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公开(公告)号：CN102066988B
公开(公告)日：2012-11-14
申请号：CN200980123871.X
申请日：2009-04-27
Applicant: 住友金属矿山株式会社
CPC classification number: G03B9/02 , G02B5/003 , G02B5/005 , Y10T428/24355 , Y10T428/2495 , Y10T428/26 , Y10T428/265
Abstract: 本发明提供一种薄膜状遮光板、进而适用于该薄膜状遮光板的数码相机、数码摄像机的光圈、投影仪的光量调节用光圈装置或者快门，该薄膜状遮光板将可以广泛适用于光学部件的、具有在可见光区域中的足够遮光性和低反射性的遮光性薄膜形成在作为基质基材的该树脂薄膜上而得到的。提供一种薄膜状遮光板，该薄膜状遮光板是在树脂薄膜基材(A)的至少一面上形成由结晶性碳化氧化钛膜形成的遮光性薄膜(B)而得到的薄膜状遮光板，其特征在于：遮光性薄膜(B)的碳量以C/Ti原子数比计为0.6以上，且氧量以O/Ti原子数比计为0.2～0.6，而且遮光性薄膜(B)的膜厚的总和为260nm以上，波长400～800nm下的平均光学浓度为4.0以上。
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公开(公告)号：CN102482154A
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN201080034731.8
申请日：2010-07-29
Applicant: 住友金属矿山株式会社
CPC classification number: H01J37/3429 , C04B35/01 , C04B35/645 , C04B2235/3229 , C04B2235/3232 , C04B2235/3244 , C04B2235/3256 , C04B2235/3258 , C04B2235/3284 , C04B2235/3286 , C04B2235/3293 , C04B2235/5436 , C04B2235/5445 , C04B2235/5472 , C04B2235/6562 , C04B2235/6565 , C04B2235/6567 , C04B2235/6581 , C04B2235/6585 , C04B2235/6586 , C04B2235/668 , C04B2235/77 , C04B2235/786 , C04B2235/95 , C04B2235/963 , C23C14/08 , C23C14/3414 , H01B1/08 , H01J1/00 , H01L31/022466 , H01L33/42
Abstract: 本发明提供离子镀用片料、为了获得离子镀用片料的最适合的氧化物烧结体和其制造方法，该离子镀用片料可以实现适用于蓝色LED或太阳能电池的透明导电膜的高速成膜和不产生飞溅的结节少的成膜。一种离子镀用片料，该离子镀用片料通过将氧化物烧结体加工而得到，该氧化物烧结体含有作为氧化物形式的铟和铈，铈的含量以Ce/(In+Ce)原子数比计为0.3～9原子％，其特征在于，该氧化物烧结体以方铁锰矿型结构的In2O3相为主结晶相，作为第二相的萤石型结构的CeO2相作为平均粒径3μm以下的结晶颗粒而进行微细地分散，氧化物烧结体通过下述方法制造：将含有氧化铟粉末和氧化铈粉末的平均粒径1.5μm以下的原料粉末混合后，对混合粉末进行成形，通过常压烧结法对成形物进行烧结，或者利用热压法对混合粉末进行成形并烧结。
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公开(公告)号：CN101024874B
公开(公告)日：2011-08-10
申请号：CN200610167476.X
申请日：2006-12-20
Applicant: 住友金属矿山株式会社
CPC classification number: H01B1/12 , C04B35/01 , C04B2235/3286 , C04B2235/5436 , C04B2235/656 , C04B2235/77 , C04B2235/80
Abstract: 本发明的透明导电膜制造用烧结体靶主要由Ga、In和O形成，相对全部金属原子含有49.1原子％以上65原子％以下的Ga，主要由β-GaInO3相和In2O3相构成，In2O3相(400)/β-GaInO3相(111)X射线衍射峰强度比为45％以下，并且密度在5.8g/cm3以上。使用溅射法得到的透明导电膜为主要由Ga、In和O形成的非晶质氧化物膜透明导电膜，相对全部金属原子含有49.1原子％以上65原子％以下的Ga，功函数在5.1eV以上，波长633nm下的折射率在1.65以上1.85以下。
