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公开(公告)号：CN112995513B
公开(公告)日：2022-10-28
申请号：CN202110230586.0
申请日：2019-09-09
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H04N5/232
Abstract: 本发明提供一种电子设备及其控制方法和存储介质。所述电子设备包括：检测器，其被配置为至少检测对操作构件的第一方向上的操作量；以及分配单元，其被配置为基于用户操作，将特定功能的不同值分别分配至所述第一方向上的操作量的多个级。所述分配单元还能够将基于预先存储的至少一个预设模式的值分别分配至所述多个级。所述至少一个预设模式包括如下的预设模式，该预设模式用于将所述特定功能的第一值分配至包括所述检测器能够检测到的所述第一方向上的最大操作量的最大级，以及将比所述第一值小的同一值分别分配至除所述最大级和处于不工作状态的级以外的所述检测器能够检测到的所述第一方向上的多个级。
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公开(公告)号：CN110891141B
公开(公告)日：2022-05-10
申请号：CN201910848538.0
申请日：2019-09-09
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H04N5/232
Abstract: 本发明提供一种电子设备及其控制方法和存储介质。所述电子设备包括：获取单元，其被配置为获取与特定功能有关的第一数量的值，所述第一数量的值中的各个值能够得到N值中的一个；以及显示控制单元，其被配置为进行控制，使得显示第一数量的显示项，各个显示项分别对应所述获取单元所获取到的第一数量的值中的一个，所述第一数量的显示项中的各个代表n个值中的一个，其中n小于N，其中，由所述各显示项所表示的值是根据所述获取单元所获取到的第一数量的值中的除与该显示项相对应的值以外的多个值而确定的。
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公开(公告)号：CN119342629A
公开(公告)日：2025-01-21
申请号：CN202410965247.0
申请日：2024-07-18
Applicant: 佳能株式会社
Inventor： 佐藤步
IPC: H04W76/30 , H04W76/15 , H04W60/00 , H04N23/661
Abstract: 本发明涉及一种控制设备及其控制方法、计算机程序产品和存储介质。该控制设备包括：通信装置，其能够可通信地连接至多个外部装置；第一判断单元，其被配置为判断所述通信装置所连接的外部装置的总数量；以及控制单元，其被配置为在通过所述通信装置建立了与预定外部装置的连接之后，根据所述第一判断单元判断出的所连接的外部装置的总数量来切断与所述预定外部装置的连接。
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公开(公告)号：CN112995513A
公开(公告)日：2021-06-18
申请号：CN202110230586.0
申请日：2019-09-09
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H04N5/232
Abstract: 本发明提供一种电子设备及其控制方法和存储介质。所述电子设备包括：检测器，其被配置为至少检测对操作构件的第一方向上的操作量；以及分配单元，其被配置为基于用户操作，将特定功能的不同值分别分配至所述第一方向上的操作量的多个级。所述分配单元还能够将基于预先存储的至少一个预设模式的值分别分配至所述多个级。所述至少一个预设模式包括如下的预设模式，该预设模式用于将所述特定功能的第一值分配至包括所述检测器能够检测到的所述第一方向上的最大操作量的最大级，以及将比所述第一值小的同一值分别分配至除所述最大级和处于不工作状态的级以外的所述检测器能够检测到的所述第一方向上的多个级。
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公开(公告)号：CN102549757A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN200980161640.8
申请日：2009-09-30
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/7869
Abstract: 在氧化物半导体薄层晶体管中，为了实现阈值电压对于电应力的稳定性和抑制传输特性中阈值电压的变动，本发明提供薄膜晶体管，其包括氧化物半导体层和经设置以与该氧化物半导体层接触的栅极绝缘层，其中该氧化物半导体层含有氢原子并且包括至少两个作为该氧化物半导体的活性层发挥功能并且在层厚度方向上具有不同的平均氢浓度的区域；并且从栅极绝缘层侧开始将作为该氧化物半导体的活性层发挥功能的区域依次定义为第一区域和第二区域时，该第一区域的平均氢浓度低于该第二区域的平均氢浓度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114071011B
