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公开(公告)号：CN1676331A
公开(公告)日：2005-10-05
申请号：CN200510062574.2
申请日：2005-03-29
CPC classification number: H01L41/0478 , H01L41/0973 , H01L41/1876 , H01L41/29 , H01L41/316
Abstract: 提供一种介电体、压电体、喷墨头、喷墨记录装置及喷墨头制造方法。形成在基板上至少具有下部电极、{100}取向性介电层、上部电极的介电体时，至少其中某一个电极是由至少两层钙钛矿型氧化物导电层构成的，且是{100}取向。
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公开(公告)号：CN1636729A
公开(公告)日：2005-07-13
申请号：CN200510004145.X
申请日：2005-01-07
CPC classification number: B41J2/14233 , B41J2202/03 , H01L41/0477 , H01L41/0973 , H01L41/1876 , H01L41/316 , H01L41/319
Abstract: 提供一种介电体元件、压电体元件、喷墨头及其制造方法。其中，在用来制造介电体层的成膜用的通用基板上设置优先取向或单轴取向的晶体结构的介电体层。在基板上依此设置第1电极层、第2电极层及介电体层；这些层具有优先取向或单轴取向；基于上述第1电极层、上述第2电极层及上述介电体层的优先取向轴或单轴取向轴的X射线衍射测定得到的峰，根据伪沃伊特函数拟合得到的半高宽分别处于特定的范围，即使是使用成膜用的通用基板也可以稳定地获得所希望的品质的介电体层。
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公开(公告)号：CN100457458C
公开(公告)日：2009-02-04
申请号：CN200510004145.X
申请日：2005-01-07
CPC classification number: B41J2/14233 , B41J2202/03 , H01L41/0477 , H01L41/0973 , H01L41/1876 , H01L41/316 , H01L41/319
Abstract: 提供一种介电体元件及其制造方法。使用该介电体元件的压电元件、喷墨头。其中，在用来制造介电体层的成膜用的通用基板上设置优先取向或单轴取向的晶体结构的介电体层。在基板上依此设置第1电极层、第2电极层及介电体层；这些层具有优先取向或单轴取向；基于上述第1电极层、上述第2电极层及上述介电体层的优先取向轴或单轴取向轴的X射线衍射测定得到的峰，根据伪沃伊特函数拟合得到的半高宽分别处于特定的范围，即使是使用成膜用的通用基板也可以稳定地获得所希望的品质的介电体层。
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公开(公告)号：CN100418768C
公开(公告)日：2008-09-17
申请号：CN200510062574.2
申请日：2005-03-29
CPC classification number: H01L41/0478 , H01L41/0973 , H01L41/1876 , H01L41/29 , H01L41/316
Abstract: 提供一种介电体、压电体、喷墨头、喷墨记录装置及喷墨头制造方法。形成在基板上至少具有下部电极、{100}取向性介电层、上部电极的介电体时，至少其中某一个电极是由至少两层钙钛矿型氧化物导电层构成的，且是{100}取向。
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公开(公告)号：CN101971381B
公开(公告)日：2015-10-14
申请号：CN200980109109.6
申请日：2009-03-18
Applicant: 国立大学法人山梨大学 , 国立大学法人京都大学 , 学校法人东京理科大学 , 独立行政法人产业技术综合研究所 , 国立大学法人东京工业大学 , 佳能株式会社
IPC: H01L41/187 , C04B35/468 , C04B35/475 , C01G29/00
CPC classification number: H01L41/187 , C01G23/003 , C01G23/006 , C01G29/00 , C01P2002/34 , C01P2002/76 , C01P2004/20 , C01P2004/61 , C01P2004/62 , C01P2006/42 , C04B35/462 , C04B35/4682 , C04B35/475 , C04B35/499 , C04B35/547 , C04B2235/3206 , C04B2235/3215 , C04B2235/3224 , C04B2235/3227 , C04B2235/3255 , C04B2235/3284 , C04B2235/3298
Abstract: 本发明提供包括无铅钙钛矿型复合氧化物的压电材料，该无铅钙钛矿型复合氧化物具有优异的压电特性和温度特性并且由通式(1)表示：xABO3-yA′BO3-zA″B′O3其中A为Bi元素；A′为包括La的稀土元素；B为选自Ti、Zn、Sn和Zr中的至少一种元素；A″为选自Ba、Sr和Ca中的至少一种元素；B′为选自二价、三价、五价、四价和六价元素中的至少一种元素；并且x为0.10-0.95的值，y为0-0.5的值，和z为0-0.7的值，条件是x+y+z＝1。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101641806A
公开(公告)日：2010-02-03
申请号：CN200880009802.1
申请日：2008-03-05
Applicant: 佳能株式会社 , 国立大学法人东京工业大学
CPC classification number: H01L41/0973 , H01L41/0815 , H01L41/319
