公开(公告)号：CN103097619A

公开(公告)日：2013-05-08

申请号：CN201180043840.0

申请日：2011-11-15

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 山本圭一 ,  村濑亨 ,  高岸成典 ,  草尾干

IPC: E03C1/05

CPC classification number: E03C1/057

Abstract: 本发明涉及一种供水控制装置（10），通过判定进入到放水区域的物体的种类或者状态，从而进行与用户的状况对应的供水装置的放水控制。本发明的供水控制装置（10）包括：影像取得部（11），从摄像机（30）取得由摄像机（30）拍摄到的、供水装置（20）进行放水的放水区域（A1）的影像；以及控制部（13），基于影像取得部（11）取得的影像，控制供水装置（20）的供水阀（21）。

公开(公告)号：CN103097619B

公开(公告)日：2014-08-06

申请号：CN201180043840.0

申请日：2011-11-15

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 山本圭一 ,  村濑亨 ,  高岸成典 ,  草尾干

IPC: E03C1/05

CPC classification number: E03C1/057

Abstract: 本发明涉及一种供水控制装置（10），通过判定进入到放水区域的物体的种类或者状态，从而进行与用户的状况对应的供水装置的放水控制。本发明的供水控制装置（10）包括：影像取得部（11），从摄像机（30）取得由摄像机（30）拍摄到的、供水装置（20）进行放水的放水区域（A1）的影像；以及控制部（13），基于影像取得部（11）取得的影像，控制供水装置（20）的供水阀（21）。

公开(公告)号：CN1134037A

公开(公告)日：1996-10-23

申请号：CN95120460.2

申请日：1995-12-22

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 三浦祥纪 ,  藤田庆一郎 ,  竹本菊郎 ,  松岛政人 ,  松原秀树 ,  高岸成典 ,  关寿 ,  纐缬明伯

IPC: H01L21/36

CPC classification number: H01L33/025 ,  H01L21/02392 ,  H01L21/02395 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L33/0075

Abstract: 本发明提供了可以使用在诸如发光元件等中的高性能的外延片，以及可工业化制造该外延片的方法。外延片具有由GaAs，GaP，InAs，InP形成的组中选出的化合物半导体基板1，形成在基板1上的厚度为10毫微米～80毫微米的由GaN构成的缓冲层2，形成在缓冲层2上的含有GaN的外延层3。用有机金属氯化物气相外延生长法，在第一温度下形成缓冲层2，用有机金属氯化物气相外延生长法，在比第一温度高的第二温度下形成外延层3。