公开(公告)号：CN1573348A

公开(公告)日：2005-02-02

申请号：CN200410059312.6

申请日：2004-06-15

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 羽贺俊一 ,  松山深照 ,  新仓谕

IPC: G01R31/36

CPC classification number: H01L31/04 ,  H02S50/10 ,  Y02E10/50

Abstract: 提供一种太阳能电池元件的光电变换特性的测定方法和测定装置。该测定方法的特征在于具有：把太阳能电池元件的受光面作为上表面，把太阳能电池元件(1)安装并固定在台架(6)上的工序；使光从上表面照射在太阳能电池元件的光电变换层上的工序；以及通过设置在受光面的相反侧的探针(802、801)分别与第一电极部(5)和第二电极的伸出的电极部(401)接触的工序。

公开(公告)号：CN1156021C

公开(公告)日：2004-06-30

申请号：CN97125281.5

申请日：1997-09-19

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 松山深照

IPC: H01L31/0288

CPC classification number: H01L31/075 ,  H01L31/0368 ,  H01L31/20 ,  Y02E10/548

Abstract: 有半导体结结构的光电元件，其特征是，所述半导体结结构有含元素周期表中IV族元素中的一种或一种以上元素为主要组分的非单晶材料构成的P型或n型掺杂层，所述掺杂层中有周期性分布的作为掺杂层主要组分的IV族元素的浓度减小的多个区域。所述半导体结结构有至少是由微晶半导体材料构成的基本上是本征型的半导体层。

公开(公告)号：CN1049530A

公开(公告)日：1991-02-27

申请号：CN90106810.1

申请日：1990-06-28

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 越前裕 ,  藤岡靖 ,  中川克已 ,  全井中博 ,  狩谷俊光 ,  松山深照 ,  武井哲也

IPC: C23C16/48 ,  C23C16/54

CPC classification number: H01J37/3222 ,  C23C16/50 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/3277 ,  H01J2237/3325 ,  H01L31/202 ,  H01L31/206 ,  Y02E10/50 ,  Y02P70/521

Abstract: 介绍一种用微波等离子体CVD工艺连续形成大面积实用沉积膜的方法，该法包括：沿长度连续移动含导电部件的带状部件的步骤，此间通过将移动式带状部件构成成膜空间侧壁，于其内建立起基本上可保持真空的柱状成膜空间；再通过送气装置向成膜空间充入用于成膜的原始气体；同时通过微波天线在所有垂直于微波运动的方向上辐射微波，由此向成膜空间提供微波功率，使在空间内激发起等离子体，从而将薄膜沉积在暴露于等离子体侧壁的连续移动的带状部件表面上。本文也介绍了实现该方法的装置。

公开(公告)号：CN1174415A

公开(公告)日：1998-02-25

申请号：CN97109999.5

申请日：1997-02-27

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 松山深照 ,  松田高一

IPC: H01L31/042 ,  H01L25/00

CPC classification number: H01L31/03928 ,  H01L31/022466 ,  H01L31/022483 ,  H01L31/02363 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/03921 ,  H01L31/03925 ,  H01L31/056 ,  H01L31/206 ,  Y02E10/52 ,  Y02E10/541 ,  Y02P70/521

Abstract: 一种光电器件,包括具有不规则表面结构的不透明的衬底,所述不规则表面结构包括在其中排列的许多线性不规则处或槽,以及形成在所述衬底的所述不规则表面结构上的光电转换层,其中的多个线性不规则处或槽当沿着平行于线性不规则处或槽的方向扫描时,具有15n到300nm中心线平均粗糙度Ra(X),当沿着垂直于线性不规则处或槽的方向扫描时,具有20nm到600nm的中心线平均粗糙度Ra(Y),并且Ra(X)/Ra(Y)之比为0.8或更小。

公开(公告)号：CN1023239C

公开(公告)日：1993-12-22

申请号：CN89104798.0

申请日：1989-07-14

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 松山深照

IPC: C23C16/48 ,  C23C16/54

Abstract: 制备多组分大面积沉积膜的装置，在各自的激活塞中分别激活两种或多种膜原料气体，激活气体通过各自的气体引入口分别引入到成膜室混合，在成膜室中的基片表面附近发生反应，从而在基片上形成所述沉积膜，气体引入口是长方形或椭圆形，平行放置，其长轴至少是短轴的两倍，间距小于短轴，激活室中有杆状微波发射天线，或有催化作用的金属材料做成的丝，或产生射频电场的一对板状电极作为产生分解能的装置。

公开(公告)号：CN1048568A

公开(公告)日：1991-01-16

申请号：CN90103311.1

申请日：1990-06-28

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 松山深照 ,  狩谷俊光 ,  藤岡靖 ,  武井哲也 ,  中川克巳 ,  金井正博 ,  越前裕

