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公开(公告)号:CN101258620A
公开(公告)日:2008-09-03
申请号:CN200680032356.7
申请日:2006-09-05
Applicant: 佳能株式会社 , 国立大学法人东京工业大学
CPC classification number: B41J2/14233 , B41J2/161 , B41J2/1623 , B41J2/1628 , B41J2/1629 , B41J2/1631 , B41J2/1632 , B41J2/1634 , B41J2/1642 , B41J2/1645 , B41J2/1646 , B41J2202/03 , H01L41/0805 , H01L41/1875 , H01L41/1876 , H01L41/316
Abstract: 本发明提供了一种压电膜、一种压电膜元件、一种使用该压电膜元件的液体排出头和一种液体排出装置。通过使用由根据通式ABO3构成的钙钛矿复合氧化物所组成的外延氧化物膜作为压电膜而得到压电膜元件,该压电膜元件可适用于液体排出头的排出压力生成元件。该外延氧化物膜至少具有相对于彼此具有晶向偏离的A晶畴和B晶畴。A晶畴和B晶畴之间的晶向偏离小于2°。
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公开(公告)号:CN102214788A
公开(公告)日:2011-10-12
申请号:CN201110148637.1
申请日:2008-03-05
Applicant: 佳能株式会社 , 国立大学法人东京工业大学
IPC: H01L41/187 , H01L41/09
CPC classification number: H01L41/0973 , H01L41/0815 , H01L41/319
Abstract: 本发明公开了外延膜,其包括:加热Si衬底,在该衬底的表面上设置有具有1.0nm~10nm膜厚的SiO2层;和通过使用由以下组成式(1)表示的金属靶在该SiO2层上形成由以下组成式(2)表示的外延膜:yA(1-y)B (1),其中A为选自由包括Y和Sc的稀土元素组成的组的一种或多种元素,B为Zr,且y为0.03~0.20的数值,xA2O3-(1-x)BO2 (2),其中A和B为分别与组成式(1)的A和B相同的元素,且x为0.010~0.035的数值。
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公开(公告)号:CN101258620B
公开(公告)日:2010-06-09
申请号:CN200680032356.7
申请日:2006-09-05
Applicant: 佳能株式会社 , 国立大学法人东京工业大学
CPC classification number: B41J2/14233 , B41J2/161 , B41J2/1623 , B41J2/1628 , B41J2/1629 , B41J2/1631 , B41J2/1632 , B41J2/1634 , B41J2/1642 , B41J2/1645 , B41J2/1646 , B41J2202/03 , H01L41/0805 , H01L41/1875 , H01L41/1876 , H01L41/316
Abstract: 本发明提供了一种压电膜、一种压电膜元件、一种使用该压电膜元件的液体排出头和一种液体排出装置。通过使用由根据通式ABO3构成的钙钛矿复合氧化物所组成的外延氧化物膜作为压电膜而得到压电膜元件,该压电膜元件可适用于液体排出头的排出压力生成元件。该外延氧化物膜至少具有相对于彼此具有晶向偏离的A晶畴和B晶畴。A晶畴和B晶畴之间的晶向偏离小于2°。
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公开(公告)号:CN100495753C
公开(公告)日:2009-06-03
申请号:CN200610126135.8
申请日:2006-08-23
Applicant: 佳能株式会社 , 国立大学法人东京工业大学
IPC: H01L41/187 , C04B35/472 , C04B35/499 , B41J2/045 , B41J2/14 , C30B25/06
Abstract: 由ABO3表示的单晶结构或单一取向晶体结构的钙钛矿型氧化物,其中A位包括Pb作为主要组分、B位包括多种元素,该钙钛矿型氧化物包括多种选自四方晶系、六方晶系、斜方晶系、立方晶系、准立方晶系(pseudo cubic)和单斜晶系的晶相,多种晶相在 方向上取向。
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公开(公告)号:CN101641806A
公开(公告)日:2010-02-03
申请号:CN200880009802.1
申请日:2008-03-05
Applicant: 佳能株式会社 , 国立大学法人东京工业大学
CPC classification number: H01L41/0973 , H01L41/0815 , H01L41/319
Abstract: 本发明公开了外延膜,其包括:加热Si衬底,在该衬底的表面上设置有具有1.0nm~10nm膜厚的SiO 2 层;和通过使用由以下组成式(1)表示的金属靶在该SiO 2 层上形成由以下组成式(2)表示的外延膜:yA(1-y)B (1),其中A为选自由包括Y和Sc的稀土元素组成的组的一种或多种元素,B为Zr,且y为0.03~0.20的数值,xA 2 O 3 -(1-x)BO 2 (2),其中A和B为分别与组成式(1)的A和B相同的元素,且x为0.010~0.035的数值。
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公开(公告)号:CN1956234A
公开(公告)日:2007-05-02
申请号:CN200610126135.8
申请日:2006-08-23
Applicant: 佳能株式会社 , 国立大学法人东京工业大学
IPC: H01L41/187 , C04B35/472 , C04B35/499 , B41J2/045 , B41J2/14 , C30B25/06
Abstract: 由ABO3表示的单晶结构或单一取向晶体结构的钙钛矿型氧化物,其中A位包括Pb作为主要组分、B位包括多种元素,该钙钛矿型氧化物包括多种选自四方晶系、六方晶系、斜方晶系、立方晶系、准立方晶系(pseudo cubic)和单斜晶系的晶相,多种晶相在 方向上取向。
