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公开(公告)号：CN1495914A
公开(公告)日：2004-05-12
申请号：CN03158850.6
申请日：1999-06-30
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: H01L31/076 , H01L31/022483 , H01L31/075 , H01L31/1824 , H01L31/1884 , H01L31/202 , Y02E10/545 , Y02E10/548 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供了一种光电元件，包括p型半导体层和由氧化铟锡构成的透明导电层，它们以面对面的方式结合在一起，其中，透明导电层的氧化锡含量与锡含量之和在层厚方向上变化，并在p型半导体层与透明导电层的结合面处达到最小值。由此提供的光电元件具有较高的光电转换效率，即使长时间暴露于强烈的光照之下，其光电转换效率的下降也极小。
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公开(公告)号：CN1310340C
公开(公告)日：2007-04-11
申请号：CN200410031301.7
申请日：2004-03-26
Applicant: 佳能株式会社
Inventor： 狩谷俊光
IPC: H01L31/04 , H01L31/075 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/076 , Y02E10/548
Abstract: 在包括在支撑体102上顺序叠层了金属层103，下部透明导电层104，由非单晶硅构成的第一N型层105，由微晶硅构成的第一I型层106，由非单晶硅构成的第一P型层108，由非单晶硅构成的第二N型层109，由微晶硅构成的第二I型层110，由非单晶硅构成的第二P型层112的构造的叠层型光电元件中，使得在第一I型层106和第二I型层110中含有磷(P)，当第一I型层106中磷对硅的含量比为R1，第二I型层110中磷对硅的含量比为R2时，调整为R2＜R1，由此能够以高成品率制造具有高变换效率的光电元件。
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公开(公告)号：CN1560927A
公开(公告)日：2005-01-05
申请号：CN200410061799.1
申请日：1999-02-15
Applicant: 佳能株式会社
Inventor： 狩谷俊光
IPC: H01L31/02 , H01L31/0236 , H01L31/04 , H01L31/075
CPC classification number: H01L31/075 , H01L31/02363 , H01L31/035227 , H01L31/03685 , H01L31/03687 , H01L31/03762 , H01L31/077 , H01L31/202 , Y02E10/545 , Y02E10/548 , Y02P70/521
Abstract: 一种形成在基片上且至少含有氢和硅晶粒的光电导薄膜，用恒定光电流方法测量时，光电导薄膜的Urbach能Eu为60meV或以下。该薄膜作为光电导薄膜，没有光退化，有很好的光电导率，提供的光生伏打器件有很好的温度特性和长期稳定性。
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公开(公告)号：CN1534798A
公开(公告)日：2004-10-06
申请号：CN200410008588.1
申请日：2004-03-25
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L31/04
CPC classification number: H01L31/076 , H01L31/206 , Y02E10/52 , Y02E10/548 , Y02P70/521
Abstract: 一种叠层型光生伏打元件，由从光的入射侧起依次叠层的至少一组第1光生伏打元件和第2光生伏打元件构成，其特征在于：在至少一组的第1光生伏打元件和第2光生伏打元件之间，配有将它们电导通连接的选择反射层，该选择反射层的表面电阻大于等于100kΩ/□且小于等于100MΩ/□。
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公开(公告)号：CN1048568A
公开(公告)日：1991-01-16
申请号：CN90103311.1
申请日：1990-06-28
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: H01L31/076 , C23C16/511 , C23C16/545 , H01J37/32192 , H01J37/32229 , H01J37/3277 , H01L21/02425 , H01L21/0245 , H01L21/02505 , H01L21/02532 , H01L21/0262 , H01L29/872 , H01L31/202 , H01L31/204 , H01L31/206 , Y02E10/548 , Y02P70/521
Abstract: 微波等离子CVD方法用以连续地形成大面积的长的功能性淀积膜，包括：使一衬底腹板从释放机构到卷收机构在纵向连续地运动；在运动中将衬底腹板弯曲和突出形成一圆柱形部分作为膜生成腔的圆周墙；将原料气体由供气装置引入到上述膜生成腔内；同时利用微波施加器装置将微波能量辐射到上述膜生成腔内，以在上述的膜生成腔内产生微波等离子，借此在暴露在上述微波等离子中的上述连续运动的圆周墙的内墙表面上形成淀积膜。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100364115C
公开(公告)日：2008-01-23
