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公开(公告)号：CN1442882A
公开(公告)日：2003-09-17
申请号：CN03107359.X
申请日：1998-10-15
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: H01L31/022466 , H01L31/056 , H01L31/075 , H01L31/1884 , Y02E10/52 , Y02E10/548
Abstract: 在导电衬底上形成氧化铟膜的成膜方法，把所述衬底和相反电极浸入至少包含硝酸盐离子和铟离子的水溶液中，在所述衬底和相反电极之间通电流，由此在所述衬底上形成所述氧化铟膜。利用无电淀积工艺形成氧化铟膜的水溶液，至少包含硝酸盐离子，铟离子和酒石酸盐。利用所述的水溶液，通过无电淀积工艺，在衬底上形成氧化铟膜的成膜方法。利用所述成膜方法，制成半导体元件和光生伏打元件的衬底。
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公开(公告)号：CN1049530A
公开(公告)日：1991-02-27
申请号：CN90106810.1
申请日：1990-06-28
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: H01J37/3222 , C23C16/50 , H01J37/32192 , H01J37/3277 , H01J2237/3325 , H01L31/202 , H01L31/206 , Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 介绍一种用微波等离子体CVD工艺连续形成大面积实用沉积膜的方法，该法包括：沿长度连续移动含导电部件的带状部件的步骤，此间通过将移动式带状部件构成成膜空间侧壁，于其内建立起基本上可保持真空的柱状成膜空间；再通过送气装置向成膜空间充入用于成膜的原始气体；同时通过微波天线在所有垂直于微波运动的方向上辐射微波，由此向成膜空间提供微波功率，使在空间内激发起等离子体，从而将薄膜沉积在暴露于等离子体侧壁的连续移动的带状部件表面上。本文也介绍了实现该方法的装置。
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公开(公告)号：CN88101748A
公开(公告)日：1988-10-05
申请号：CN88101748
申请日：1988-03-28
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: H01L31/03921 , H01L31/07 , H01L31/075 , H01L31/202 , Y02E10/548 , Y02P70/521
Abstract: 改进的针型和肖特基型薄膜光电电动势元件具有令人满意的短路电流(Isc)、开路电压(Voc)、占空比(F·F)、光电转换效率和信噪比，其特征在于：至少有一层N型和P型半导体层由一层非单晶硅半导体层构成，该半导体层由多层厚度小于等于100埃包含1到10原子百分比氢原子的非单晶硅薄膜迭合而成。
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公开(公告)号：CN1516293A
公开(公告)日：2004-07-28
申请号：CN200310117927.5
申请日：1997-12-26
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: H01L21/02032 , C30B19/12 , H01L21/02381 , H01L21/02513 , H01L21/02532 , H01L21/0262 , H01L21/02625 , H01L21/02628 , H01L21/02664 , H01L21/2007 , H01L21/3063 , H01L21/76251 , H01L29/66772 , H01L29/78654 , H01L31/068 , H01L31/0687 , H01L31/1804 , H01L33/0062 , H01L2221/68368 , Y02E10/544 , Y02E10/547 , Y02P70/521 , Y10S438/977
Abstract: 为了达到晶体的高性能和半导体构件的低成本，以便低成本地制造具有高效率和柔软形状的太阳电池，利用下述步骤制造半导体构件，(a)在衬底的表面形成多孔层，(b)把多孔层在高温还原气氛下浸入溶解了用于形成待生长的半导体层的元素的溶液，以便在多孔层表面上生长晶体半导体层，(c)把另一衬底连接在其上形成多孔层和半导体层的衬底表面上，(d)在多孔层从另一衬底分离该衬底。
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公开(公告)号：CN1032021C
公开(公告)日：1996-06-12
申请号：CN90106810.1
申请日：1990-06-28
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: H01J37/3222 , C23C16/50 , H01J37/32192 , H01J37/3277 , H01J2237/3325 , H01L31/202 , H01L31/206 , Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 介绍一种用微波等离子体CVD工艺连续形成大面积实用沉积膜的方法，该法包括：沿长度连续移动含导电部件的带状部件的步骤，此间通过将移动式带状部件构成成膜空间侧壁，于其内建立起基本上可保持真空的柱状成膜空间；再通过送气装置向成膜空间充入用于成膜的原始气体；同时通过微波天线在所有垂直于微波运动的方向上辐射微波，由此向成膜空间提供微波功率，使在空间内激发起等离子体，从而将薄膜沉积在暴露于等离子体侧壁的连续移动的带状部件表面上。本文也介绍了实现该方法的装置。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1029993C
公开(公告)日：1995-10-11
申请号：CN90106809.8
申请日：1990-06-28
