公开(公告)号：CN100403566C

公开(公告)日：2008-07-16

申请号：CN200610002758.4

申请日：2006-01-25

Applicant: 丰田合成株式会社

Inventor： 泷哲也 ,  生川满久 ,  青木真登 ,  奥野浩司 ,  丰田优介 ,  西岛和树 ,  山田修平

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/32 ,  B82Y20/00 ,  H01L33/06

Abstract: 本发明是一种III族氮化物系化合物半导体发光元件，其在阱层上下形成的层与阱层的接合部附近具有下列区域，该区域为：使在该阱层上下形成的层的晶格常数，以接近该阱层的晶格常数的方式，发生变化而形成。本发明是具有单或多量子阱结构的发光层的III族氮化物系化合物半导体发光元件制造方法，该结构具有至少包含铟(In)的阱层，其中，在利用气相生长法来形成阱层时，从In源的最低供给量来开始供给，然后使In源的供给量增加到目标供给量为止，此后保持一定供给量，接下来，从目标供给量减少到最低供给量，对In源之外的III族原料源而言，在从In源供给开始至供给结束为止的这一期间，以一定的供给量来供给。

公开(公告)号：CN1819288A

公开(公告)日：2006-08-16

申请号：CN200610002758.4

申请日：2006-01-25

Applicant: 丰田合成株式会社

Inventor： 泷哲也 ,  生川满久 ,  青木真登 ,  奥野浩司 ,  丰田优介 ,  西岛和树 ,  山田修平

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/32 ,  B82Y20/00 ,  H01L33/06

Abstract: 本发明是一种Ⅲ族氮化物系化合物半导体发光元件，其在阱层上下形成的层与阱层的接合部附近具有下列区域，该区域为：使在该阱层上下形成的层的晶格常数，以接近该阱层的晶格常数的方式，发生变化而形成。本发明是具有单或多量子阱结构的发光层的Ⅲ族氮化物系化合物半导体发光元件制造方法，该结构具有至少包含铟(In)的阱层，其中，在利用气相生长法来形成阱层时，从In源的最低供给量来开始供给，然后使In源的供给量增加到目标供给量为止，此后保持一定供给量，接下来，从目标供给量减少到最低供给量，对In源之外的Ⅲ族原料源而言，在从In源供给开始至供给结束为止的这一期间，以一定的供给量来供给。