驱动晶体管的方法和包含由该方法驱动的晶体管的器件

    公开(公告)号:CN102184965B

    公开(公告)日:2014-12-10

    申请号:CN201110007382.7

    申请日:2011-01-14

    Abstract: 本发明涉及驱动晶体管的方法和包含由该方法驱动的晶体管的器件,所述晶体管包括:半导体层、第一绝缘层、第二绝缘层、第一导电层和第二导电层,使得所述半导体层被布置在第一和第二绝缘层之间,所述第一绝缘层的一个表面与第一导电层接触,与所述第一绝缘层的所述一个表面相反的另一表面与半导体层接触,所述第二绝缘层的一个表面与第二导电层接触,与所述第二绝缘层的所述一个表面相反的另一表面与半导体层接触。所述方法包括:将电压VBG施加到第二导电层,所述电压VBG满足VBG≤VON1×C1/(C1+C2)的关系。

    驱动晶体管的方法和包含由该方法驱动的晶体管的器件

    公开(公告)号:CN102184965A

    公开(公告)日:2011-09-14

    申请号:CN201110007382.7

    申请日:2011-01-14

    Abstract: 本发明涉及驱动晶体管的方法和包含由该方法驱动的晶体管的器件,所述晶体管包括:半导体层、第一绝缘层、第二绝缘层、第一导电层和第二导电层,使得所述半导体层被布置在第一和第二绝缘层之间,所述第一绝缘层的一个表面与第一导电层接触,与所述第一绝缘层的所述一个表面相反的另一表面与半导体层接触,所述第二绝缘层的一个表面与第二导电层接触,与所述第二绝缘层的所述一个表面相反的另一表面与半导体层接触。所述方法包括:将电压VBG施加到第二导电层,所述电压VBG满足VBG≤VON1×C1/(C1+C2)的关系。

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