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公开(公告)号：CN105163605B
公开(公告)日：2018-06-12
申请号：CN201380056459.7
申请日：2013-08-28
Applicant: 传感器电子技术股份有限公司
CPC classification number: A61L2/10 , F25D17/042 , F25D2317/0417
Abstract: 紫外辐射被指向区域中。存储区域被扫描和监视所指定区中生物活性的存在。一旦识别出生物活性，紫外辐射就被指向，以杀菌和消毒存储区域中指定的区。
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公开(公告)号：CN105518878A
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：CN201480048504.9
申请日：2014-09-03
Applicant: 传感器电子技术股份有限公司
IPC: H01L33/06
CPC classification number: H01L31/035272 , H01L33/04 , H01L33/32
Abstract: 提供了光电子器件的改进的异质结构。该异质结构包括有源区域、电子阻挡层和p型接触层。p型接触层和电子阻挡层可以用p型掺杂剂掺杂。电子阻挡层的掺杂剂浓度可以是p型接触层的掺杂剂浓度的最多百分之十。还对设计这种异质结构的方法进行了描述。
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公开(公告)号：CN104979440B
公开(公告)日：2019-01-18
申请号：CN201510170384.6
申请日：2015-04-10
Applicant: 传感器电子技术股份有限公司
Abstract: 提供了配置用于其上的半导体层的外延生长的复合衬底。复合衬底包括由具有不同热膨胀系数的不同材料制成的多个衬底层。半导体层的材料的热膨胀系数可以在衬底层材料的热系数之间。复合衬底可以具有配置为减小在针对使用异质结构制造的器件的工作温度和/或室内温度下的半导体层内的拉伸应力量的复合热膨胀系数。
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公开(公告)号：CN104736261A
公开(公告)日：2015-06-24
申请号：CN201380053723.1
申请日：2013-08-28
Applicant: 传感器电子技术股份有限公司
CPC classification number: A61L2/10 , A61L2202/14 , A61L2202/21 , F25D17/042 , F25D27/005 , F25D2317/0417
Abstract: 紫外辐射被指向区域中。位于该区域中的物品和/或该区域的一个或多个条件在一段时间上被监视。基于该监视，通过调整由紫外辐射源生成的紫外辐射的方向、强度、模式和/或频谱功率来控制紫外辐射源。对紫外辐射源的调整可以对应于包括存储期限保存操作配置、消毒操作配置和乙烯分解操作配置的多个可选择的操作配置中之一，每种操作配置可以包括对应的目标波长范围和/或目标强度范围。
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公开(公告)号：CN104856185B
公开(公告)日：2020-01-21
申请号：CN201510249047.6
申请日：2015-02-25
Applicant: 传感器电子技术股份有限公司
IPC: A23L3/005
Abstract: 本发明涉及包括紫外线照明的存储设备。紫外辐射被指向区域中。位于区域中的物品和/或区域的一个或多个条件在一段时间上被监视。基于该监视，通过调节由紫外辐射源生成的紫外辐射的方向、强度、模式和/或频谱功率来控制紫外辐射源。对紫外辐射源的调节可以对应于包括存储期限保存操作配置、消毒操作配置和乙烯分解操作配置的多个可选择的操作配置之一。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107187700A
公开(公告)日：2017-09-22
申请号：CN201710351521.5
申请日：2013-08-28
Applicant: 传感器电子技术股份有限公司 , 首尔伟傲世有限公司
Abstract: 公开了一种食品储藏盒以及食品存藏装置。所述食品储藏盒包括：内部盒，用于容纳食物；至少一个紫外辐射源，被配置为生成指向容纳于内部盒中的食物的紫外辐射，其中，所述至少一个紫外辐射源布置在所述食品储藏盒的至少一个内侧上。
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公开(公告)号：CN104979440A
公开(公告)日：2015-10-14
申请号：CN201510170384.6
申请日：2015-04-10
Applicant: 传感器电子技术股份有限公司
CPC classification number: H01L23/367 , H01L21/02428 , H01L21/0254 , H01L21/187 , H01L21/4871 , H01L21/76251 , H01L23/3732 , H01L23/3736 , H01L29/0676 , H01L29/2003 , H01L29/7786 , H01L33/007 , H01L33/0079 , H01L33/641 , H01L33/642 , H01L2924/0002 , H01L2933/0075 , H01L2924/00 , H01L33/02 , H01L33/0066
Abstract: 提供了配置用于其上的半导体层的外延生长的复合衬底。复合衬底包括由具有不同热膨胀系数的不同材料制成的多个衬底层。半导体层的材料的热膨胀系数可以在衬底层材料的热系数之间。复合衬底可以具有配置为减小在针对使用异质结构制造的器件的工作温度和/或室内温度下的半导体层内的拉伸应力量的复合热膨胀系数。
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公开(公告)号：CN105518878B
公开(公告)日：2018-05-25
申请号：CN201480048504.9
申请日：2014-09-03
Applicant: 传感器电子技术股份有限公司
IPC: H01L33/06
CPC classification number: H01L31/035272 , H01L33/04 , H01L33/32
Abstract: 提供了光电子器件的改进的异质结构。该异质结构包括有源区域、电子阻挡层和p型接触层。p型接触层和电子阻挡层可以用p型掺杂剂掺杂。电子阻挡层的掺杂剂浓度可以是p型接触层的掺杂剂浓度的最多百分之十。还对设计这种异质结构的方法进行了描述。
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公开(公告)号：CN104736261B
公开(公告)日：2017-06-16
申请号：CN201380053723.1
申请日：2013-08-28
Applicant: 传感器电子技术股份有限公司
CPC classification number: A61L2/10 , A61L2202/14 , A61L2202/21 , F25D17/042 , F25D27/005 , F25D2317/0417
Abstract: 紫外辐射被指向区域中。位于该区域中的物品和/或该区域的一个或多个条件在一段时间上被监视。基于该监视，通过调整由紫外辐射源生成的紫外辐射的方向、强度、模式和/或频谱功率来控制紫外辐射源。对紫外辐射源的调整可以对应于包括存储期限保存操作配置、消毒操作配置和乙烯分解操作配置的多个可选择的操作配置中之一，每种操作配置可以包括对应的目标波长范围和/或目标强度范围。
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公开(公告)号：CN105163605A
公开(公告)日：2015-12-16
申请号：CN201380056459.7
申请日：2013-08-28
Applicant: 传感器电子技术股份有限公司
CPC classification number: A61L2/10 , F25D17/042 , F25D2317/0417
Abstract: 紫外辐射被指向区域中。存储区域被扫描和监视所指定区中生物活性的存在。一旦识别出生物活性，紫外辐射就被指向，以杀菌和消毒存储区域中指定的区。
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