公开(公告)号：CN103415913A

公开(公告)日：2013-11-27

申请号：CN201280012012.5

申请日：2012-02-09

Applicant: 信越半导体股份有限公司

Inventor： 佐佐木拓也 ,  桥本浩昌 ,  佐藤一弥 ,  佐藤歩

IPC: H01L21/304 ,  B24B37/24

CPC classification number: H01L21/304 ,  B24B37/08 ,  B24B37/24 ,  H01L21/02024

Abstract: 本发明是一种硅晶片的制造方法，其特征在于，具有对原料硅晶片进行双面研磨的工序，该进行双面研磨的工序是在根据化学气相生长法于原料硅晶片的一个面上生长出氧化膜后，以下述的研磨布进行研磨：对氧化膜表面侧，使用一种涂布胺基甲酸乙酯树脂后经过湿式凝固与发泡而成的仿麂皮系研磨布、或是将不织布含浸于胺基甲酸乙酯树脂中而成的丝绒系研磨布，且这些研磨布的阿斯卡C橡胶硬度为50°以上且未满90°；而对研磨未生长氧化膜的表面的一侧，使用胺基甲酸乙酯树脂单发泡体研磨布、或是将不织布含浸于胺基甲酸乙酯树脂中而成的丝绒系研磨布，且这些研磨布的阿斯卡C橡胶硬度为90°以上。由此，本发明提供了一种硅晶片的制造方法，该方法可一边抑制氧化膜的伤痕及研磨量而保持作为该掺杂物挥散防止用保护膜的品质，一边制造具有高平坦度的硅晶片。

公开(公告)号：CN103415913B

公开(公告)日：2016-03-30

申请号：CN201280012012.5

申请日：2012-02-09

Applicant: 信越半导体股份有限公司

Inventor： 佐佐木拓也 ,  桥本浩昌 ,  佐藤一弥 ,  佐藤歩

IPC: H01L21/304 ,  B24B37/24

CPC classification number: H01L21/304 ,  B24B37/08 ,  B24B37/24 ,  H01L21/02024

Abstract: 本发明是一种硅晶片的制造方法，其特征在于，具有对原料硅晶片进行双面研磨的工序，该进行双面研磨的工序是在根据化学气相生长法于原料硅晶片的一个面上生长出氧化膜后，以下述的研磨布进行研磨：对氧化膜表面侧，使用一种涂布胺基甲酸乙酯树脂后经过湿式凝固与发泡而成的仿麂皮系研磨布或是将不织布含浸于胺基甲酸乙酯树脂中而成的丝绒系研磨布，且这些研磨布的阿斯卡C橡胶硬度为50°以上且未满90°；而对研磨未生长氧化膜的表面的一侧，使用胺基甲酸乙酯树脂单发泡体研磨布或是将不织布含浸于胺基甲酸乙酯树脂中而成的丝绒系研磨布，且这些研磨布的阿斯卡C橡胶硬度为90°以上。由此，本发明提供了一种硅晶片的制造方法，该方法可一边抑制氧化膜的伤痕及研磨量而保持作为该掺杂物挥散防止用保护膜的品质，一边制造具有高平坦度的硅晶片。