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202110896910.2
申请日：2021-08-05
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H04N23/62 , H04N21/472 , H04N23/63 , H04N23/66
Abstract: 本发明提供显示控制设备、用于控制其的控制方法和记录介质。显示控制设备在再现内容的状态下进行控制，使得当通过用户对操作单元的操作而将内容的再现位置改变到相对于内容的末尾的第一范围时，从进行了改变的位置起继续再现，并且当内容的再现位置到达内容的末尾时，再现自动转变到下一个内容的再现，以及当通过用户对所述操作单元的操作而将内容的再现位置改变到相对于内容的末尾的与所述第一范围不同的第二范围时，并且即使当内容的再现位置到达内容的末尾时，再现也不会自动转变到下一个内容的再现，并且暂停内容的再现。
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公开(公告)号：CN114071011A
公开(公告)日：2022-02-18
申请号：CN202110896910.2
申请日：2021-08-05
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H04N5/232 , H04N21/472
Abstract: 本发明提供显示控制设备、用于控制其的控制方法和记录介质。显示控制设备在再现内容的状态下进行控制，使得当通过用户对操作单元的操作而将内容的再现位置改变到相对于内容的末尾的第一范围时，从进行了改变的位置起继续再现，并且当内容的再现位置到达内容的末尾时，再现自动转变到下一个内容的再现，以及当通过用户对所述操作单元的操作而将内容的再现位置改变到相对于内容的末尾的与所述第一范围不同的第二范围时，并且即使当内容的再现位置到达内容的末尾时，再现也不会自动转变到下一个内容的再现，并且暂停内容的再现。
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公开(公告)号：CN112995512A
公开(公告)日：2021-06-18
申请号：CN202110230581.8
申请日：2019-09-09
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H04N5/232
Abstract: 本发明提供一种电子设备及其控制方法和存储介质。所述电子设备包括：设置单元，其被配置为将对特定操作构件的操作量划分成M个级，并且向所述操作量的各级分配和设置处理内容；以及控制单元，其被配置为进行控制，使得在操作所述特定操作构件的情况下，对与所操作的操作量相对应的第N级以相对于被分配了其它处理内容的级能够识别的方式进行识别显示，以及在向与第N级不同的第i级分配与第N级相同的处理内容的情况下，还对第i级进行所述识别显示。
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公开(公告)号：CN101884109B
公开(公告)日：2011-12-28
申请号：CN200880118780.2
申请日：2008-11-27
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L29/786
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L29/4908 , H01L29/78606
Abstract: 提供一种包括氧化物半导体层和与氧化物半导体层接触的绝缘层的氧化物半导体器件，其中，绝缘层包含：与氧化物半导体接触、具有50nm或更大的厚度并且包含含有Si和O的氧化物的第一绝缘层；与第一绝缘层接触、具有50nm或更大的厚度并且包含含有Si和N的氮化物的第二绝缘层；和与第二绝缘层接触的第三绝缘层，并且，第一绝缘层和第二绝缘层具有4×1021原子/cm3或更少的氢含量，并且，第三绝缘层具有大于4×1021原子/cm3的氢含量。
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公开(公告)号：CN101884109A
公开(公告)日：2010-11-10
申请号：CN200880118780.2
申请日：2008-11-27
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L29/786
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L29/4908 , H01L29/78606
Abstract: 提供一种包括氧化物半导体层和与氧化物半导体层接触的绝缘层的氧化物半导体器件，其中，绝缘层包含：与氧化物半导体接触、具有50nm或更大的厚度并且包含含有Si和O的氧化物的第一绝缘层；与第一绝缘层接触、具有50nm或更大的厚度并且包含含有Si和N的氮化物的第二绝缘层；和与第二绝缘层接触的第三绝缘层，并且，第一绝缘层和第二绝缘层具有4×1021原子/cm3或更少的氢含量，并且，第三绝缘层具有大于4×1021原子/cm3的氢含量。
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