化学气相生长装置和覆膜形成方法

    公开(公告)号:CN110527983A

    公开(公告)日:2019-12-03

    申请号:CN201910423113.5

    申请日:2019-05-21

    Inventor: 森力 山村和市

    Abstract: 本发明是在保持于反应容器内的基材(6)的表面上成膜的化学气相生长装置,在反应容器内,具有能够保持基材(6)的第1保持部件(4)、和能够与第1保持部件(4)独立地保持基材(6)的第2保持部件(5),第1保持部件(4)和第2保持部件(5)之中的至少一者的保持部件能够沿着上下方向移动。此外,本发明的覆膜形成方法包括:第一步骤,通过第1保持部件(4)而保持基材(6),在基材表面上通过化学气相生长而形成覆膜;第二步骤,通过使第1保持部件(4)和第2保持部件(5)之中的至少一者的保持部件沿着上方向和下方向之中的至少一个方向移动,通过第2保持部件(5)保持基材(6);和,第三步骤,在通过第2保持部件(5)而被保持的基材的表面上,通过化学气相生长而形成覆膜。根据本发明,能够提供能够通过1次成膜而在基材整面上形成覆膜的化学气相生长装置和覆膜形成方法。

    静电吸附装置
    2.
    发明授权

    公开(公告)号:CN100490110C

    公开(公告)日:2009-05-20

    申请号:CN200710105051.0

    申请日:2007-05-22

    CPC classification number: H01L21/6831

    Abstract: 本发明是一种静电吸附装置,其用来吸附半导体晶圆、玻璃基板等被吸附物,其特征为:形成有一绝缘层,其覆盖形成于支持基板一面上的静电吸附用电极,且作为吸附上述被吸附物的吸附面,该绝缘层是由含有碳,且含有自硅、铝、钇以及钛选出1种或2种以上的元素,且维氏硬度在Hv50~1000的热分解氮化硼所构成。本发明之静电吸附装置,在将硅晶圆或玻璃基板等被吸附物,以静电吸附于静电吸附装置载置面上,并进行加热、冷却时,能够防止晶圆吸附面或静电吸附装置载置面产生损伤,且对氟系半导体清洗气的耐蚀性优异,使用寿命增长。

    光纤母材的连接加工方法与装置以及光纤母材

    公开(公告)号:CN1882511A

    公开(公告)日:2006-12-20

    申请号:CN200480033907.2

    申请日:2004-11-18

    CPC classification number: C03B37/01205 C03B23/207

    Abstract: 提供一种使大口径的光纤母材与拟设构件的端部以加热熔融将两者加以熔着连接之际,在连接部分不产生破裂或龟裂,以在短时间可加以简单连接的光纤母材的连接加工方法与装置以及光纤母材为目的。在使光纤母材1与拟设构件2或者两支光纤母材1或拟设构件2彼此的端部以加热熔融使两者加以熔着连接的光纤母材1的连接加工方法,其特征在于,至少以把持机构把持一方的被熔着体的端部以使两者加以对向,将两者的间隔在1-20mm的范围内加以选择,使两被熔着体的端部加热熔融将两者加以熔着连接。

    覆碳化钽的碳材料和其制造方法、半导体单晶制造装置用构件

    公开(公告)号:CN109896515B

    公开(公告)日:2023-12-22

    申请号:CN201811468226.9

    申请日:2018-12-03

    Abstract: 本发明涉及覆碳化钽的碳材料和其制造方法、半导体单晶制造装置用构件。[课题]提供制品寿命长的半导体单晶制造装置用构件和覆碳化钽的碳材料。[解决方案]本发明的覆碳化钽的碳材料的特征在于,其为用以碳化钽为主成分的碳化钽覆膜覆盖碳基材表面的至少一部分的覆碳化钽的碳材料,对于碳化钽覆膜,针对面外方向,与(200)面对应的X射线衍射线的强度大于与其他晶面对应的X射线衍射线的强度,其强度比相对于与全部晶面对应的X射线衍射线的强度之和为60%以上。

