公开(公告)号：CN116017990A

公开(公告)日：2023-04-25

申请号：CN202310099269.9

申请日：2023-01-29

Applicant: 之江实验室

Inventor： 阮罗渊 ,  白石根 ,  宋睿煊 ,  陈焕坚 ,  杜瑀 ,  唐燕如 ,  林虹宇 ,  单玉风 ,  俞国林 ,  邓惠勇 ,  戴宁

IPC: H10K30/10 ,  H10K71/16 ,  H10K30/81 ,  H10K71/12 ,  H10K71/15

Abstract: 本发明公开了一种周期性铁电极化诱导的WSe2类超晶格光电探测器，包括衬底，背栅区，吸收区和源漏区，其中：背栅区位于衬底上，背栅区为具有周期性铁电畴的P(VDF‑TrFE)铁电薄膜；吸收区位于背栅区上，所述吸收区为WSe2类超晶格薄膜；源漏区位于吸收区上，源漏区为叉指结构金属电极。该光电探测器具有较高的探测范围、探测率和响应率，本发明还提供了一种周期性铁电极化诱导的WSe2类超晶格光电探测器的制备方法。该方法能够较为容易的制备出WSe2类超晶格。