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公开(公告)号：CN114000103A
公开(公告)日：2022-02-01
申请号：CN202111027645.0
申请日：2021-09-02
Applicant: 西安交通大学 , 西安空间无线电技术研究所
Abstract: 一种二硫化钼/石墨烯复合异质结及其制备方法，包括基底1、二硫化钼层2和石墨烯层3；二硫化钼层2设置在基底1上，石墨烯层设置在二硫化钼层2上。本发明通过对磁控溅射制备MoS2/石墨烯复合异质结工艺过程的优化设计，并且结合退火工艺，以减少预制薄膜的硫空位，提高二硫化钼缓冲层的结晶质量，同时通过氩离子溅射在碳膜上形成高表面粗糙度的复合异质结薄膜，这能够有效增加二次电子与表面陷阱壁的平均碰撞次数从而抑制二次电子发射现象。
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公开(公告)号：CN114000103B
公开(公告)日：2022-12-09
申请号：CN202111027645.0
申请日：2021-09-02
Applicant: 西安交通大学 , 西安空间无线电技术研究所
Abstract: 一种二硫化钼/石墨烯复合异质结及其制备方法，包括基底1、二硫化钼层2和石墨烯层3；二硫化钼层2设置在基底1上，石墨烯层设置在二硫化钼层2上。本发明通过对磁控溅射制备MoS2/石墨烯复合异质结工艺过程的优化设计，并且结合退火工艺，以减少预制薄膜的硫空位，提高二硫化钼缓冲层的结晶质量，同时通过氩离子溅射在碳膜上形成高表面粗糙度的复合异质结薄膜，这能够有效增加二次电子与表面陷阱壁的平均碰撞次数从而抑制二次电子发射现象。
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公开(公告)号：CN113649249B
公开(公告)日：2022-10-25
申请号：CN202111027653.5
申请日：2021-09-02
Applicant: 西安交通大学 , 西安空间无线电技术研究所
Abstract: 一种纳米二硫化钼基薄膜及其制备方法，包括基片和抑制层，抑制层设置在基片上；抑制层的层数大于等于1。抑制层为二硫化钼，基片为硅基片。包括以下步骤：步骤1：将钼源和硫源溶解在装有有机溶剂和去离子水的聚四氟乙烯反应釜中密封；步骤2：将反应釜置于电热烘箱中高温反应，并收集；步骤3：进行真空冷冻干燥工艺，冻干完毕后，得到高分散性纳米二硫化钼粉体；步骤4：沉积在清洗后的基底上，得到二硫化钼/基底复合异质样品。本发明操作简单，成本低廉，条件温和、产生污染小，且借助超声分散所制得的纳米二硫化钼无团聚现象、附着性强。
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公开(公告)号：CN113718221A
公开(公告)日：2021-11-30
申请号：CN202111028757.8
申请日：2021-09-02
Applicant: 西安交通大学 , 西安空间无线电技术研究所
Abstract: 一种原子层数可控的二硫化钼薄膜及其制备方法，包括基片和抑制二次电子发射层；抑制二次电子发射层设置在基片上；抑制二次电子发射层包括若干层单原子二硫化钼层，若干层单原子二硫化钼层叠加设置。利用磁控溅射技术生长厚度可控的二硫化钼薄膜，首次实现了使用磁控溅射技术生长单层及多层的层数可通过溅射时间控制的二硫化钼薄膜，二硫化钼薄膜相对于同样是二维材料的石墨烯，通过层数调节的费米能级，且对于石墨烯的零带隙，二硫化钼薄膜具有带隙，其中二硫化钼具有直接带隙，介于二硫化钼的优点，以及其本身较低的二次电子发射系数，首次将磁控溅射制备的二硫化钼薄膜应用于对二次电子发射的抑制中，有效的降低了器件的二次电子发射系数。
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公开(公告)号：CN113737134A
公开(公告)日：2021-12-03
申请号：CN202111028756.3
申请日：2021-09-02
Applicant: 西安交通大学 , 西安空间无线电技术研究所
Abstract: 一种含有嵌套的微陷阱结构的薄膜及其制备方法，包括下层材料薄膜、上层材料薄膜和基底；下层材料薄膜设置在基底上，上层材料薄膜设置在下层材料薄膜上；下层材料薄膜原子间隙小于上层材料薄膜的原子间隙，下层材料薄膜的原子间隙嵌套进上层材料薄膜的原子间隙，形成嵌套的微陷阱结构。本发明利用磁控溅射技术生长具有嵌套的微陷阱结构的薄膜，通过控制溅射功率进而形成上下两层密度不同的薄膜，下层薄膜溅射功率小，材料密度大，原子间距小，原子间存在小空隙；而上层薄膜溅射功率大，材料密度小，原子间距较大，原子之间存在大空隙，上下两层的大小空隙组成嵌套的微陷阱结构。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113718220A
公开(公告)日：2021-11-30
申请号：CN202111028755.9
申请日：2021-09-02
Applicant: 西安交通大学 , 西安空间无线电技术研究所