    光纤母材的拉伸方法
    6.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1934038A

    公开(公告)日:2007-03-21

    申请号:CN200580008547.5

    申请日:2005-03-07

    Inventor: 山村和市

    CPC classification number: C03B37/01486 C03B37/01466

    Abstract: 本发明涉及一种光纤母材的拉伸方法,即使是具有弯曲部的光纤母材,也可较容易地修正其弯曲,同时可对其进行拉伸缩径。即,该光纤母材的拉伸方法的特征在于,在用加热炉对光纤母材进行加热拉伸而使之成为较小直径的拉伸加工中,当从该光纤母材的一端开始进行拉伸时,预先使光纤母材的弯曲部在加热炉内加热软化并修正弯曲。此时,将光纤母材安装固定在悬吊机构上并悬吊于电炉内,使光纤母材的弯曲部加热软化,并在光纤母材或连接于其的虚设棒的前端与拉伸轴的偏差小于等于10mm之后,开始进行拉伸。再者,检测偏差,可使用非接触式位置检测装置,其中可列举激光测定器及图像处理装置。

    拉伸光纤基材的方法和拉伸设备

    公开(公告)号:CN1890189A

    公开(公告)日:2007-01-03

    申请号:CN200480036302.9

    申请日:2004-12-02

    CPC classification number: C03B37/01242 Y02P40/57

    Abstract: 一种光纤基材的拉伸方法和设备,包括由一对夹紧装置夹紧沿光纤基材的纵向的两端,并且在通过沿与纵向平行的第一方向移动所述一对夹紧装置的一个或两个来牵拉光纤基材的同时,沿与第一方向相反的第二方向相对于光纤基材移动加热装置,其中,在根据表达式(1)改变相对移动速度Vb(x)的同时执行光纤基材的拉伸:Vb·[Dmax/D(x)]2≤Vb(x)≤Vb·[Dmax/D(x)]3(1)。其中,Vb表示参考速度,Dmax表示光纤基材的最大外径,D(x)表示在光纤基材的加热位置x处的外径,以及Vb(x)表示在加热位置x处加热装置相对于光纤基材的相对移动速度。

    包覆有碳化物的碳材料
    8.
    发明公开

    公开(公告)号:CN115768723A

    公开(公告)日:2023-03-07

    申请号:CN202180047671.1

    申请日:2021-06-07

    Abstract: 本发明的包覆有碳化物的碳材料(1)的特征在于,具备以碳为主成分且含有氯的基材(10)和设置在基材(10)上的以碳化物为主成分且含有氯的碳化物层(20),基材(10)在与碳化物层的界面附近具有氯浓度沿着朝向碳化物层的方向连续变化的基材缓冲区域(11),碳化物层(20)在与基材的界面附近具有氯浓度沿着朝向基材的方向连续变化的碳化物层缓冲区域(21),基材缓冲区域(11)和碳化物层缓冲区域(21)的氯浓度的最大值为10000ppm以下。根据本发明,可提供在碳化物层与以碳为主成分的基材的界面具有充分的密合强度的包覆有碳化物的碳材料。

    光纤用玻璃母材的加工方法及加工装置

    公开(公告)号:CN1934039B

    公开(公告)日:2010-09-29

    申请号:CN200580009250.0

    申请日:2005-03-07

    CPC classification number: C03B23/045 C03B37/0126 C03B37/01486 Y02P40/57

    Abstract: 本发明提供一种玻璃母材的加工方法及加工装置,可使大型的玻璃母材芯不偏离地且容易地进行焊接加工及端部的纺锤形加工,且无落下事故可安心地操作。本发明是使用加工装置对玻璃母材(1)进行加工的方法,上述加工装置包括直接或间接地把持玻璃母材(1)的轴方向两端部、且可在所相向的方向相对移动的一对旋转自如的夹盘(3a)、(3b),及可沿着所把持的玻璃母材(1)的轴方向移动的玻璃母材加热用的燃烧器(1),且玻璃母材的加工方法的特征在于总是以两点或两点以上保持或支持玻璃母材(1),一边防止悬臂一边进行加工;且加工装置中设置有至少一个保持或支持玻璃母材(1)的中间部的中间把持装置(8a)、(8b)。

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