公开(公告)号：CN103415913A

公开(公告)日：2013-11-27

申请号：CN201280012012.5

申请日：2012-02-09

Applicant: 信越半导体股份有限公司

Inventor： 佐佐木拓也 ,  桥本浩昌 ,  佐藤一弥 ,  佐藤歩

IPC: H01L21/304 ,  B24B37/24

CPC classification number: H01L21/304 ,  B24B37/08 ,  B24B37/24 ,  H01L21/02024

Abstract: 本发明是一种硅晶片的制造方法，其特征在于，具有对原料硅晶片进行双面研磨的工序，该进行双面研磨的工序是在根据化学气相生长法于原料硅晶片的一个面上生长出氧化膜后，以下述的研磨布进行研磨：对氧化膜表面侧，使用一种涂布胺基甲酸乙酯树脂后经过湿式凝固与发泡而成的仿麂皮系研磨布、或是将不织布含浸于胺基甲酸乙酯树脂中而成的丝绒系研磨布，且这些研磨布的阿斯卡C橡胶硬度为50°以上且未满90°；而对研磨未生长氧化膜的表面的一侧，使用胺基甲酸乙酯树脂单发泡体研磨布、或是将不织布含浸于胺基甲酸乙酯树脂中而成的丝绒系研磨布，且这些研磨布的阿斯卡C橡胶硬度为90°以上。由此，本发明提供了一种硅晶片的制造方法，该方法可一边抑制氧化膜的伤痕及研磨量而保持作为该掺杂物挥散防止用保护膜的品质，一边制造具有高平坦度的硅晶片。

公开(公告)号：CN101959647A

公开(公告)日：2011-01-26

申请号：CN200980106528.4

申请日：2009-02-16

Applicant: 信越半导体股份有限公司

Inventor： 上野淳一 ,  佐藤一弥 ,  小林修一

IPC: B24B37/04 ,  H01L21/304

CPC classification number: B24B37/28 ,  B24B37/042 ,  B24B37/08

Abstract: 本发明是一种双面研磨装置用载具，其特征在于：具有金属制的载具本体和环状的树脂嵌件；该金属制的载具本体，被配设在贴附有研磨布的上磨盘与下磨盘之间，并形成有保持孔，保持孔在研磨时用于保持被夹在所述上磨盘与下磨盘之间的芯片；该环状的树脂嵌件，沿着该载具本体的保持孔的内周部而被配置，而与所述要被保持的芯片的周边部连接；并且，所述载具本体的所述保持孔的内周端部具有上开的锥面，所述环状的树脂嵌件的外周部相对于所述载具本体的保持孔的锥面作成倒锥面，而所述树脂嵌件经由所述锥面而被嵌入所述载具本体的保持孔中。由此提供一种在安装树脂嵌件时载具本体不会受到损伤而能生产出具有高平坦度的芯片的双面研磨装置用载具。

公开(公告)号：CN101959647B

公开(公告)日：2012-08-08

申请号：CN200980106528.4

申请日：2009-02-16

Applicant: 信越半导体股份有限公司

Inventor： 上野淳一 ,  佐藤一弥 ,  小林修一

IPC: B24B37/28 ,  H01L21/304

CPC classification number: B24B37/28 ,  B24B37/042 ,  B24B37/08

Abstract: 本发明是一种双面研磨装置用载具，其特征在于：具有金属制的载具本体和环状的树脂嵌件；该金属制的载具本体，被配设在贴附有研磨布的上磨盘与下磨盘之间，并形成有保持孔，保持孔在研磨时用于保持被夹在所述上磨盘与下磨盘之间的芯片；该环状的树脂嵌件，沿着该载具本体的保持孔的内周部而被配置，而与所述要被保持的芯片的周边部连接；并且，所述载具本体的所述保持孔的内周端部具有上开的锥面，所述环状的树脂嵌件的外周部相对于所述载具本体的保持孔的锥面作成倒锥面，而所述树脂嵌件经由所述锥面而被嵌入所述载具本体的保持孔中。由此提供一种在安装树脂嵌件时载具本体不会受到损伤而能生产出具有高平坦度的芯片的双面研磨装置用载具。