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公开(公告)号:CN101641806B
公开(公告)日:2011-11-30
申请号:CN200880009802.1
申请日:2008-03-05
Applicant: 佳能株式会社 , 国立大学法人东京工业大学
CPC classification number: H01L41/0973 , H01L41/0815 , H01L41/319
Abstract: 本发明公开了外延膜,其包括:加热Si衬底,在该衬底的表面上设置有具有1.0nm~10nm膜厚的SiO2层;和通过使用由以下组成式(1)表示的金属靶在该SiO2层上形成由以下组成式(2)表示的外延膜:yA(1-y)B (1),其中A为选自由包括Y和Sc的稀土元素组成的组的一种或多种元素,B为Zr,且y为0.03~0.20的数值,xA2O3-(1-x)BO2 (2),其中A和B为分别与组成式(1)的A和B相同的元素,且x为0.010~0.035的数值。
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公开(公告)号:CN105272231A
公开(公告)日:2016-01-27
申请号:CN201510287878.2
申请日:2015-05-29
Applicant: 佳能株式会社
IPC: C04B35/49
CPC classification number: B08B7/02 , B41J2/14201 , B41J2002/14258 , B41J2202/03 , G02B7/09 , G02B27/0006 , H01L41/0477 , H01L41/083 , H01L41/0973 , H01L41/1871 , H02N2/106 , H02N2/163 , H04N5/2171 , H04N5/2254 , Y10T29/43
Abstract: 本发明提供不含铅并且在器件运转温度范围内具有优异且稳定的压电性能的压电材料。为了该目的的本发明是压电材料,其包括:含有由下述通式(1)表示的钙钛矿金属氧化物的主要成分、含有Mn的第一辅助成分、和含有电荷歧化为三价和五价的Bi的第二辅助成分,其中含有的Mn的量为0.0020摩尔-0.0150摩尔,相对于1摩尔的该金属氧化物,并且含有的Bi的量为0.0004摩尔-0.0085摩尔,相对于1摩尔的该金属氧化物。Baa(Ti1-xZrx)O3 (1)(其中0.020≤x≤0.130和0.996≤a≤1.030)。
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公开(公告)号:CN105272230A
公开(公告)日:2016-01-27
申请号:CN201510284910.1
申请日:2015-05-29
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: B08B7/02 , B41J2/14233 , B41J2/14274 , B41J2/161 , B41J2/1612 , B41J2/1632 , B41J2/1637 , B41J2/1642 , B41J2/1646 , B41J2202/03 , G02B7/10 , G02B27/0006 , H01L41/0471 , H01L41/1871 , H01L41/257 , H01L41/273 , H01L41/43 , H02N2/103 , Y10T29/43
Abstract: 公开了压电材料、压电元件、压电元件制造方法和电子设备。本发明能够提供在室温范围内具有高压电常数的无铅压电材料。为此,本发明是一种压电材料,包括包含由以下通式(1)表示的钙钛矿型金属氧化物的主成分、含Mn的第一辅助成分和含三价Bi的第二辅助成分,Baa(Ti1-xZrx)O3(1)其中0.02≤x≤0.13并且0.986≤a≤1.02,其中,所含Mn的量是相对于1摩尔的金属氧化物的0.0020摩尔以上且0.0150摩尔以下,并且所含Bi的量是相对于1摩尔的金属氧化物的0.00042摩尔以上且0.00850摩尔以下。
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公开(公告)号:CN104969373A
公开(公告)日:2015-10-07
申请号:CN201480006687.8
申请日:2014-01-24
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L41/43 , B41J2/14 , C04B35/495 , H01L41/09 , H01L41/187 , H02N2/10 , H02N2/16
CPC classification number: H01L41/1873 , B08B7/02 , B41J2/14201 , B41J2/14233 , B41J2202/03 , C04B35/495 , C04B35/6261 , C04B2235/3201 , C04B2235/3215 , C04B2235/3232 , C04B2235/3236 , C04B2235/3255 , C04B2235/3262 , C04B2235/3263 , C04B2235/3279 , C04B2235/3281 , C04B2235/3284 , C04B2235/3409 , C04B2235/3418 , C04B2235/768 , C04B2235/77 , G02B27/0006 , H01L41/0471 , H01L41/08 , H01L41/083 , H01L41/09 , H01L41/0973 , H01L41/18 , H01L41/43 , H02N2/106 , H02N2/163
Abstract: 本发明提供不使用铅和钾并且具有高的压电常数和良好的绝缘性能的压电材料和使用该压电材料的压电元件。该压电材料含有由通式(1)表示的钙钛矿型金属氧化物:(NaxBa1-y)(NbyTi1-y)O3(1)(其中0.80≤x≤0.95和0.85≤y≤0.95),和辅助成分,该辅助成分含有选自Si和B中的至少一种。基于金属计,该辅助成分的含量为0.001重量份-4.000重量份,相对于100重量份的该钙钛矿型金属氧化物。
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