Abstract: 一种铝/银掺杂碳基纳米薄膜及其制备方法，包括基片和碳基纳米薄膜；碳基纳米薄膜设置在基片上，基片为铝合金基片。包括以下步骤：步骤1：安装靶位；步骤2：关闭腔室盖子，调试磁控设备抽真空并设置好溅射的工艺参数；步骤3：设备的真空度达到生长的要求之后开始在铝合金基片进行碳和铝的共溅射的生长；步骤4：打开真空腔室盖板，将溅射生长结束的样品取出，得到铝掺杂碳基纳米薄膜。本发明铝掺杂碳制备碳基纳米薄膜，其通过晶粒位错滑移应变释放出sp3键的内应力，从而使得部分sp3杂化键向sp2杂化键转化，提高表面涂层的导电性降低微波传输中的损耗；由碳掺杂改性的机理分析，通过铝掺杂影响费米能级的位置进而可以有效降低二次电子发射系数。
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公开(公告)号：CN113649249A
公开(公告)日：2021-11-16
申请号：CN202111027653.5
申请日：2021-09-02
Applicant: 西安交通大学 , 西安空间无线电技术研究所
Abstract: 一种纳米二硫化钼基薄膜及其制备方法，包括基片和抑制层，抑制层设置在基片上；抑制层的层数大于等于1。抑制层为二硫化钼，基片为硅基片。包括以下步骤：步骤1：将钼源和硫源溶解在装有有机溶剂和去离子水的聚四氟乙烯反应釜中密封；步骤2：将反应釜置于电热烘箱中高温反应，并收集；步骤3：进行真空冷冻干燥工艺，冻干完毕后，得到高分散性纳米二硫化钼粉体；步骤4：沉积在清洗后的基底上，得到二硫化钼/基底复合异质样品。本发明操作简单，成本低廉，条件温和、产生污染小，且借助超声分散所制得的纳米二硫化钼无团聚现象、附着性强。
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公开(公告)号：CN118754065A
公开(公告)日：2024-10-11
申请号：CN202411033841.2
申请日：2024-07-30
Applicant: 西安交通大学
IPC: C01B21/072
Abstract: 一种制备公斤级氮化铝纳米片的方法及氮化铝纳米片，包括以下步骤：研磨原粉和溶剂搅拌至形成均匀的悬浊混合物；利用压力将悬浊混合物打入砂磨腔体；利用砂磨腔体的剪切力减薄研磨原粉，对砂磨完成的浆料进行溶剂和粉体分离；将分离出的粉体干燥处理后研磨收集。该技术方案针对公斤级氮化铝纳米片的制备提出了一种创新且高效的物理方法，该方法能够实现公斤级别的氮化铝纳米片生产，满足了工业应用中对于大量、高质量纳米材料的需求。利用砂磨腔体的剪切力和介质球的高能碰撞，显著提高了研磨效率，使得制备过程更加快速和可控。
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公开(公告)号：CN119202651A
公开(公告)日：2024-12-27
申请号：CN202410899960.X
申请日：2024-07-05
Applicant: 西安交通大学 , 国网江苏省电力有限公司南京供电分公司
IPC: G06F18/213 , G01R31/12 , G06F18/2131 , G06F18/10 , G06V10/28 , G06V10/40 , G06V10/54
Abstract: 本发明属于特征参数提取技术领域，公开了一种超声波信号的特征参数提取方法及相关装置，方法包括：获取局部放电引发的超声波信号，得到的局放信号的相位分辩的局部放电PRPD谱图和时域图，根据局放信号的相位分辩的局部放电PRPD谱图得到放电参数的二维谱图；对局放信号的时域图运用小波变换处理，得到不同类型的局放时频谱图；对时频谱图进行灰度化得到灰度图，对二维谱图的统计特征、灰度图像的矩特征和纹理特征、放电脉冲的时频特征进行提取。本发明可以提供多维度互补且较为完备的特征参数，用于局部放电模式识别的输入，减少训练过程中引入的高维误差，提高训练效率。
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公开(公告)号：CN117098446A
公开(公告)日：2023-11-21
申请号：CN202310552079.8
申请日：2023-05-16
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 制备超大尺寸低损耗功耗柔性微波器件的方法及系统，包括：步骤1，选用氟晶云母片作为基底；步骤2，将步骤1中固定了柔性基底的托盘传送至磁控溅射氧化物室中，进行了YIG材料的沉积，得到大尺度柔性YIG薄膜；步骤3，将大尺度柔性YIG薄膜转送至金属室，在表面沉积金属层，得到柔性金属氧体薄膜；步骤4，将得到的柔性金属氧体薄膜进行光刻，制备得到柔性微波霍尔器件，并进行二次光刻，生长测试电极。本发明提供的柔性YIG材料及制作方法解决了YIG材料的只能在硬质基底上生长的困境。使其具有优异微波特性，在传统调控方式外还可以使用应力调控。解决了制备高质量YIG薄膜的制备困难的问题。
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