间隔预定距离；进行半导体工艺。本发明提供的半导体工艺方法在向腔体中传入晶圆前后控制测距组件对工艺组件进行两次测距，从而确定晶圆与工艺组件之间的距离，进而确定升降组件升降晶圆的高度，保证了晶圆的顶面与工艺组件之间间隔距离的精确性。本发明还提供一种半导体工艺方法。
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公开(公告)号：CN111235535B
公开(公告)日：2021-11-16
申请号：CN202010073789.9
申请日：2020-01-22
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
Abstract: 本发明提供了一种溅射反应腔室的工艺组件及溅射反应腔室，其中，该工艺组件包括：内衬，内衬中设置有水道，内衬包括本体部和盖板部，本体部呈环状，盖板部由本体部的底部且沿本体部径向延伸，并与本体部一体成型设置，盖板部用于在进行工艺时固定晶圆；水道设置于盖板部和本体部中。通过改变工艺组件中内衬的结构，使盖板部与内衬的本体部形成一体化的内衬结构，同时在内衬中通水冷却，实现了对盖板部区域的有效冷却，进而扩大靠近晶圆的冷却区域，从而最大限度减少了晶圆上的热量积累，保证温度的稳定，减少工艺过程中气体和杂质的释放，进一步降低薄膜应力变化，控制晶须缺陷的产生，提升产品良率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111235535A
公开(公告)日：2020-06-05
申请号：CN202010073789.9
申请日：2020-01-22
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
Abstract: 本发明提供了一种溅射反应腔室的工艺组件及溅射反应腔室，其中，该工艺组件包括：内衬，内衬中设置有水道，内衬包括本体部和盖板部，本体部呈环状，盖板部由本体部的底部且沿本体部径向延伸，并与本体部一体成型设置，盖板部用于在进行工艺时固定晶圆；水道设置于盖板部和本体部中。通过改变工艺组件中内衬的结构，使盖板部与内衬的本体部形成一体化的内衬结构，同时在内衬中通水冷却，实现了对盖板部区域的有效冷却，进而扩大靠近晶圆的冷却区域，从而最大限度减少了晶圆上的热量积累，保证温度的稳定，减少工艺过程中气体和杂质的释放，进一步降低薄膜应力变化，控制晶须缺陷的产生，提升产品良率。
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公开(公告)号：CN104752250B
公开(公告)日：2018-05-08
申请号：CN201310738716.7
申请日：2013-12-29
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
Abstract: 本发明提供一种用于检测绝缘环的检测装置及等离子体加工设备，该检测装置包括检测单元和与之电连接的检测电路，其中，检测单元采用导电材料制成，其设置在绝缘环的上表面上，检测单元与检测电路形成闭合回路，用以通过检测导电回路中的电流值和/或电压值相对闭合回路中的原电流值和/或原电压值是否发生突变来检测绝缘环状态。本发明提供的用于检测绝缘环的检测装置，其不仅可以避免对绝缘环和静电卡盘造成损坏，从而可以降低生产成本、提高经济效益；而且可以提高工艺过程的稳定性，从而可以提高工艺质量。
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公开(公告)号：CN113430502B
公开(公告)日：2022-07-22
申请号：CN202110679808.7
申请日：2021-06-18
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: C23C16/455 , H01L21/67
Abstract: 本申请实施例提供了一种半导体工艺设备及其混合进气装置。该混合进气装置包括：混合进气块及盖体组件；混合进气块内具有第一环形腔及多个进气通道，第一环形腔与顶部与多个进气通道连通，底部与盖体组件中的混气通道连通；多个进气通道均沿第一环形腔的切向延伸设置，并且多个进气通道的出气口沿第一环形腔的周向均匀分布；盖体组件的顶部居中位置设置有上述混合进气块，盖体组件的底部盖合于工艺腔室顶部，盖体组件中设置有上述混气通道，用于将混合进气块内的工艺气体再次混合并匀流后输入工艺腔室内。本申请实施例实现了在工艺气体到达晶圆表面前有效地改善工艺气体浓度分布，从而能够在有效缩短工艺时间的同时大幅改善晶圆成膜均匀性。
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公开(公告)号：CN110904424B
公开(公告)日：2022-01-07
申请号：CN201811082057.5
申请日：2018-09-17
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
Abstract: 本发明提供一种托架机构及反应腔室，托架机构包括托盘和托架臂，其中，托盘用于承载遮蔽盘，且能移动至位于反应腔室内的基座上方的遮蔽位置，或者移动至远离基座的非遮蔽位置，托盘中设有第一冷却通道；托架臂与托盘连接，且托架臂中设有第二冷却通道，第二冷却通道与第一冷却通道相连通。本发明提供的托架机构及反应腔室能够对遮蔽盘进行冷却，以减少反应腔室中气体和杂质的产生，提高晶片的薄膜沉积工艺质量，减少设备的等待时间，提高设备的利用率，避免石英窗破裂或密封变差，以增强腔室的密封性。
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公开(公告)号：CN113430502A
公开(公告)日：2021-09-24
申请号：CN202110679808.7
申请日：2021-06-18
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: C23C16/455 , H01L21/67
Abstract: 本申请实施例提供了一种半导体工艺设备及其混合进气装置。该混合进气装置包括：混合进气块及盖体组件；混合进气块内具有第一环形腔及多个进气通道，第一环形腔与顶部与多个进气通道连通，底部与盖体组件中的混气通道连通；多个进气通道均沿第一环形腔的切向延伸设置，并且多个进气通道的出气口沿第一环形腔的周向均匀分布；盖体组件的顶部居中位置设置有上述混合进气块，盖体组件的底部盖合于工艺腔室顶部，盖体组件中设置有上述混气通道，用于将混合进气块内的工艺气体再次混合并匀流后输入工艺腔室内。本申请实施例实现了在工艺气体到达晶圆表面前有效地改善工艺气体浓度分布，从而能够在有效缩短工艺时间的同时大幅改善晶圆成膜均匀性。
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