公开(公告)号：CN102184965B

公开(公告)日：2014-12-10

申请号：CN201110007382.7

申请日：2011-01-14

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 清水久恵 ,  安部胜美 ,  林享

IPC: H01L29/786 ,  G09G3/32

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/78633

Abstract: 本发明涉及驱动晶体管的方法和包含由该方法驱动的晶体管的器件，所述晶体管包括：半导体层、第一绝缘层、第二绝缘层、第一导电层和第二导电层，使得所述半导体层被布置在第一和第二绝缘层之间，所述第一绝缘层的一个表面与第一导电层接触，与所述第一绝缘层的所述一个表面相反的另一表面与半导体层接触，所述第二绝缘层的一个表面与第二导电层接触，与所述第二绝缘层的所述一个表面相反的另一表面与半导体层接触。所述方法包括：将电压VBG施加到第二导电层，所述电压VBG满足VBG≤VON1×C1/(C1+C2)的关系。

公开(公告)号：CN102184965A

公开(公告)日：2011-09-14

申请号：CN201110007382.7

申请日：2011-01-14

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 清水久恵 ,  安部胜美 ,  林享

IPC: H01L29/786 ,  G09G3/32

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/78633

Abstract: 本发明涉及驱动晶体管的方法和包含由该方法驱动的晶体管的器件，所述晶体管包括：半导体层、第一绝缘层、第二绝缘层、第一导电层和第二导电层，使得所述半导体层被布置在第一和第二绝缘层之间，所述第一绝缘层的一个表面与第一导电层接触，与所述第一绝缘层的所述一个表面相反的另一表面与半导体层接触，所述第二绝缘层的一个表面与第二导电层接触，与所述第二绝缘层的所述一个表面相反的另一表面与半导体层接触。所述方法包括：将电压VBG施加到第二导电层，所述电压VBG满足VBG≤VON1×C1/(C1+C2)的关系。

公开(公告)号：CN101960571B

公开(公告)日：2012-07-25

申请号：CN200980107330.8

申请日：2009-03-02

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 大藤将人 ,  安部胜美 ,  清水久惠 ,  林享 ,  佐野政史 ,  云见日出也 ,  高井康好 ,  川崎岳彦 ,  金子典夫

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78633

Abstract: 在至少包括半导体的半导体元件的处理方法中，通过用波长比半导体的吸收边波长长的光照射半导体，改变半导体元件的阈值电压。半导体中的隙内状态的面密度为1013cm-2eV-1或更小。带隙可为2eV或更大。半导体可包括从由In、Ga、Zn和Sn构成的组中选择的至少一种。半导体可以是从由非晶In-Ga-Zn-O(IGZO)、非晶In-Zn-O(IZO)和非晶Zn-Sn-O(ZTO)构成的组中选择的一种。光照射可在半导体元件中引起阈值电压偏移，该阈值电压偏移具有与由制造工艺历史、时间相关变化、电应力或热应力导致的阈值电压偏移相反的符号。

公开(公告)号：CN101595564B

公开(公告)日：2011-06-22

申请号：CN200880003355.9

申请日：2008-01-17

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 大藤将人 ,  安部胜美 ,  佐野政史 ,  云见日出也 ,  林享

IPC: H01L27/32

CPC classification number: H01L27/3265 ,  H01L27/3248 ,  H01L2227/323 ,  H01L2251/5323

Abstract: 一种有源矩阵显示装置包含在基板(10)上形成的晶体管(20)、存储电容器(30)和发光元件(40)。晶体管(20)具有源极电极(21)、漏极电极(22)和栅极电极(23)。存储电容器(30)具有依次层叠在基板(10)上的第一电极(31)、电介质层(32)和第二电极(33)的多层结构。发光元件(40)具有依次层叠在基板(10)上的第三电极(41)、发光层(42)和第四电极(43)的多层结构。第一电极(31)与栅极电极(23)连接，并且，存储电容器(30)的至少一部分被设置在基板(10)和发光元件(40)之间。基板(10)、第一电极(31)、第二电极(33)和第三电极(41)均由透过可见光的材料形成。

公开(公告)号：CN101772797A

公开(公告)日：2010-07-07

申请号：CN200880102084.2

申请日：2008-07-29

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 清水久惠 ,  安部胜美 ,  林享

IPC: G09G3/30 ,  G09G3/20 ,  H01L51/50

CPC classification number: G09G3/3258 ,  G09G3/3233 ,  G09G2300/0417 ,  G09G2300/0842 ,  G09G2320/0233 ,  G09G2320/043

Abstract: 为了抑制在TFT的使用中电应力对TFT特性的影响，根据本发明的发光显示装置包括有机EL器件和用于驱动该有机EL器件的驱动电路。该驱动电路包括：多个像素，每个像素具有薄膜晶体管，该薄膜晶体管的阈值电压因施加在栅极端和源极端之间的电应力而可逆地改变；和电压施加单元，其将该薄膜晶体管的栅极电位设定为高于源极电位。该电压施加单元在该薄膜晶体管未被驱动时将电应力施加在该栅极端和该源极端之间，以便于在阈值电压相对于电应力饱和的区域中驱动该薄膜晶体管。

公开(公告)号：CN101595564A

公开(公告)日：2009-12-02

申请号：CN200880003355.9

申请日：2008-01-17

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 大藤将人 ,  安部胜美 ,  佐野政史 ,  云见日出也 ,  林享

IPC: H01L27/32

CPC classification number: H01L27/3265 ,  H01L27/3248 ,  H01L2227/323 ,  H01L2251/5323