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: H01L31/076 , C23C16/50 , C23C16/545 , H01J37/32192 , H01J37/3222 , H01J37/3277 , H01J2237/3325 , H01L31/206 , Y02E10/548 , Y02P70/521
Abstract: 一种采用微波等离子CVD工艺连续形成大面积功能性淀积薄膜的方法，所述方法包括：按纵向连续移动的基片带；在基片移动过程中通过弯曲和凸起所述移动基片带以形成所述成膜室圆周壁的圆筒形部分从而建立具有成膜空间的基本封闭的成膜室；通过气体输送装置将成膜原材料气体导入所述成膜空间；同时，通过采用微波施加装置将微波能辐射或传播到所述成膜空间，其中微波施加装置能够以垂直于微波能传播方向具有方向性地辐射或传播所述微波能以便在所述成膜空间产生微波等离子区，由此在暴露于所述微波等离子区的所述连续移动圆周壁的内表面上连续形成功能性淀积薄膜。一种适用于实际所述方法的装置。
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公开(公告)号：CN1312781C
公开(公告)日：2007-04-25
申请号：CN200310117927.5
申请日：1997-12-26
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: H01L21/02032 , C30B19/12 , H01L21/02381 , H01L21/02513 , H01L21/02532 , H01L21/0262 , H01L21/02625 , H01L21/02628 , H01L21/02664 , H01L21/2007 , H01L21/3063 , H01L21/76251 , H01L29/66772 , H01L29/78654 , H01L31/068 , H01L31/0687 , H01L31/1804 , H01L33/0062 , H01L2221/68368 , Y02E10/544 , Y02E10/547 , Y02P70/521 , Y10S438/977
Abstract: 为了达到晶体的高性能和半导体构件的低成本，以便低成本地制造具有高效率和柔软形状的太阳电池，利用下述步骤制造半导体构件，(a)在衬底的表面形成多孔层，(b)把多孔层在高温还原气氛下浸入溶解了用于形成待生长的半导体层的元素的溶液，以便在多孔层表面上生长晶体半导体层，(c)把另一衬底连接在其上形成多孔层和半导体层的衬底表面上，(d)在多孔层从另一衬底分离该衬底。
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公开(公告)号：CN1495915A
公开(公告)日：2004-05-12
申请号：CN200310114912.3
申请日：1999-07-02
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L31/04
CPC classification number: H01L31/1876 , C30B19/02 , C30B19/12 , C30B29/06 , H01L21/02381 , H01L21/02513 , H01L21/02516 , H01L21/02532 , H01L21/02579 , H01L21/02625 , H01L21/02628 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 一种光电转换元件，包括从光入射侧提供的抗反射层、硅层和电极，其中硅层都是外延硅层，并且其中硅层包括从光入射侧提供的n+层和p－层。
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公开(公告)号：CN1012240B
公开(公告)日：1991-03-27
申请号：CN88101748
申请日：1988-03-28
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L31/075 , H01L31/10
CPC classification number: H01L31/03921 , H01L31/07 , H01L31/075 , H01L31/202 , Y02E10/548 , Y02P70/521
Abstract: 一种改进的pin型和肖特基型薄膜光电电动势元件，它具有令人满意的短路电流(Isc)、开路电压(Voc)、占空因数(F.F.)、光电转换效率和信噪比，其特征在于：至少有一层N型和P型半导体层由一层非单晶硅半导体层构成，该半导体层由多层厚度小于100埃、包含1到10原子百分比氢原子的非单晶硅薄膜层叠而成。
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公开(公告)号：CN1049870A
公开(公告)日：1991-03-13
申请号：CN90106809.8
申请日：1990-06-28
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: H01L31/076 , C23C16/50 , C23C16/545 , H01J37/32192 , H01J37/3222 , H01J37/3277 , H01J2237/3325 , H01L31/206 , Y02E10/548 , Y02P70/521
Abstract: 一种采用微波等离子CVD工艺连续形成大面积功能性淀积薄膜的方法，所述方法包括：按纵向连续移动的基片带；在基片移动过程中通过弯曲和凸起所述移动基片带以形成所述成膜室圆周壁的圆筒形部分从而建立具有成膜空间的基本封闭的成膜室；通过气体输送装置将成膜原材料气体导入所述成膜空间；同时，通过采用微波施加装置将微波能辐射或传播到所述成膜空间，其中微波施加装置能够以垂直于微波能传播方向具有方向性地辐射或传播所述微波能以便在所述成膜空间产生微波等离子区，由此在暴露于所述微波等离子区的所述连续移动圆周壁的内表面上连续形成功能性淀积薄膜。一种适用于实际所述方法的装置。
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