公开(公告)号：CN100350625C

公开(公告)日：2007-11-21

申请号：CN200310124411.3

申请日：2003-12-24

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 栉田知义

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/739

CPC classification number: H01L29/7813 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/66348 ,  H01L29/7392 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/7722 ,  H01L29/7828

Abstract: 本发明的一个目的是提供一种埋入栅型半导体器件，其中栅间间隔最小化，以便提高沟道浓度，由此获得低导通电阻，防止由于栅极底部附近的电场集中引起的耐压性降低，并且可以同时实现防止耐压性降低和关闭特性。在其平面截面图中安放多个带有矩形截面的栅极106。栅极106长边之间的间隔106T被制成短于其短边之间的间隔106S。而且，在栅极106的短边之间提供带状的接点开孔108，使得P+型源极区100和N+型源极区104与源极接触。从而，可以不考虑接点开孔108的宽度而设置栅极106的长边之间的间隔106T。

公开(公告)号：CN1284246C

公开(公告)日：2006-11-08

申请号：CN200410007023.1

申请日：2004-02-25

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 西胁克彦 ,  栉田知义 ,  河路佐智子

IPC: H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7813 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/66348

Abstract: 本发明旨在提供一种高耐电压场效应型半导体设备，其减弱在半导体衬底的电场同时不加厚漂移区的厚度，而且实现对于高电压的耐压性能，且不牺牲开启电压，开关关闭特性和小型化。场效应型半导体设备在一个表面(图2的上表面)上包括发射极区域100，104和栅极电极106等，并且在另一表面(图2的下表面)上包括集电极区域101等，其中在面对栅极电极106的P主体区域103和在P主体区域103下面的N漂移区102之间安置具有低的杂质浓度的N-场分散区域111。因此，减弱了在集电极和发射极之间的电场并且实现了高耐电压场效应型半导体设备。可以在N漂移区102和N漂移区102下面的P+集电极区域101之间安置另一个场分散区域。

公开(公告)号：CN1302557C

公开(公告)日：2007-02-28

申请号：CN200310104538.9

申请日：2003-10-30

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 西肋克彦 ,  栉田知义

IPC: H01L29/772 ,  H01L29/78 ,  H01L29/739

CPC classification number: H01L29/0696 ,  H01L29/0839 ,  H01L29/7397

Abstract: 本发明提供一种场效应半导体装置，该装置能够通过有效利用其沟道宽度来同时获得低导通阻抗与不过大的短路电流以防止装置受到损坏。在场效应半导体装置中，设置于栅极(106)之间的半导体区具有包含N+发射极区(104)和P发射极区的条型图案结构。P发射极区由低浓度的P沟道(103)和高浓度的P+发射极区(100)组成。N+发射极(104)、P沟道区(103)和P+发射极区(100)与发射极(109)相接触。因此，沟道宽度(X)限制为正常运行状态下足够通过导通电流的宽度。即，在场效应半导体装置中，低导通阻抗与不过大的短路电流能够同时产生。

公开(公告)号：CN1510761A

公开(公告)日：2004-07-07

申请号：CN200310124411.3

申请日：2003-12-24

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 栉田知义

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/739

CPC classification number: H01L29/7813 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/66348 ,  H01L29/7392 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/7722 ,  H01L29/7828

Abstract: 本发明的一个目的是提供一种埋入栅型半导体器件，其中栅间间隔最小化，以便提高沟道浓度，由此获得低导通电阻，防止由于栅极底部附近的电场集中引起的耐压性降低，并且可以同时实现防止耐压性降低和关闭特性。在其平面截面图中安放多个带有矩形截面的栅极106。栅极106长边之间的间隔106T被制成短于其短边之间的间隔106S。而且，在栅极106的短边之间提供带状的接点开孔108，使得P+型源极区100和N+型源极区104与源极接触。从而，可以不考虑接点开孔108的宽度而设置栅极106的长边之间的间隔106T。

公开(公告)号：CN1525575A

公开(公告)日：2004-09-01

申请号：CN200410007023.1

申请日：2004-02-25

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 西胁克彦 ,  栉田知义 ,  河路佐智子

IPC: H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7813 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/66348

