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公开(公告)号：CN103077961A
公开(公告)日：2013-05-01
申请号：CN201310008995.1
申请日：2009-08-25
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L29/221 , H01L29/786 , H01L21/34
CPC classification number: H01L29/78663 , H01L29/7869
Abstract: 提供非晶氧化物半导体，其包括铟（In）和锌（Zn）中的至少一种元素与氢，该非晶氧化物半导体含有1×1020cm-3～1×1022cm-3的氢原子和氘原子中的一种，并且在该非晶氧化物半导体中，除了过剩氧（OEX）和氢之间的键之外的氧和氢之间的键密度小于等于1×1018cm-3。
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公开(公告)号：CN101809747A
公开(公告)日：2010-08-18
申请号：CN200880108292.3
申请日：2008-09-18
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L29/786
CPC classification number: H01L33/16 , H01L29/66969 , H01L29/78606 , H01L29/7869 , H01L29/78696 , H01L33/0054
Abstract: 一种晶体管由栅电极2、栅绝缘层3、由非晶氧化物形成的半导体层4、源电极5、漏电极6和保护层7构成。保护层7以与半导体层4接触的方式被设置在半导体层4上，并且，半导体层4包含至少用作沟道层的第一层和具有比第一层的电阻高的电阻的第二层。第一层被设置在半导体层4的栅电极2侧，第二层被设置在半导体层4的保护层7侧。
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公开(公告)号：CN101661952A
公开(公告)日：2010-03-03
申请号：CN200910167482.9
申请日：2009-08-25
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L29/12 , H01L29/786 , H01L27/02 , H01L21/34 , G02F1/1368
CPC classification number: H01L29/78663 , H01L29/7869
Abstract: 提供非晶氧化物半导体，其包括铟(In)和锌(Zn)中的至少一种元素与氢，该非晶氧化物半导体含有1×10 20 cm -3 ～1×10 22 cm -3 的氢原子和氘原子中的一种，并且在该非晶氧化物半导体中，除了过剩氧(O EX )和氢之间的键之外的氧和氢之间的键密度小于等于1×10 18 cm -3 。
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公开(公告)号：CN101104948A
公开(公告)日：2008-01-16
申请号：CN200710101158.8
申请日：2002-05-31
Applicant: 佳能株式会社
Abstract: 提供生产晶体薄膜的方法，包括将具有各个区域的起始薄膜进行熔化和再固化，所述区域在其状态上彼此不同而连续共存。起始薄膜的小区域所具有的晶粒或晶体簇的数目浓度的尺寸分布与周围区域不同。在熔化和再固化过程中，优先在一个区域中生长晶粒以控制晶粒在晶体薄膜中的位置。
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公开(公告)号：CN1166693A
公开(公告)日：1997-12-03
申请号：CN97105404.5
申请日：1997-05-28
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L21/302 , H01L21/306 , B28D7/02
CPC classification number: H01L21/02052 , B08B3/12 , H01L21/3063
Abstract: 所提供的是一种多孔半导体衬底的恰当清洗方法，它不会出现由空化或共振造成的多孔结构瓦解。在至少表面内带有多孔结构的半导体衬底的多孔表面的清洗方法中，用来清除附着于衬底的多孔表面的尘埃颗粒的清洗，用其上叠加有频率在600KHz-2MHz范围内的高频波的纯水来进行。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102569414A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201110418044.2
申请日：2011-12-15
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L29/10 , H01L29/26
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L29/66969 , H01L29/78618
Abstract: 本发明涉及沟道刻蚀型薄膜晶体管及其制造方法。通过使用氧化物半导体在衬底上形成沟道层，并且随后在沟道层上形成包含In、Zn和Ga并且表现出比该氧化物半导体的刻蚀速率大的刻蚀速率的氧化物的牺牲层。其后，在牺牲层上形成源极电极和漏极电极，并且利用湿法刻蚀去除在源极电极和漏极电极之间露出的牺牲层。
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公开(公告)号：CN102549757A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN200980161640.8
申请日：2009-09-30
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/7869
Abstract: 在氧化物半导体薄层晶体管中，为了实现阈值电压对于电应力的稳定性和抑制传输特性中阈值电压的变动，本发明提供薄膜晶体管，其包括氧化物半导体层和经设置以与该氧化物半导体层接触的栅极绝缘层，其中该氧化物半导体层含有氢原子并且包括至少两个作为该氧化物半导体的活性层发挥功能并且在层厚度方向上具有不同的平均氢浓度的区域；并且从栅极绝缘层侧开始将作为该氧化物半导体的活性层发挥功能的区域依次定义为第一区域和第二区域时，该第一区域的平均氢浓度低于该第二区域的平均氢浓度。
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公开(公告)号：CN101681927A
公开(公告)日：2010-03-24
申请号：CN200880015916.7
申请日：2008-05-15
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L29/786
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L27/1233
Abstract: 为了提供可被容易地制造的增强-耗尽(E/D)反相器，在本发明中，提供包含在同一基板上形成的、沟道层包含选自In、Ga和Zn的至少一种元素的氧化物半导体的反相器的制造方法，该反相器是具有多个薄膜晶体管的E/D反相器，该制造方法的特征在于包括以下步骤：形成第一晶体管和第二晶体管，第一晶体管和第二晶体管的沟道层的厚度互不相同；以及对于第一晶体管和第二晶体管的沟道层中的至少一个执行热处理。
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公开(公告)号：CN1132229C
公开(公告)日：2003-12-24
申请号：CN97105404.5
申请日：1997-05-28
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L21/302 , H01L21/306 , B08B3/12 , B28D7/02
CPC classification number: H01L21/02052 , B08B3/12 , H01L21/3063
Abstract: 所提供的是一种多孔半导体衬底的恰当清洗方法，它不会出现由空化或共振造成的多孔结构瓦解。在至少表面内带有多孔结构的半导体衬底的多孔表面的清洗方法中，用来清除附着于衬底的多孔表面的尘埃颗粒的清洗，用其上叠加有频率在600KHz-2MHz范围内的高频波的纯水来进行。
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公开(公告)号：CN101809747B
公开(公告)日：2012-12-26
申请号：CN200880108292.3
申请日：2008-09-18
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L29/786
CPC classification number: H01L33/16 , H01L29/66969 , H01L29/78606 , H01L29/7869 , H01L29/78696 , H01L33/0054
Abstract: 本发明涉及薄膜晶体管、其制造方法和使用薄膜晶体管的显示装置。一种晶体管由栅电极2、栅绝缘层3、由非晶氧化物形成的半导体层4、源电极5、漏电极6和保护层7构成。保护层7以与半导体层4接触的方式被设置在半导体层4上，并且，半导体层4包含至少用作沟道层的第一层和具有比第一层的电阻高的电阻的第二层。第一层被设置在半导体层4的栅电极2侧，第二层被设置在半导体层4的保护层7侧。
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