公开(公告)号：CN104995713A

公开(公告)日：2015-10-21

申请号：CN201380073228.7

申请日：2013-11-12

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 石桥惠二 ,  柳泽拓弥 ,  上松康二 ,  关裕纪 ,  山本喜之

IPC: H01L21/02 ,  H01L33/32

CPC classification number: H01L29/2003 ,  C23C16/303 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02439 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02587 ,  H01L21/02609 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/30621 ,  H01L21/30625 ,  H01L21/6835 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/32 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68345 ,  H01L2221/6835 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种III族氮化物复合衬底(1)，其具有75mm以上直径，包括彼此接合的支撑衬底(11)以及具有50nm以上且小于10μm厚度的III族氮化物膜(13)。III族氮化物膜(13)的厚度的标准偏差st与其厚度的平均值mt的比率st/mt为0.01以上且0.5以下，且III族氮化物膜(13)的主面(13m)和预定平面取向的平面之间的偏离角的绝对值的标准偏差so与偏离角的绝对值的平均值mo的比率so/mo是0.005以上且0.6以下。因此，提供一种低成本且大直径的III族氮化物复合衬底，一种制造III族氮化物复合衬底的方法，一种层叠的III族氮化物复合衬底，以及一种III族氮化物半导体器件及其制造方法，所述III族氮化物复合衬底具有具备小厚度、小厚度变化以及高结晶质量的III族氮化物膜且由此降低半导体器件的制造成本。

公开(公告)号：CN111263833A

公开(公告)日：2020-06-09

申请号：CN201880068736.9

申请日：2018-02-23

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 西冈志行 ,  鸿池一晓 ,  柳泽拓弥 ,  樋口恭明 ,  羽木良明

IPC: C30B29/40

Abstract: 一种磷化铟晶体基板，所述磷化铟晶体基板具有100mm以上且205mm以下的直径和300μm以上且800μm以下的厚度并且包括平坦部和缺口部中的任一者。在第一平坦区域和第一缺口区域中的任一者中，当硫的原子浓度为2.0×1018cm-3以上且8.0×1018cm-3以下时，所述磷化铟晶体基板具有10cm-2以上且500cm-2以下的平均位错密度，并且当锡的原子浓度为1.0×1018cm-3以上且4.0×1018cm-3以下或者铁的原子浓度为5.0×1015cm-3以上且1.0×1017cm-3以下时，所述磷化铟晶体基板具有500cm-2以上且5000cm-2以下的平均位错密度。

公开(公告)号：CN110114519A

公开(公告)日：2019-08-09

申请号：CN201880005481.1

申请日：2018-07-03

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 柳泽拓弥 ,  鸿池一晓 ,  桥尾克司

IPC: C30B29/40

Abstract: 本发明公开了一种磷化铟单结晶体，所述磷化铟单结晶体具有小于1×1016个原子·cm-3的氧浓度，并且包含具有圆柱形状的直体部，其中所述直体部的直径为大于或等于100mm且小于或等于150mm，或者大于100mm且小于或等于150mm。本发明公开了一种磷化铟单结晶衬底，所述磷化铟单结晶衬底具有小于1×1016个原子·cm-3的氧浓度，其中所述磷化铟单结晶衬底的直径为大于或等于100mm且小于或等于150mm，或者大于100mm且小于或等于150mm。

公开(公告)号：CN108281378B

公开(公告)日：2022-06-24

申请号：CN201810174097.6

申请日：2013-09-04

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 石桥惠二 ,  八乡昭广 ,  广村友纪 ,  松本直树 ,  中畑成二 ,  中西文毅 ,  柳泽拓弥 ,  上松康二 ,  关裕纪 ,  山本喜之 ,  善积祐介 ,  三上英则