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公开(公告)号：CN100552078C
公开(公告)日：2009-10-21
申请号：CN200510069482.7
申请日：2003-03-27
Applicant: 住友金属矿山株式会社
Inventor： 阿部能之
Abstract: 本发明提供透明导电性薄膜、具有该透明导电性薄膜的显示屏用透明导电性基体材料及发光特性优良的有机电发光元件。透明导电性薄膜，通过使用烧结体靶的溅射喷镀等可以容易地形成，不需要腐蚀和研磨加工的后处理，具有低电阻，并且表面平滑性优良，在可见光领域的低波长侧透过率大。透明导电性薄膜是以氧化铟为主要成份含有硅的透明导电性薄膜，其构造实质上是非结晶质，而且硅的含量，对于铟和硅的合计量是0.5～13原子%；或者是以氧化铟为主要成份含有钨和锗的透明导电性薄膜，W/In的原子数比是0.003～0.047及Ge/In的原子数比是0.001～0.190。
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公开(公告)号：CN100426014C
公开(公告)日：2008-10-15
申请号：CN200510084879.3
申请日：2005-07-18
Applicant: 住友金属矿山株式会社
CPC classification number: G02B5/22
Abstract: 本发明涉及吸收型多层膜ND滤光器，该吸收型多层膜ND滤光器具有包括基板和、以镍(Ni)为主要成分的金属层和SiO2、Al2O3或它们的混合物制成的电介质层在基板上交替层叠而形成的光学多层体的结构。在作为光衰减层的上述金属层上，由于使用了可视光区域中分光透射率的波长依赖性小的镍系金属材料，因此可以实现相对于波长能够获得平坦的透射率衰减的ND滤光器。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1326154C
公开(公告)日：2007-07-11
申请号：CN03147688.0
申请日：2003-05-20
Applicant: 住友金属矿山株式会社
Inventor： 阿部能之
IPC: H01B1/08 , H01L31/00 , G02F1/1343 , C23C14/06
CPC classification number: C04B35/01 , C04B35/64 , C04B2235/3258 , C04B2235/3286 , C04B2235/5436 , C04B2235/5445 , C04B2235/664 , C04B2235/76 , C04B2235/80 , C04B2235/96 , H01B1/08
Abstract: 一种氧化物烧结体，主要由In组成并含有W，其电阻率不超过1KΩcm。W含量优选W/In原子比至少0.001，不超过0.17。该氧化物烧结体主要包含具有方铁锰矿结构的、其中固溶有W的氧化铟晶相和/或钨酸铟化合物晶相，并且不含氧化钨晶相。因此，该氧化物烧结体用作溅射靶可以生产具有低电阻和对红外光具有高透射率的氧化物基透明导电膜。
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公开(公告)号：CN1779493A
公开(公告)日：2006-05-31
申请号：CN200510108571.8
申请日：2005-10-12
Applicant: 住友金属矿山株式会社
IPC: G02B5/22
Abstract: 本发明涉及一种将使透射光衰减的吸收型多层膜设置在薄膜基板上的吸收型多层膜ND滤光片，其特征在于，吸收型多层膜(13、16)是通过交替层叠由SiO2、Al2O3或者这些等的混合物构成的电介质层(14、17)和由Ni单体或者Ni类合金构成的金属膜层(15、18)而形成的多层膜构成的，吸收型多层膜在基板的两面上分别形成，从而成为以基板为中心而相互对称的膜结构，并且，基板的弯曲的曲率半径被调整为大于等于500mm。
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公开(公告)号：CN102543250B
公开(公告)日：2015-08-12
申请号：CN201110408371.X
申请日：2007-03-12
Applicant: 住友金属矿山株式会社
IPC: H01B1/08 , H01B5/14 , H01B13/00 , C04B35/453 , C04B35/457 , C23C14/34 , C23C14/32