Abstract: 本发明旨在提供一种高耐电压场效应型半导体设备，其减弱在半导体衬底的电场同时不加厚漂移区的厚度，而且实现对于高电压的耐压性能，且不牺牲开启电压，开关关闭特性和小型化。场效应型半导体设备在一个表面(图2的上表面)上包括发射极区域100，104和栅极电极106等，并且在另一表面(图2的下表面)上包括集电极区域101等，其中在面对栅极电极106的P主体区域103和在P主体区域103下面的N漂移区102之间安置具有低的杂质浓度的N－场分散区域111。因此，减弱了在集电极和发射极之间的电场并且实现了高耐电压场效应型半导体设备。可以在N漂移区102和N漂移区102下面的P+集电极区域101之间安置另一个场分散区域。

公开(公告)号：CN1499645A

公开(公告)日：2004-05-26

申请号：CN200310104538.9

申请日：2003-10-30

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 西肋克彦 ,  栉田知义

IPC: H01L29/772 ,  H01L29/78 ,  H01L29/739

CPC classification number: H01L29/0696 ,  H01L29/0839 ,  H01L29/7397

Abstract: 本发明提供一种场效应半导体装置，该装置能够通过有效利用其沟道宽度来同时获得低导通阻抗与不过大的短路电流以防止装置受到损坏。在场效应半导体装置中，设置于栅极(106)之间的半导体区具有包含N+发射极区(104)和P发射极区的条型图案结构。P发射极区由低浓度的P沟道区(103)和高浓度的P+发射极区(100)组成。N+发射极区(104)、P沟道区(103)和P+发射极区(100)与发射极(109)相接触。因此，沟道宽度(X)限制为正常运行状态下足够通过导通电流的宽度。即在场效应半导体装置中，低导通阻抗与不过大的短路电流能够同时产生。

公开(公告)号：CN104205346B

公开(公告)日：2017-03-08

申请号：CN201380014865.7

申请日：2013-03-14

Applicant: 丰田自动车株式会社 ,  学校法人丰田学园

Inventor： 栉田知义 ,  榊裕之 ,  大森雅登

IPC: H01L29/92 ,  H01L29/15 ,  H01L29/20 ,  B82Y10/00

CPC classification number: H01L29/92 ,  B82Y10/00 ,  H01L29/155 ,  H01L29/20 ,  H01L29/2003

Abstract: 一种半导体装置(10)，包括：层叠结构(151、153)和第二接合部(152、154)的双接合结构，在第一接合部(151、153)处宽带隙层(102、104)和窄带隙层(101、103、105)彼此层叠，在第二接合部(152、154)处窄带隙层(101、103、105)和宽带隙层(102、104)彼此层叠；以及接合至层叠结构中的每一层的电极半导体层(110、120)。每个双接合结构均包括由具有负固定电荷的第一区(131、133)和具有正固定电荷的第二区(132、134)构成的对。第一区较靠近第一接合部而较不靠近宽带隙层的中心。第二区较靠近第二接合部而较不靠近宽带隙层的中心。在每个接合部处均形成2DEG或2DHG。半导体装置用作电能存储设备例如电容器。(100)，所述层叠结构(100)包括具有第一接合部

公开(公告)号：CN104205346A

公开(公告)日：2014-12-10

申请号：CN201380014865.7

申请日：2013-03-14

Applicant: 丰田自动车株式会社 ,  学校法人丰田学园

Inventor： 栉田知义 ,  榊裕之 ,  大森雅登

IPC: H01L29/92 ,  H01L29/15 ,  H01L29/20 ,  B82Y10/00

CPC classification number: H01L29/92 ,  B82Y10/00 ,  H01L29/155 ,  H01L29/20 ,  H01L29/2003

Abstract: 一种半导体装置(10)，包括：层叠结构(100)，所述层叠结构(100)包括具有第一接合部(151、153)和第二接合部(152、154)的双接合结构，在第一接合部(151、153)处宽带隙层(102、104)和窄带隙层(101、103、105)彼此层叠，在第二接合部(152、154)处窄带隙层(101、103、105)和宽带隙层(102、104)彼此层叠；以及接合至层叠结构中的每一层的电极半导体层(110、120)。每个双接合结构均包括由具有负固定电荷的第一区(131、133)和具有正固定电荷的第二区(132、134)构成的对。第一区较靠近第一接合部而较不靠近宽带隙层的中心。第二区较靠近第二接合部而较不靠近宽带隙层的中心。在每个接合部处均形成2DEG或2DHG。半导体装置用作电能存储设备例如电容器。