-
公开(公告)号：CN1819288A
公开(公告)日：2006-08-16
申请号：CN200610002758.4
申请日：2006-01-25
Applicant: 丰田合成株式会社
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明是一种Ⅲ族氮化物系化合物半导体发光元件，其在阱层上下形成的层与阱层的接合部附近具有下列区域，该区域为：使在该阱层上下形成的层的晶格常数，以接近该阱层的晶格常数的方式，发生变化而形成。本发明是具有单或多量子阱结构的发光层的Ⅲ族氮化物系化合物半导体发光元件制造方法，该结构具有至少包含铟(In)的阱层，其中，在利用气相生长法来形成阱层时，从In源的最低供给量来开始供给，然后使In源的供给量增加到目标供给量为止，此后保持一定供给量，接下来，从目标供给量减少到最低供给量，对In源之外的Ⅲ族原料源而言，在从In源供给开始至供给结束为止的这一期间，以一定的供给量来供给。
-
公开(公告)号：CN1748324A
公开(公告)日：2006-03-15
申请号：CN200480003696.8
申请日：2004-09-01
Applicant: 丰田合成株式会社
Inventor： 泷哲也
IPC: H01L33/00
Abstract: III族氮化物基化合物半导体器件100中，在各自加入受体杂质的p－AlGaN层107和p－GaN层109之间提供中间层108。此时，中间层108掺杂有一定浓度的供体杂质，由此基本上补偿由p－AlGaN层107形成过程中引入到中间层108中的受体杂质所产生的空穴。结果，中间层108的电导率变得非常低，并因而显著提高III族氮化物基化合物半导体器件100的静电耐压。
-
公开(公告)号：CN100403566C
公开(公告)日：2008-07-16
申请号：CN200610002758.4
申请日：2006-01-25
Applicant: 丰田合成株式会社
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明是一种III族氮化物系化合物半导体发光元件，其在阱层上下形成的层与阱层的接合部附近具有下列区域，该区域为：使在该阱层上下形成的层的晶格常数，以接近该阱层的晶格常数的方式，发生变化而形成。本发明是具有单或多量子阱结构的发光层的III族氮化物系化合物半导体发光元件制造方法，该结构具有至少包含铟(In)的阱层，其中，在利用气相生长法来形成阱层时，从In源的最低供给量来开始供给，然后使In源的供给量增加到目标供给量为止，此后保持一定供给量，接下来，从目标供给量减少到最低供给量，对In源之外的III族原料源而言，在从In源供给开始至供给结束为止的这一期间，以一定的供给量来供给。
-
公开(公告)号：CN100386895C
公开(公告)日：2008-05-07
申请号：CN200480003696.8
申请日：2004-09-01
Applicant: 丰田合成株式会社
Inventor： 泷哲也
IPC: H01L33/00
Abstract: Ⅲ族氮化物基化合物半导体器件100中，在各自加入受主杂质的p-AlGaN层107和p-GaN层109之间提供中间层108。此时，中间层108掺杂有一定浓度的施主杂质，由此基本上补偿由p-AlGaN层107形成过程中引入到中间层108中的受主杂质所产生的空穴。结果，中间层108的电导率变得非常低，并因而显著提高Ⅲ族氮化物基化合物半导体器件100的静电耐压。
-
-
-
Search Results
4
records
(took 0.029 seconds)