IPC: H01L21/762

Abstract: 本发明提供一种III族氮化物复合衬底、半导体器件及它们的制造方法。所述III族氮化物复合衬底具有75mm或更大的直径，包括支撑衬底以及具有10μm或更大且250μm或更小的厚度的III族氮化物膜，所述支撑衬底和所述III族氮化物膜彼此接合，所述III族氮化物膜的厚度的标准偏差st与所述III族氮化物膜的厚度的平均值mt的比值st/mt为0.001或更大且0.2或更小，并且所述III族氮化物膜的主表面和预定面取向的面之间的偏离角的绝对值的标准偏差so与所述偏离角的绝对值的平均值mo的比值so/mo为0.005或更大且0.6或更小。

公开(公告)号：CN108281378A

公开(公告)日：2018-07-13

申请号：CN201810174097.6

申请日：2013-09-04

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 石桥惠二 ,  八乡昭广 ,  广村友纪 ,  松本直树 ,  中畑成二 ,  中西文毅 ,  柳泽拓弥 ,  上松康二 ,  关裕纪 ,  山本喜之 ,  善积祐介 ,  三上英则

IPC: H01L21/762 ,  B32B7/04

CPC classification number: H01L21/76251 ,  B32B7/02 ,  B32B7/04 ,  B32B7/06 ,  B32B2307/20 ,  H01L21/76254 ,  H01L21/76256 ,  H01L29/2003 ,  H01L33/007 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/025 ,  H01L2924/0002 ,  Y10T428/24298 ,  Y10T428/24322 ,  Y10T428/24331 ,  Y10T428/2495 ,  Y10T428/24975 ,  Y10T428/26 ,  Y10T428/265 ,  Y10T428/31 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种III族氮化物复合衬底、半导体器件及它们的制造方法。所述III族氮化物复合衬底具有75mm或更大的直径，包括支撑衬底以及具有10μm或更大且250μm或更小的厚度的III族氮化物膜，所述支撑衬底和所述III族氮化物膜彼此接合，所述III族氮化物膜的厚度的标准偏差st与所述III族氮化物膜的厚度的平均值mt的比值st/mt为0.001或更大且0.2或更小，并且所述III族氮化物膜的主表面和预定面取向的面之间的偏离角的绝对值的标准偏差so与所述偏离角的绝对值的平均值mo的比值so/mo为0.005或更大且0.6或更小。

公开(公告)号：CN104641453A

公开(公告)日：2015-05-20

申请号：CN201380046378.9

申请日：2013-09-04

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 石桥惠二 ,  八乡昭广 ,  广村友纪 ,  松本直树 ,  中畑成二 ,  中西文毅 ,  柳泽拓弥 ,  上松康二 ,  关裕纪 ,  山本喜之 ,  善积祐介 ,  三上英则

IPC: H01L21/02

CPC classification number: H01L21/76251 ,  B32B7/02 ,  B32B7/04 ,  B32B7/06 ,  B32B2307/20 ,  H01L21/76254 ,  H01L21/76256 ,  H01L29/2003 ,  H01L33/007 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/025 ,  H01L2924/0002 ,  Y10T428/24298 ,  Y10T428/24322 ,  Y10T428/24331 ,  Y10T428/2495 ,  Y10T428/24975 ,  Y10T428/26 ,  Y10T428/265 ,  Y10T428/31 ,  H01L2924/00

Abstract: 提供具有低薄层电阻且以高良率制造的III族氮化物复合衬底及其制造方法，以及采用III族氮化物复合衬底制造III族氮化物半导体器件的方法。III族氮化物复合衬底(1)包括III族氮化物膜(13)以及由化学组成不同于III族氮化物膜(13)的材料形成的支撑衬底(11)。III族氮化物膜(13)以直接方式和间接方式中的一种接合至支撑衬底(11)。III族氮化物膜(13)具有10μm或更大的厚度。III族氮化物膜(13)侧的主表面(13m)的薄层电阻为200Ω/sq或更小。制造III族氮化物复合衬底(1)的方法包括以下步骤：直接或间接地将III族氮化物膜(13)和支撑衬底(11)彼此结合；以及减少彼此结合的III族氮化物膜(13)和/或支撑衬底的厚度。