Abstract: 一种有源矩阵显示装置包含在基板(10)上形成的晶体管(20)、存储电容器(30)和发光元件(40)。晶体管(20)具有源极电极(21)、漏极电极(22)和栅极电极(23)。存储电容器(30)具有依次层叠在基板(10)上的第一电极(31)、电介质层(32)和第二电极(33)的多层结构。发光元件(40)具有依次层叠在基板(10)上的第三电极(41)、发光层(42)和第四电极(43)的多层结构。第一电极(31)与栅极电极(23)连接，并且，存储电容器(30)的至少一部分被设置在基板(10)和发光元件(40)之间。基板(10)、第一电极(31)、第二电极(33)和第三电极(41)均由透过可见光的材料形成。

公开(公告)号：CN100514426C

公开(公告)日：2009-07-15

申请号：CN200710086340.0

申请日：2007-03-13

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 安部胜美 ,  云见日出也 ,  林享 ,  佐野政史

IPC: G09G3/32 ,  G09G3/30 ,  G09G3/20 ,  H05B33/08 ,  H05B33/14 ,  H05B37/02 ,  G09F9/33

CPC classification number: G09G3/325 ,  G09G2300/0819 ,  G09G2300/0842 ,  G09G2300/0861 ,  G09G2320/043

Abstract: 提供了利用晶体管的磁滞特性驱动显示元件的像素电路和图像显示装置。该像素电路包括：提供分别从关状态过渡到开状态时和从开状态过渡到关状态时栅极电压值与漏极电流值之间的不同的第一和第二关系的晶体管；被提供有由晶体管控制的电流作为驱动电流的显示元件；及连接到晶体管栅极的电容器元件。第一和第二关系中的一个在用于设置要提供给显示元件的驱动电流的第一期间中使用。而第一和第二关系中的另一个在向显示元件提供驱动电流以进行发光的第二期间中使用。

公开(公告)号：CN101563720B

公开(公告)日：2013-04-24

申请号：CN200780047263.6

申请日：2007-12-12

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 安部胜美

IPC: G09G3/32

CPC classification number: G09G3/3233 ,  G09G2300/0819 ,  G09G2300/0842 ,  G09G2300/0861 ,  G09G2300/0866 ,  G09G2310/0251 ,  G09G2310/061 ,  G09G2320/0233 ,  G09G2320/0261 ,  G09G2320/043

Abstract: 公开一种抑制驱动晶体管的特性差异和由电气应力导致的特性偏移的影响的发光显示装置。该装置包括多个像素，每个像素包括以基于供给的电流确定的亮度发光的有机EL元件(OLED)以及用于基于来自数据线的控制电压向OLED供给电流的驱动电路。该驱动电路包括用于OLED的驱动晶体管(D-TFT)、电容器元件和多个开关元件。D-TFT具有与OLED的阳极端子连接的源极端子。电容器和开关元件工作，使得当从驱动电路向OLED供给电流时，D-TFT的栅极端子和源极端子之间的电压差为以下两个电压的和，所述两个电压即：驱动晶体管的阈值电压、以及根据电流设定时段期间的驱动晶体管的漏极端子的电压和控制电压所确定的电压。

公开(公告)号：CN101427296B

公开(公告)日：2011-05-18

申请号：CN200780014165.2

申请日：2007-08-24

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 安部胜美

IPC: G09G3/32

CPC classification number: G09G3/3241 ,  G09G3/2011 ,  G09G2300/0417 ,  G09G2300/0842 ,  G09G2300/0861 ,  G09G2300/0866 ,  G09G2310/0251 ,  G09G2310/061 ,  G09G2320/0223 ,  G09G2320/0233 ,  G09G2320/0238 ,  G09G2330/025

Abstract: 一种使用仅由单极性薄膜晶体管形成的驱动电路的发光显示设备，该驱动电路能够抑制晶体管的特性漂移的影响，并且可应用于大的、高分辨率的发光显示器。该设备包括具有有机EL器件(LED)和其驱动电路的像素。在电流写时期期间，驱动电路将TFT3、TFT4和TFT5设置为导通，并且通过开关TFT3将地线和LED的一端设置为相同的电压。通过TFT4和TFT5将来自数据线的电流提供给形成电流镜电路的晶体管L-TFT和D-TFT，并且将L-TFT和D-TFT的栅极端子和源极端子之间的电压保持在电容器内。在LED驱动时期期间，中断TFT3、TFT4和TFT5，并且根据保持电压将在D-TFT的源极和漏极之间流动的电流提供给LED。

公开(公告)号：CN101861615A

公开(公告)日：2010-10-13

申请号：CN200880116671.7

申请日：2008-11-11

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 清水久惠 ,  林享 ,  安部胜美

IPC: G09G3/32 ,  H03K19/094

CPC classification number: G09G3/3233 ,  G09G2300/0819 ,  G09G2300/0842 ,  G09G2320/0233 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/7869

Abstract: 一种发光显示装置包含多个像素。每个像素包含发光元件和发光元件的驱动电路，并且驱动电路包含并联连接的多个薄膜晶体管，薄膜晶体管的阈值电压根据在薄膜晶体管中的每一个的栅极和源极之间或栅极和漏极之间施加的电压而可逆地变化，在所述发光显示装置中，通过选择并切换多个薄膜晶体管TFT11至TFT13，用于向发光元件供给电流的薄膜晶体管的阈值电压被保持在预定范围内。