Abstract: 本发明公开了外延膜，其包括：加热Si衬底，在该衬底的表面上设置有具有1.0nm～10nm膜厚的SiO 2 层；和通过使用由以下组成式(1)表示的金属靶在该SiO 2 层上形成由以下组成式(2)表示的外延膜：yA(1-y)B (1)，其中A为选自由包括Y和Sc的稀土元素组成的组的一种或多种元素，B为Zr，且y为0.03～0.20的数值，xA 2 O 3 -(1-x)BO 2 (2)，其中A和B为分别与组成式(1)的A和B相同的元素，且x为0.010～0.035的数值。
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公开(公告)号：CN1956234A
公开(公告)日：2007-05-02
申请号：CN200610126135.8
申请日：2006-08-23
Applicant: 佳能株式会社 , 国立大学法人东京工业大学
IPC: H01L41/187 , C04B35/472 , C04B35/499 , B41J2/045 , B41J2/14 , C30B25/06
Abstract: 由ABO3表示的单晶结构或单一取向晶体结构的钙钛矿型氧化物，其中A位包括Pb作为主要组分、B位包括多种元素，该钙钛矿型氧化物包括多种选自四方晶系、六方晶系、斜方晶系、立方晶系、准立方晶系(pseudo cubic)和单斜晶系的晶相，多种晶相在 方向上取向。
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公开(公告)号：CN102884646B
公开(公告)日：2014-12-24
申请号：CN201180021963.4
申请日：2011-02-28
Applicant: 佳能株式会社 , 国立大学法人东京工业大学 , 学校法人上智学院
CPC classification number: H01L41/18 , C04B35/01 , C04B35/016 , C04B35/2625 , C04B35/44 , C04B35/453 , C04B35/475 , C04B35/6325 , C04B2235/3206 , C04B2235/3217 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3227 , C04B2235/3232 , C04B2235/3267 , C04B2235/3272 , C04B2235/3284 , C04B2235/3286 , C04B2235/3298 , C04B2235/449 , C04B2235/76 , C04B2235/765 , C04B2235/768 , C04B2235/787 , H01L41/0805 , H01L41/0973 , H01L41/1878 , H01L41/316 , H01L41/318 , H02N2/106 , H02N2/163
Abstract: 本发明提供具有良好的压电性的Bi-基压电材料。该压电材料包括由下述通式表示的钙钛矿型金属氧化物：Ax(ZnjTi(1-j))l(MgkTi(1-k))mMnO3其中：A表示Bi，任选含有从由三价金属元素组成的组中选择的一种或多种元素；M表示从由Fe、Al、Sc、Mn、Y、Ga和Yb组成的组中选择的至少一种元素；并且满足0.9≤x≤1.25、0.4≤j≤0.6、0.4≤k≤0.6、0.09≤l≤0.49、0.19≤m≤0.64、0.13≤n≤0.48和l+m+n＝1。
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公开(公告)号：CN102884646A
公开(公告)日：2013-01-16
申请号：CN201180021963.4
申请日：2011-02-28
Applicant: 佳能株式会社 , 国立大学法人东京工业大学 , 学校法人上智学院
CPC classification number: H01L41/18 , C04B35/01 , C04B35/016 , C04B35/2625 , C04B35/44 , C04B35/453 , C04B35/475 , C04B35/6325 , C04B2235/3206 , C04B2235/3217 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3227 , C04B2235/3232 , C04B2235/3267 , C04B2235/3272 , C04B2235/3284 , C04B2235/3286 , C04B2235/3298 , C04B2235/449 , C04B2235/76 , C04B2235/765 , C04B2235/768 , C04B2235/787 , H01L41/0805 , H01L41/0973 , H01L41/1878 , H01L41/316 , H01L41/318 , H02N2/106 , H02N2/163
Abstract: 本发明提供具有良好的压电性的Bi-基压电材料。该压电材料包括由下述通式表示的钙钛矿型金属氧化物：Ax(ZnjTi(1-j))l(MgkTi(1-k))mMnO3其中：A表示Bi，任选含有从由三价金属元素组成的组中选择的一种或多种元素；M表示从由Fe、Al、Sc、Mn、Y、Ga和Yb组成的组中选择的至少一种元素；并且满足0.9≤x≤1.25、0.4≤j≤0.6、0.4≤k≤0.6、0.09≤l≤0.49、0.19≤m≤0.64、0.13≤n≤0.48和l+m+n＝1。
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公开(公告)号：CN101641806B
公开(公告)日：2011-11-30
申请号：CN200880009802.1
申请日：2008-03-05
Applicant: 佳能株式会社 , 国立大学法人东京工业大学
CPC classification number: H01L41/0973 , H01L41/0815 , H01L41/319
Abstract: 本发明公开了外延膜，其包括：加热Si衬底，在该衬底的表面上设置有具有1.0nm～10nm膜厚的SiO2层；和通过使用由以下组成式(1)表示的金属靶在该SiO2层上形成由以下组成式(2)表示的外延膜：yA(1-y)B (1)，其中A为选自由包括Y和Sc的稀土元素组成的组的一种或多种元素，B为Zr，且y为0.03～0.20的数值，xA2O3-(1-x)BO2 (2)，其中A和B为分别与组成式(1)的A和B相同的元素，且x为0.010～0.035的数值。
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