公开(公告)号：CN109665829A

公开(公告)日：2019-04-23

申请号：CN201710990405.8

申请日：2017-10-14

Applicant: 山东春光磁电科技有限公司

Inventor： 宋兴连 ,  刘涛 ,  韩卫东 ,  解丽丽

IPC: C04B35/26 ,  C04B35/622 ,  H01F1/34

CPC classification number: C04B35/2658 ,  C04B35/622 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3256 ,  C04B2235/3275 ,  C04B2235/34 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/95 ,  H01F1/344

Abstract: 本发明提出了一种能降低开裂的高磁通量铁氧体粉体粉料，其原料按摩尔比包括以下组分：三氧化二铁51.0-55.0份、氧化锌21.0-25.0份、氧化锰20.0-28.0份，并加入固体重量比0.7-1.5份的胶水，及一定重量的惰性纳米复合材料。加入玻璃化温度小于四十度的聚乙酸乙烯酯从而极大提高粉料的一维压缩性，采用主成分为纳米无定型态氧化铁(或羟基氧化铁)和四氧化三锰制备的惰性纳米复合颗粒，既能在前期提供排胶通道，又能在后期熔融到原有晶粒内部而不影响铁氧体主成分；采用含降阻剂羟乙基纤维素溶液的惰性纳米材料包覆的铁氧体浆料进行喷雾造粒能降低浆料与喷雾塔喷枪喷片的磨损，降低成本同时提高了颗粒尺寸一致性。

公开(公告)号：CN109626992A

公开(公告)日：2019-04-16

申请号：CN201910117215.4

申请日：2019-02-15

Applicant: 哈尔滨理工大学

Inventor： 迟庆国 ,  赵学文 ,  张天栋 ,  张昌海 ,  王暄

IPC: C04B35/475 ,  C04B35/622 ,  C04B35/626 ,  C04B26/20

CPC classification number: C04B35/475 ,  C04B26/20 ,  C04B35/622 ,  C04B35/62605 ,  C04B2235/3201 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/95 ,  C04B18/023

Abstract: 本发明涉及一种钛酸铋钠‑钛酸钡/聚酰亚胺基介电复合材料及其制备方法，属于介电复合材料技术领域。为解决制备介质电容器的聚合物介电常数相对较低的问题，本发明利用固相法制备钛酸铋钠‑钛酸钡颗粒；将4,4’‑二氨基二苯醚和钛酸铋钠‑钛酸钡颗粒加入到N,N‑二甲基甲酰胺中，再将均苯四甲酸酐加入混合溶液制成前驱体溶液；将前驱体溶液制成薄膜后进行酰亚胺化处理，得到掺杂量为介电复合材料体积1～15vol.％，具有较高的相对介电常数的钛酸铋钠‑钛酸钡/聚酰亚胺基介电复合材料。将本发明介电复合材料用于电介质电容器可提高电介质电容器的能量密度，使其能够适用于需要脉冲功率的电子设备并进一步实现高功率电子设备的小型化。

公开(公告)号：CN109415201A

公开(公告)日：2019-03-01

申请号：CN201780042701.3

申请日：2017-05-12

Applicant: 康宁股份有限公司

Inventor： J·A·布朗 ,  T·D·凯查姆 ,  D·A·诺兰 ,  W·塞钠拉特纳 ,  J·杨 ,  H·张

IPC: B82Y10/00 ,  C04B35/486 ,  C04B35/488 ,  C04B35/505 ,  G11C13/04 ,  H04B10/70

CPC classification number: G11C13/048 ,  B82Y10/00 ,  B82Y20/00 ,  C04B35/486 ,  C04B35/488 ,  C04B35/505 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/95 ,  C04B2235/9646 ,  C04B2235/9653 ,  G06N10/00 ,  G11C13/04 ,  H04B10/29 ,  H04B10/291 ,  H04B10/70