IPC: C23C16/48 ,  C23C16/24

CPC classification number: H01L31/076 ,  C23C16/511 ,  C23C16/545 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32229 ,  H01J37/3277 ,  H01L21/02425 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/872 ,  H01L31/202 ,  H01L31/204 ,  H01L31/206 ,  Y02E10/548 ,  Y02P70/521

Abstract: 微波等离子CVD方法用以连续地形成大面积的长的功能性淀积膜，包括：使一衬底腹板从释放机构到卷收机构在纵向连续地运动；在运动中将衬底腹板弯曲和突出形成一圆柱形部分作为膜生成腔的圆周墙；将原料气体由供气装置引入到上述膜生成腔内；同时利用微波施加器装置将微波能量辐射到上述膜生成腔内，以在上述的膜生成腔内产生微波等离子，借此在暴露在上述微波等离子中的上述连续运动的圆周墙的内墙表面上形成淀积膜。

公开(公告)号：CN1140933C

公开(公告)日：2004-03-03

申请号：CN98117950.9

申请日：1998-07-31

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 松山深照

IPC: H01L31/075 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/03685 ,  H01L21/67155 ,  H01L31/03687 ,  H01L31/076 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/1812 ,  H01L31/1876 ,  Y02E10/545 ,  Y02E10/547 ,  Y02E10/548 ,  Y02P70/521

Abstract: 一种有多个pin结的光电元件，每个pin结由p型半导体层、i型半导体层、n型半导体层形成，每层包括IV族元素作主要成分的非单晶材料，光电元件的第一个pin结包括作i型半导体层的主要成分的微晶碳化硅(微晶SiC)，第二个pin结包括作i型半导体层的主要成分的微晶硅，第一个pin结比第二个pin结更靠近光入射侧。由此提供的光电元件成本低、几乎无光退化、有高的光电转换效率，且其制备方法能以实用的淀积速率形成i型微晶硅和微晶SiC。

公开(公告)号：CN1096713C

公开(公告)日：2002-12-18

申请号：CN97109999.5

申请日：1997-02-27

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 松山深照 ,  松田高一

IPC: H01L31/042 ,  H01L25/00

CPC classification number: H01L31/03928 ,  H01L31/022466 ,  H01L31/022483 ,  H01L31/02363 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/03921 ,  H01L31/03925 ,  H01L31/056 ,  H01L31/206 ,  Y02E10/52 ,  Y02E10/541 ,  Y02P70/521

Abstract: 一种光电器件，包括具有不规则表面结构的不透明的衬底，所述不规则表面结构包括在其中排列的许多线性不规则处或槽，以及形成在所述衬底的所述不规则表面结构上的光电转换层，其中的多个线性不规则处或槽当沿着平形于线性不规则处或槽的方向扫描时，具有15n到300nm中心线平均粗糙度Ra(X)，当沿着垂直于线性不规则处或槽的方向扫描时，具有20nm到600nm的中心线平均粗糙度Ra(Y)，并且Ra(X)/Ra(Y)之比为0.8或更小。

公开(公告)号：CN1213861A

公开(公告)日：1999-04-14

申请号：CN98117950.9

申请日：1998-07-31

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 松山深照

IPC: H01L31/075 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/03685 ,  H01L21/67155 ,  H01L31/03687 ,  H01L31/076 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/1812 ,  H01L31/1876 ,  Y02E10/545 ,  Y02E10/547 ,  Y02E10/548 ,  Y02P70/521

Abstract: 一种有多个pin结的光电元件,每个pin结由p型半导体层、i型半导体层、n型半导体层形成,每层包括Ⅳ族元素作主要成分的非单晶材料,光电元件的第一个pin结包括作i型半导体层的主要成分的微晶碳化硅(微晶SiC),第二个pin结包括作i型半导体层的主要成分的微晶硅,第一个pin结比第二个pin结更靠近光入射侧。由此提供的光电元件成本低、几乎无光退化、有高的光电转换效率,且其制备方法能以实用的淀积速率形成i型微晶硅和微晶SiC。

公开(公告)号：CN1026133C

公开(公告)日：1994-10-05

申请号：CN89108774.5

申请日：1989-11-24

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 松山深照

IPC: C23C16/48 ,  C23C16/54

CPC classification number: C23C16/511 ,  C23C16/54

Abstract: 连续在基片上淀积功能膜的微波GVD装置包括膜形成室，该膜形成室具有用腐蚀气体清洗微波输入窗的腐蚀室；所述微波输入窗包括有多个叠置的微波传输窗，其中一个微波传输窗在膜形成空间中裸露，且可在膜形成室与腐蚀室之间运动，以使先前在膜形成室中使用过的微波传输窗被清洗，清洗方式是，在膜形成室中进行形成膜工作的同时，在腐蚀室中用腐蚀气体腐蚀掉淀积在微波传输窗上的膜。