公开(公告)号：CN1134037A

公开(公告)日：1996-10-23

申请号：CN95120460.2

申请日：1995-12-22

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 三浦祥纪 ,  藤田庆一郎 ,  竹本菊郎 ,  松岛政人 ,  松原秀树 ,  高岸成典 ,  关寿 ,  纐缬明伯

IPC: H01L21/36

CPC classification number: H01L33/025 ,  H01L21/02392 ,  H01L21/02395 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L33/0075

Abstract: 本发明提供了可以使用在诸如发光元件等中的高性能的外延片，以及可工业化制造该外延片的方法。外延片具有由GaAs，GaP，InAs，InP形成的组中选出的化合物半导体基板1，形成在基板1上的厚度为10毫微米～80毫微米的由GaN构成的缓冲层2，形成在缓冲层2上的含有GaN的外延层3。用有机金属氯化物气相外延生长法，在第一温度下形成缓冲层2，用有机金属氯化物气相外延生长法，在比第一温度高的第二温度下形成外延层3。

公开(公告)号：CN1129169C

公开(公告)日：2003-11-26

申请号：CN98109431.7

申请日：1998-03-13

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 元木健作 ,  松岛政人 ,  秋田胜史 ,  嶋津充 ,  竹本菊郎 ,  关寿 ,  缬明伯

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/20 ,  H01L33/00 ,  C30B25/02

CPC classification number: H01L21/0254 ,  H01L21/02395 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0262 ,  H01L33/0075

Abstract: 提供有在立方晶系半导体(111)衬底上形成的GaN层的外延晶片。包括：立方晶系半导体(111)衬底；在所述衬底上形成厚度为60nm以上的第一GaN层；和在第一GaN层上形成厚度0.1μm以上的第二GaN层。

公开(公告)号：CN1237577C

公开(公告)日：2006-01-18

申请号：CN02102460.X

申请日：2002-01-22

Applicant: 日本派欧尼股份株式会社 ,  住友电气工业株式会社

Inventor： 大冢健二 ,  村永直树 ,  竹本菊郎

IPC: H01L21/205 ,  B01D53/74

CPC classification number: C30B25/02 ,  B01D53/58 ,  B01D53/77 ,  B01D2258/0216 ,  C23C14/0617 ,  C23C16/301 ,  C23C16/4401 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/4488 ,  C30B29/406

Abstract: 公开了由HVPE法生产氮化镓膜半导体的生产设备、净化来自此设备中的废气的净化设备以及用于由HVPE法生产氮化镓膜半导体的综合生产装置。其中用于此生产设备中的废气排放管道、用于此净化设备中的导引管道以及连接这两个设备的排气管道均由导电性抗侵蚀材料制成也都电接地，因而能可靠地防止由于废气中的氯化铵粉末与排气管道内壁间的摩擦造成的静电充电，由此可以显著地提高作业的安全性。

公开(公告)号：CN1367525A

公开(公告)日：2002-09-04

申请号：CN02102460.X

申请日：2002-01-22

Applicant: 日本派欧尼股份株式会社 ,  住友电气工业株式会社

Inventor： 大冢健二 ,  村永直树 ,  竹本菊郎

IPC: H01L21/205 ,  B01D53/74

CPC classification number: C30B25/02 ,  B01D53/58 ,  B01D53/77 ,  B01D2258/0216 ,  C23C14/0617 ,  C23C16/301 ,  C23C16/4401 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/4488 ,  C30B29/406

Abstract: 公开了由HVPE法生产氮化镓膜半导体的生产设备、净化来自此设备中的废气的净化设备以及用于由HVPE法生产氮化镓膜半导体的综合生产装置。其中用于此生产设备中的废气排放管道、用于此净化设备中的导引管道以及连接这两个设备的排气管道均由导电性抗侵蚀材料制成也都电接地,因而能可靠地防止由于废气中的氯化铵粉末与排气管道内壁间的摩擦造成的静电充电,由此可以显著地提高作业的安全性。

公开(公告)号：CN101092690A

公开(公告)日：2007-12-26

申请号：CN200710112134.2

申请日：2007-06-19

Applicant: 住友电气工业株式会社 ,  创研工业株式会社

Inventor： 上野昌纪 ,  高桥健 ,  上田登志雄 ,  矢作理 ,  中村孝夫 ,  氏家一夫 ,  石川亨一 ,  竹本菊郎

IPC: C23C16/455 ,  H01L21/205

Abstract: 一种金属有机汽化和供给设备，包括：用于保留金属有机材料的贮留容器；连接至贮留容器的起泡气体供给通路，用于将起泡气体供给金属有机材料；连接至贮留容器的金属有机气体供给通路，用于将在贮留容器中产生的金属有机气体和稀释气体供给沉积室；连接至所述金属有机气体供给通路的稀释气体供给通路，用于将稀释气体供给金属有机气体供给通路；提供在起泡气体供给通路中的流速调节器，用于调节起泡气体的流速；用于调节稀释气体的压力的压力调节器；和音速喷嘴，设置在金属有机气体供给通路和稀释气体供给通路之间的连接位置的下游侧上的金属有机气体供给通路中。

公开(公告)号：CN1197998A

公开(公告)日：1998-11-04

申请号：CN98109431.7

申请日：1998-03-13

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 元木健作 ,  松岛政人 ,  秋田胜史 ,  津充 ,  竹本菊郎 ,  关寿 ,  缬明伯

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/20 ,  H01L33/00 ,  C30B25/02

CPC classification number: H01L21/0254 ,  H01L21/02395 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0262 ,  H01L33/0075

Abstract: 提供有在立方晶系半导体(111)衬底上形成的GaN层的外延晶片。包括:立方晶系半导体(111)衬底;在所述衬底上形成厚度为60nm以上的第一GaN层;和在第一GaN层上形成厚度0.1μm以上的第二GaN层。