Abstract: 一种量子存储器系统包括掺杂的多晶陶瓷光学器件、磁场生成单元和一个或多个泵浦激光器。当磁场生成单元生成磁场时，掺杂的多晶陶瓷光学器件定位于磁场生成单元的磁场内，该一个或多个泵浦激光器光学地耦合到掺杂的多晶陶瓷光学器件，并且掺杂的多晶陶瓷光学器件被掺杂有稀土元素掺杂剂，该稀土元素掺杂剂分布在掺杂的多晶陶瓷光学器件的晶格内，使得至少50％的稀土元素掺杂剂在远离晶格的晶界的位置处被掺杂到晶格的晶粒中。

公开(公告)号：CN109133937A

公开(公告)日：2019-01-04

申请号：CN201810895972.X

申请日：2018-08-08

Applicant: 天津德天助非晶纳米科技有限公司

Inventor： 樊自拴 ,  郭漫青 ,  樊金明 ,  王山松

IPC: C04B35/58 ,  C04B35/622 ,  C04B35/626 ,  C23C24/10

CPC classification number: C04B35/58064 ,  C04B35/622 ,  C04B35/62605 ,  C04B2235/95 ,  C04B2235/96 ,  C23C24/10

Abstract: 本发明公开了一种三元硼化物及其制备方法和应用，属于金属材料的镀覆领域。其目的是为了提供一种制备简便、成本低的三元硼化物及其制备方法和应用。本发明三元硼化物是由包括26.6份TiO2、35.9份Cr2O3、25.9份B4C、11.6份C的原料制备得到的；本发明的三元硼化物用于制备铁基耐磨涂层。本发明的三元硼化物可用于增强铁基涂层，采用该三元硼化物制备得到的涂层稀释率低，热影响区小，与基体的结合力强，为冶金结合，涂层的厚度可调，且制造成本低。

公开(公告)号：CN109020548A

公开(公告)日：2018-12-18

申请号：CN201810751993.4

申请日：2018-07-10

Applicant: 四川大学

Inventor： 廖志君 ,  陈睿翀 ,  苏琳 ,  齐建起 ,  施奇武 ,  卢铁城

IPC: C04B35/563 ,  C04B35/622 ,  C04B35/634

CPC classification number: C04B35/563 ,  C04B35/622 ,  C04B35/63428 ,  C04B2235/95

Abstract: 本发明所述高壁厚均匀性碳化硼空心陶瓷微球的快速制备方法，步骤如下：(1)将Isobam‑104溶于去离子水中，随后加入聚丙烯酰胺形成预混液，将碳化硼粉体加入预混液中形成均匀分散的碳化硼浆料；(2)将超声清洗后的可热解基底微球粘接于引流棒一端，并将引流棒垂直于水平面固定；将步骤(1)所得碳化硼浆料通过浇注设备浇注在其下方的可热解基底微球上，碳化硼浆料在重力作用下覆盖在所述基底微球表面并在室温固化，再经干燥后形成碳化硼微球素坯；(3)将碳化硼微球素坯于500～600℃保温至其内部的基底微球和所含有机物完全分解，随后在真空条件于1500～1550℃保温2～5h，即得碳化硼空心陶瓷微球。

公开(公告)号：CN108975866A

公开(公告)日：2018-12-11

申请号：CN201810852003.6

申请日：2018-07-30

Applicant: 江西博鑫精陶环保科技有限公司

Inventor： 吴汉阳 ,  吴根洋 ,  倪小兰 ,  程家太

IPC: C04B33/04 ,  C04B33/13 ,  C04B38/00 ,  F28D20/00

CPC classification number: C04B33/04 ,  C04B33/13 ,  C04B38/0016 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/602 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/94 ,  C04B2235/95 ,  F28D20/0056

