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公开(公告)号：CN119998924A
公开(公告)日：2025-05-13
申请号：CN202380073349.5
申请日：2023-10-19
Applicant: 京瓷株式会社
IPC: H01L21/205
Abstract: 具备：包含在第1方向上并排的第1籽晶区域以及生长抑制区域的模板基板；和位于所述模板基板的上方的第1半导体部，所述第1半导体部具有：位于所述第1籽晶区域上的第1基部；和与所述第1基部连接且隔着第1空隙与所述生长抑制区域面对面的第1翼部，所述第1翼部包含：位于所述生长抑制区域的上方的翼端，所述第1空隙的所述第1方向的宽度相对于所述翼端下的厚度的比为5.0以上。
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