公开(公告)号：CN102124546A

公开(公告)日：2011-07-13

申请号：CN200980132351.5

申请日：2009-07-23

Applicant: 信越半导体股份有限公司

Inventor： 佐藤一弥 ,  上野淳一 ,  小林修一 ,  工藤秀雄

IPC: H01L21/304 ,  B24B37/04

CPC classification number: B24B37/28

Abstract: 本发明提供一种双面研磨装置用载具，其特征在于，至少具备：载具母体，其配设在粘贴有研磨布的上下方磨盘之间，并形成有用于在研磨时对夹持于上述上下方磨盘之间的上述芯片进行保持的保持孔；环状树脂环，其沿此载具母体的保持孔内周而配置，与上述所保持的芯片的倒角部相接，以保护此倒角部；上述树脂环的内周具有凹状的槽，形成在该凹槽内的上下斜面与上述芯片的倒角部以剖面点接触的方式相接而保持上述芯片。这样，可提供双面研磨装置用载具、使用此载具的双面研磨装置及双面研磨方法，既可抑制因研磨布蠕动变形而造成的芯片外周塌边的产生，又可通过在研磨中使芯片自转来降低研磨面斜度的产生，从而提高平坦度。

公开(公告)号：CN103415913B

公开(公告)日：2016-03-30

申请号：CN201280012012.5

申请日：2012-02-09

Applicant: 信越半导体股份有限公司

Inventor： 佐佐木拓也 ,  桥本浩昌 ,  佐藤一弥 ,  佐藤歩

IPC: H01L21/304 ,  B24B37/24

CPC classification number: H01L21/304 ,  B24B37/08 ,  B24B37/24 ,  H01L21/02024

Abstract: 本发明是一种硅晶片的制造方法，其特征在于，具有对原料硅晶片进行双面研磨的工序，该进行双面研磨的工序是在根据化学气相生长法于原料硅晶片的一个面上生长出氧化膜后，以下述的研磨布进行研磨：对氧化膜表面侧，使用一种涂布胺基甲酸乙酯树脂后经过湿式凝固与发泡而成的仿麂皮系研磨布或是将不织布含浸于胺基甲酸乙酯树脂中而成的丝绒系研磨布，且这些研磨布的阿斯卡C橡胶硬度为50°以上且未满90°；而对研磨未生长氧化膜的表面的一侧，使用胺基甲酸乙酯树脂单发泡体研磨布或是将不织布含浸于胺基甲酸乙酯树脂中而成的丝绒系研磨布，且这些研磨布的阿斯卡C橡胶硬度为90°以上。由此，本发明提供了一种硅晶片的制造方法，该方法可一边抑制氧化膜的伤痕及研磨量而保持作为该掺杂物挥散防止用保护膜的品质，一边制造具有高平坦度的硅晶片。

公开(公告)号：CN102124546B

公开(公告)日：2013-07-24

申请号：CN200980132351.5

申请日：2009-07-23

Applicant: 信越半导体股份有限公司

Inventor： 佐藤一弥 ,  上野淳一 ,  小林修一 ,  工藤秀雄

IPC: H01L21/304 ,  B24B37/04

CPC classification number: B24B37/28

Abstract: 本发明提供一种双面研磨装置用载具，其特征在于，至少具备：载具母体，其配设在粘贴有研磨布的上下方磨盘之间，并形成有用于在研磨时对夹持于上述上下方磨盘之间的上述芯片进行保持的保持孔；环状树脂环，其沿此载具母体的保持孔内周而配置，与上述所保持的芯片的倒角部相接，以保护此倒角部；上述树脂环的内周具有凹状的槽，形成在该凹槽内的上下斜面与上述芯片的倒角部以剖面点接触的方式相接而保持上述芯片。这样，可提供双面研磨装置用载具、使用此载具的双面研磨装置及双面研磨方法，既可抑制因研磨布蠕动变形而造成的芯片外周塌边的产生，又可通过在研磨中使芯片自转来降低研磨面斜度的产生，从而提高平坦度。