Abstract: 本发明一种大规格整体蜂窝陶瓷蓄热体及其制备方法，用坯料在辊机挤将坯料辊扎成波纹坯片，用粘合剂波纹坯片按叠加成整体蜂窝式的波纹坯体，干燥后，再将沿波纹延伸的波纹坯体两端切平形成与延伸方向垂直的波纹形槽，再用坯料将波纹形槽填充修平，将沿波纹延伸的波纹坯体两端封闭，再在波纹坯体的端面上设置有降压槽，波纹坯体装入窑炉中，先低速升温至600℃，保温1.5－1小时，再快速升温至1200－1600℃，保温2－4小时，随炉冷却后出炉，得到整体蜂窝陶瓷蓄热体。本发明保持原来造型规整、美观实用，热稳定性好，且背压小、比表面积大、换热快、抗渣性好的优点，又能在烧成时不产生有机物挥发物，不污染环境，还能降低生产成本。

公开(公告)号：CN108484158A

公开(公告)日：2018-09-04

申请号：CN201810502883.4

申请日：2018-05-23

Applicant: 江苏时瑞电子科技有限公司

Inventor： 汪雪婷

IPC: C04B35/457

CPC classification number: C04B35/457 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3241 ,  C04B2235/3279 ,  C04B2235/3298 ,  C04B2235/3409 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/95 ,  C04B2235/96

Abstract: 本发明公开了一种压敏电阻器的介质材料及其制备方法。所述介质材料由下述重量份的原料组成：主材料ZnO 100～120份，添加剂如下：0.5～0.8份Bi2O3、0.8～1.5份SnO2、0.8～1.5份Ni2O3、9～13份SiO2、0.2～0.6份Cr2O3、15～21份Y2O3、0.1～0.2份硼酸。该介质材料采用钇的氧化物作为原料，非线性系数均在50以上，且在体积小的基础上兼顾较低的泄露电流和良好的导电性能，添加了钕的氧化物后，性能进一步提升。本发明的制备方法工艺简单，材料易得，成本较低，易于推广。

公开(公告)号：CN108290389A

公开(公告)日：2018-07-17

申请号：CN201680063147.2

申请日：2016-10-26

Applicant: 西格里碳素欧洲公司

Inventor： 曼弗雷德·哥林 ,  托马斯·普茨 ,  卡尔·英格斯特 ,  安德烈亚斯·费尔滕 ,  西蒙·迪特里希

IPC: B32B18/00 ,  C04B37/00 ,  C04B35/83 ,  C21D9/00 ,  F27D5/00 ,  C04B35/573 ,  C04B35/626 ,  C04B35/65 ,  C04B35/52

CPC classification number: C04B35/806 ,  B32B18/00 ,  C04B35/522 ,  C04B35/573 ,  C04B35/6269 ,  C04B35/62873 ,  C04B35/62878 ,  C04B35/62886 ,  C04B35/64 ,  C04B35/65 ,  C04B35/83 ,  C04B37/005 ,  C04B2235/3826 ,  C04B2235/428 ,  C04B2235/48 ,  C04B2235/5248 ,  C04B2235/5252 ,  C04B2235/5264 ,  C04B2235/5268 ,  C04B2235/616 ,  C04B2235/652 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/95 ,  C04B2235/96 ,  C04B2235/9669 ,  C04B2237/083 ,  C04B2237/38 ,  C04B2237/385 ,  C04B2237/61 ,  C04B2237/704 ,  C04B2237/78 ,  C21D9/0025

Abstract: 本发明涉及一种陶瓷部件，其包含包埋在陶瓷基质中的由至少两层单向不卷曲碳纤维织物构成的至少一个堆叠体，所述陶瓷基质含有碳化硅和元素硅，其特征在于所述至少一个堆叠体内的所有相邻层彼此直接邻接，所述至少一个堆叠体在与所述层的平面垂直的方向上具有1.5mm的最小厚度，并且所述陶瓷基质基本上渗透整个部件。

