公开(公告)号：CN1134037A

公开(公告)日：1996-10-23

申请号：CN95120460.2

申请日：1995-12-22

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 三浦祥纪 ,  藤田庆一郎 ,  竹本菊郎 ,  松岛政人 ,  松原秀树 ,  高岸成典 ,  关寿 ,  纐缬明伯

IPC: H01L21/36

CPC classification number: H01L33/025 ,  H01L21/02392 ,  H01L21/02395 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L33/0075

Abstract: 本发明提供了可以使用在诸如发光元件等中的高性能的外延片，以及可工业化制造该外延片的方法。外延片具有由GaAs，GaP，InAs，InP形成的组中选出的化合物半导体基板1，形成在基板1上的厚度为10毫微米～80毫微米的由GaN构成的缓冲层2，形成在缓冲层2上的含有GaN的外延层3。用有机金属氯化物气相外延生长法，在第一温度下形成缓冲层2，用有机金属氯化物气相外延生长法，在比第一温度高的第二温度下形成外延层3。