申请号：CN200410061799.1
申请日：1999-02-15
Applicant: 佳能株式会社
Inventor： 狩谷俊光
IPC: H01L31/02 , H01L31/0236 , H01L31/04 , H01L31/075
CPC classification number: H01L31/075 , H01L31/02363 , H01L31/035227 , H01L31/03685 , H01L31/03687 , H01L31/03762 , H01L31/077 , H01L31/202 , Y02E10/545 , Y02E10/548 , Y02P70/521
Abstract: 一种形成在基片上且至少含有氢和硅晶粒的光电导薄膜，用恒定光电流方法测量时，光电导薄膜的Urbach能Eu为60meV或以下。该薄膜作为光电导薄膜，没有光退化，有很好的光电导率，提供的光生伏打器件有很好的温度特性和长期稳定性。
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公开(公告)号：CN1229874C
公开(公告)日：2005-11-30
申请号：CN00128618.8
申请日：2000-07-14
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: H01L31/03685 , H01L31/1824 , Y02B10/12 , Y02E10/545 , Y02E10/548 , Y02P70/521
Abstract: 提供一种光电元件、其制造方法、及使用其的建筑材料和发电装置，该光电元件具有层叠结构，包括按顺序叠置的不含结晶相的第一半导体层、含近球形微晶相的第二半导体层和含柱形微晶相的第三半导体层，其中，所说第三半导体层侧上的所说第二半导体层的所说近球形微晶相的平均尺寸大于所说第一半导体层侧上所说第二半导体层的所说近球形微晶相的平均尺寸。
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公开(公告)号：CN1218995A
公开(公告)日：1999-06-09
申请号：CN98125069.6
申请日：1998-10-29
Applicant: 佳能株式会社
Inventor： 狩谷俊光
IPC: H01L31/04 , H01L31/042
CPC classification number: H01L31/202 , H01L31/022475 , H01L31/022483 , H01L31/0236 , H01L31/02363 , H01L31/03685 , H01L31/048 , H01L31/056 , Y02E10/52 , Y02E10/545 , Y02E10/548 , Y02P70/521
Abstract: 在一个背反射层上具有特别的透明导电层的一种光电元件,所说的透明导电层含有氧化锌材料,有光入射侧面区,并且此区有多个被安置了彼此互相连接的圆弧的不同截面,其中的每一个圆弧具有的曲率半径范围为300A到6微米,其从弯曲的中心看的仰角范围是30°到155A,所述的截面包括由在截面的整个区域的80%或以上部分中的多个圆弧组成的区域。
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公开(公告)号：CN1032021C
公开(公告)日：1996-06-12
申请号：CN90106810.1
申请日：1990-06-28
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: H01J37/3222 , C23C16/50 , H01J37/32192 , H01J37/3277 , H01J2237/3325 , H01L31/202 , H01L31/206 , Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 介绍一种用微波等离子体CVD工艺连续形成大面积实用沉积膜的方法，该法包括：沿长度连续移动含导电部件的带状部件的步骤，此间通过将移动式带状部件构成成膜空间侧壁，于其内建立起基本上可保持真空的柱状成膜空间；再通过送气装置向成膜空间充入用于成膜的原始气体；同时通过微波天线在所有垂直于微波运动的方向上辐射微波，由此向成膜空间提供微波功率，使在空间内激发起等离子体，从而将薄膜沉积在暴露于等离子体侧壁的连续移动的带状部件表面上。本文也介绍了实现该方法的装置。
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公开(公告)号：CN1030722C
公开(公告)日：1996-01-17
申请号：CN90103311.1
申请日：1990-06-28
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: H01L31/076 , C23C16/511 , C23C16/545 , H01J37/32192 , H01J37/32229 , H01J37/3277 , H01L21/02425 , H01L21/0245 , H01L21/02505 , H01L21/02532 , H01L21/0262 , H01L29/872 , H01L31/202 , H01L31/204 , H01L31/206 , Y02E10/548 , Y02P70/521
Abstract: 微波等离子CVD方法用以连续地形成大面积的长的功能性淀积膜，包括：使一衬底腹板从释放机构到卷收机构在纵向连续地运动；在运动中将衬底腹板弯曲和突出形成一圆柱形部分作为膜生成腔的圆周墙；将原料气体由供气装置引入到上述膜生成腔内；同时利用微波施加器装置将微波能量辐射到上述膜生成腔内，以在上述的膜生成腔内产生微波等离子，借此在暴露在上述微波等离子中的上述连续运动的圆周墙的内墙表面上形成淀积膜。
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