CPC classification number: H01B1/08 , C04B35/453 , C04B35/457 , C04B35/6261 , C04B2235/3217 , C04B2235/3232 , C04B2235/3251 , C04B2235/3256 , C04B2235/3258 , C04B2235/3284 , C04B2235/3286 , C04B2235/3293 , C04B2235/3294 , C04B2235/5436 , C04B2235/5445 , C04B2235/6562 , C04B2235/6565 , C04B2235/6567 , C04B2235/6585 , C04B2235/6586 , C04B2235/664 , C04B2235/80
Abstract: 本发明涉及一种氧化物烧结体、靶电极、氧化物透明电极的制造方法以及氧化物透明导电膜，提供输入高直流电功率也不会产生电弧和裂缝、作为可发生溅射的靶电极而有用的、实质上由锌、锡和氧构成的氧化物烧结体，和快速形成氧化物透明导电膜的制造方法以及耐化学试剂性优良的氧化物透明导电膜。提供一种氧化物烧结体，是实质上由锌、锡和氧构成的氧化物烧结体，锡以Sn/(Zn+Sn)的原子数比计含有0.23～0.50，并且，主要由氧化锌晶体相和锡酸锌化合物晶体相构成，或者由锡酸锌化合物晶体相构成，实质上不含氧化锡晶体相或固溶锌的氧化锡晶体相。
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公开(公告)号：CN103030381A
公开(公告)日：2013-04-10
申请号：CN201210572958.9
申请日：2008-07-02
Applicant: 住友金属矿山株式会社
CPC classification number: C23C14/3414 , C03C17/245 , C04B35/01 , C04B2235/3229 , C04B2235/3232 , C04B2235/3244 , C04B2235/3251 , C04B2235/3256 , C04B2235/3258 , C04B2235/3286 , C04B2235/3287 , C04B2235/3293 , C04B2235/3418 , C04B2235/5445 , C04B2235/76 , C04B2235/762 , C04B2235/77 , C04B2235/786 , C04B2235/80 , C23C14/086 , C23C14/3407 , H01B1/08 , Y10T428/24355 , Y10T428/268 , Y10T428/30 , Y10T428/31507 , Y10T428/31786 , Y10T428/31935
Abstract: 本发明涉及一种氧化物烧结体及其制造方法、靶、使用该靶得到的透明导电膜以及透明导电性基材。本发明提供可以实现高速成膜和无结节的溅射用靶或离子电镀用片料，用于得到它们的最佳氧化物烧结体及其制造方法，以及使用该氧化物烧结体得到的蓝光吸收少的低电阻透明导电膜。本发明提供的氧化物烧结体等的特征在于：在含有铟和镓作为氧化物的烧结体中，方铁锰矿型结构的In2O3相为主结晶相，在主结晶相中，β-Ga2O3型结构的GaInO3相、或GaInO3相和(Ga,In)2O3相以平均粒径为5μm以下的晶粒微细地分散，镓含量以Ga/(In+Ga)原子数比计，为10原子%以上、小于20原子%。
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公开(公告)号：CN101960625B
公开(公告)日：2013-01-23
申请号：CN200980107932.3
申请日：2009-03-05
Applicant: 住友金属矿山株式会社
CPC classification number: H01L33/42 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明提供能够有效地输出蓝色光或紫外光的半导体发光元件以及使用该半导体发光元件的灯。在制造具有至少含p型半导体层的化合物半导体层和在该p型半导体层上设置的透明电极的半导体发光元件时，通过在上述p型半导体层上形成非晶质状态的由铟和镓构成的氧化物膜、或者形成非晶质状态的由铟、镓和锡构成的氧化物膜，从而形成透明导电膜，然后，在200～480℃的温度下对上述透明导电膜进行退火处理的工序，制造出半导体发光元件。
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