公开(公告)号：CN108276008A

公开(公告)日：2018-07-13

申请号：CN201810154404.4

申请日：2014-10-21

Applicant: 株式会社东芝 ,  东芝高新材料公司

Inventor： 中山宪隆 ,  青木克之 ,  佐野孝

IPC: C04B35/587 ,  H01L23/15 ,  H01L23/373 ,  H01L23/498 ,  H05K1/03

CPC classification number: C01B21/068 ,  B32B18/00 ,  C01P2006/32 ,  C04B35/584 ,  C04B35/587 ,  C04B35/593 ,  C04B35/6263 ,  C04B35/6264 ,  C04B35/63 ,  C04B35/632 ,  C04B35/6342 ,  C04B35/63424 ,  C04B35/638 ,  C04B35/64 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/383 ,  C04B2235/3873 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/6025 ,  C04B2235/604 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/6565 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/6584 ,  C04B2235/661 ,  C04B2235/723 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/786 ,  C04B2235/85 ,  C04B2235/95 ,  C04B2235/96 ,  C04B2235/9607 ,  C04B2237/368 ,  H01L23/15 ,  H01L23/3731 ,  H01L23/3735 ,  H01L23/49838 ,  H01L23/49877 ,  H01L23/49894 ,  H01L2924/0002 ,  H05K1/0201 ,  H05K1/0306 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及氮化硅基板及使用其的氮化硅电路基板。本发明提供氮化硅基板，具备氮化硅晶粒和晶界相且导热率为50W/m·k以上，其特征在于，氮化硅基板的剖面组织中，厚度方向的晶界相的合计长度T2相对氮化硅基板的厚度T1的比(T2/T1)为0.01～0.30，从绝缘强度的相对平均值的偏差为15％以下，所述绝缘强度的平均值是使电极与基板的表背面接触而用四端法测量时的绝缘强度的平均值。另外，绝缘强度的平均值优选为15kv/mm以上。根据上述构成能够得到绝缘强度的偏差小的氮化硅基板及使用其的氮化硅电路基板。

公开(公告)号：CN108187692A

公开(公告)日：2018-06-22

申请号：CN201810015192.1

申请日：2018-01-08

Applicant: 山东大学

Inventor： 许效红 ,  张秀梅

IPC: B01J23/89 ,  B01J35/10 ,  B01J37/08 ,  B01J37/03 ,  B01J37/18 ,  C07C45/38 ,  C07C47/04 ,  C07C47/54 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C04B35/46 ,  C04B38/00 ,  C04B41/88

CPC classification number: Y02P20/584 ,  B01J23/8926 ,  B01J35/1066 ,  B01J37/035 ,  B01J37/086 ,  B01J37/088 ,  B01J37/18 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C04B35/46 ,  C04B38/00 ,  C04B41/5127 ,  C04B41/88 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/95 ,  C07C45/38 ,  C07C47/54 ,  C07C47/04 ,  C04B38/0054 ,  C04B41/5116 ,  C04B41/4535 ,  C04B41/4558

Abstract: 本发明涉及一种负载双金属的二氧化钛纳米多孔陶瓷催化剂及其制备方法和应用。所述的催化剂以二氧化钛纳米多孔陶瓷膜为载体，以金铜双金属纳米颗粒为活性组分；所述催化剂的制备方法包括步骤：1)钛酸纳米带通过压滤、烧结制得二氧化钛纳米多孔陶瓷膜；2)采用一步沉积沉淀法将金铜双金属纳米颗粒负载到陶瓷膜上，经过H2还原，制得负载金铜双金属的二氧化钛纳米多孔陶瓷催化剂。本发明制备得到的负载双金属的二氧化钛纳米多孔陶瓷催化剂，催化活性金属颗粒分布均匀，成分组成量化可控，催化剂多孔结构均匀、孔隙率高，具有高催化活性、选择性和稳定性，易于回收和重复利用，适合大规模的产业化应用。