公开(公告)号：CN119053733A

公开(公告)日：2024-11-29

申请号：CN202280094765.9

申请日：2022-04-27

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 佐田野正崇 ,  鸿池一晓 ,  柳泽拓弥 ,  桥尾克司

IPC: C30B29/40 ,  C30B29/42

Abstract: III‑V族化合物半导体单晶基板是具有圆形的主表面的磷化铟单晶基板，并且具有通过实施下述处理而在上述主表面上观看到的波纹状图案。上述波纹状图案是相当于从波源呈同心圆状扩展的波纹的一部分的图案，上述波源不位于上述主表面。处理：在从25℃的混合液的液面沿深度方向向下10mm的位置水平地配置上述主表面，并且从上述液面向上离开20cm的位置向上述主表面照射1小时以上且2小时以下的500W的反射型白炽灯的光，上述混合液是由10g的氧化铬(VI)、10mL的50质量％浓度的氢氟酸溶液和400mL的纯水构成的。

公开(公告)号：CN112204175B

公开(公告)日：2024-03-26

申请号：CN201880093818.9

申请日：2018-08-07

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 桥尾克司 ,  鸿池一晓 ,  柳泽拓弥

IPC: C30B29/40 ,  C30B11/00

Abstract: 提供一种磷化铟单晶，所述磷化铟单晶包含具有圆柱形状的直体部，其中外周部中在切线方向上的残余应变为压缩应变，所述外周部在位于从所述直体部的外周面起朝中心轴向内10mm处的内周面与位于从所述外周面起向内5mm处的位置之间延伸。还提供一种磷化铟单晶衬底，其中外周部中在切线方向上的残余应变为压缩应变，所述外周部在位于从外周起朝中心向内10mm处的内周与位于从所述外周起向内5mm处的位置之间延伸。

公开(公告)号：CN114855260A

公开(公告)日：2022-08-05

申请号：CN202210316571.0

申请日：2017-09-21

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 桥尾克司 ,  鸿池一晓 ,  柳泽拓弥

IPC: C30B11/00 ,  C30B29/40 ,  C30B29/42 ,  G01R31/26 ,  H01L21/324 ,  H01L21/8252

Abstract: 本发明涉及半绝缘性化合物半导体基板和半绝缘性化合物半导体单晶。一种半绝缘性化合物半导体基板，其包含半绝缘性化合物半导体，所述半绝缘性化合物半导体基板被构造为：在具有(100)的面取向的主面上，沿从所述主面的中心起的 方向的四个等效方向以0.1mm间隔测量的比电阻的标准偏差/平均值和沿从所述主面的中心起的 方向的四个等效方向以0.1mm间隔测量的比电阻的标准偏差/平均值各自为0.1以下。

公开(公告)号：CN111263833B

公开(公告)日：2020-10-16

申请号：CN201880068736.9

申请日：2018-02-23

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 西冈志行 ,  鸿池一晓 ,  柳泽拓弥 ,  樋口恭明 ,  羽木良明

IPC: C30B29/40

Abstract: 一种磷化铟晶体基板，所述磷化铟晶体基板具有100mm以上且205mm以下的直径和300μm以上且800μm以下的厚度并且包括平坦部和缺口部中的任一者。在第一平坦区域和第一缺口区域中的任一者中，当硫的原子浓度为2.0×1018cm‑3以上且8.0×1018cm‑3以下时，所述磷化铟晶体基板具有10cm‑2以上且500cm‑2以下的平均位错密度，并且当锡的原子浓度为1.0×1018cm‑3以上且4.0×1018cm‑3以下或者铁的原子浓度为5.0×1015cm‑3以上且1.0×1017cm‑3以下时，所述磷化铟晶体基板具有500cm‑2以上且5000cm‑2以下的平均位错密度。