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公开(公告)号：CN119053733A
公开(公告)日：2024-11-29
申请号：CN202280094765.9
申请日：2022-04-27
Applicant: 住友电气工业株式会社
Abstract: III‑V族化合物半导体单晶基板是具有圆形的主表面的磷化铟单晶基板，并且具有通过实施下述处理而在上述主表面上观看到的波纹状图案。上述波纹状图案是相当于从波源呈同心圆状扩展的波纹的一部分的图案，上述波源不位于上述主表面。处理：在从25℃的混合液的液面沿深度方向向下10mm的位置水平地配置上述主表面，并且从上述液面向上离开20cm的位置向上述主表面照射1小时以上且2小时以下的500W的反射型白炽灯的光，上述混合液是由10g的氧化铬(VI)、10mL的50质量％浓度的氢氟酸溶液和400mL的纯水构成的。
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