-
公开(公告)号:CN114975789A
公开(公告)日:2022-08-30
申请号:CN202210685582.6
申请日:2022-06-16
Applicant: 中国计量大学
IPC: H01L51/42
Abstract: 本发明公开了一种用于RGB三原色识别的有机光敏二极管,其结构为“透明衬底/透明阳极/有机光敏层/阴极”,其中有机光敏层包含给体/受体/给体有机平面异质结结构,其中给体/受体/给体分别是蓝色光敏给体、绿色光敏受体和红色光敏给体。由于此器件采用了给体/受体/给体平面异质结结构,通过在器件两端施加不同方向的偏置电压,使得器件分别在红绿蓝(RGB)光照下有不同的光响应特性,实现对RGB三原色的识别。
-
公开(公告)号:CN110890463A
公开(公告)日:2020-03-17
申请号:CN201811040480.9
申请日:2018-09-07
Applicant: 中国计量大学
Abstract: 本发明公开了一种用于ITO基底的热转印图案化刻蚀方法,包括以下步骤:(1)利用打印机在热转印纸上打印需要刻蚀的图案,并将打印了图案的热转印纸贴在ITO基底上进行热转印;(2)将热转之后的ITO基底用强酸溶液进行快速腐蚀;(3)脱去热转印图案的油墨层,进行清洗和干燥,从而得到图案化刻蚀的ITO基底。本发明可用于非柔性和柔性衬底上ITO的图案化刻蚀,热转印图案化刻蚀方法具有操作工艺简单、成本低等优点,且能够实现精细复杂的刻蚀图案。
-
公开(公告)号:CN109509837A
公开(公告)日:2019-03-22
申请号:CN201811599865.9
申请日:2018-12-26
Applicant: 中国计量大学
Abstract: 本发明公开了一种基于有机光敏场效应管的光生激子扩散测量方法,采用如下技术方案进行实施:(1)制备有机光敏场效应管,采用底栅结构,有机功能层和源、漏电极采用夹心结构,采用高迁移率的有机半导体材料作为沟道传输层,源、漏电极与沟道层呈欧姆接触,有机光敏材料沉积并覆盖在沟道区域和源、漏电极之上,制备不同厚度有机光敏材料的有机光敏场效应管;(2)测量有机光敏场效应管的光电特性,得到光电流与光敏层厚度的关系,通过拟合光电流与光敏层厚度的关系曲线,确定有机光敏材料的光生激子扩散长度。对于有机光敏给体材料,采用高电子迁移率有机半导体材料作为沟道传输材料;对于有机光敏受体材料,采用高空穴迁移率有机半导体材料作为沟道传输材料。
-
公开(公告)号:CN115440888A
公开(公告)日:2022-12-06
申请号:CN202211208887.4
申请日:2022-09-30
Applicant: 中国计量大学
Abstract: 本发明公开一种基于金属与电介质混合薄膜源极的柔性垂直沟道场效应管,其从下到上依次结柔性衬底、栅极、栅介质、金属与电介质混合薄膜源极、半导体活性层和漏极;所述金属与电介质混合薄膜采用真空共蒸发、真空共溅射、溶液旋涂、溶胶凝胶方面制备;所述金属与电介质混合薄膜的导电性能和介电性能通过改变混合薄膜中金属与电介质的重量比来调节。本发明具有制备工艺简单、易于通过改变混合薄膜中金属与电介质重量混合比提高器件性能等优点,比较适合大规模生产。
-
公开(公告)号:CN115078860A
公开(公告)日:2022-09-20
申请号:CN202111267468.3
申请日:2021-10-29
Applicant: 中国计量大学
IPC: G01R31/00
Abstract: 本发明公开了一种基于电荷产生层的饱和光电流的有机半导体薄膜载流子迁移率测量方法。在待测有机半导体样品的透明底电极和有机半导体薄膜之间加入一层厚度远远小于待测有机半导体薄膜厚度的、且具有一定光生电荷产生能力的电荷产生层,以常规激光器或发光二极管作为光源,测量样品的饱和光电流特性曲线,最后利用空间电荷限制电流传导理论的公式拟合饱和光电流特性曲线,确定有机半导体薄膜的载流子迁移率。本方法避免了传统TOF(飞行时间,time of fight)法测量载流子迁移率时的脉冲光源昂贵问题和待测有机半导体薄膜较厚的问题,有效降低了成本,并且提高了测量迁移率准确度。
-
公开(公告)号:CN116209287A
公开(公告)日:2023-06-02
申请号:CN202111460883.0
申请日:2021-11-29
Applicant: 中国计量大学
Abstract: 本发明公开一种利用飞秒激光刻蚀源极的垂直沟道有机光敏场效应管,其结构为:栅极/栅极电介质/飞秒激光刻蚀源极/有机功能层/漏极。该器件采用硅/二氧化硅衬底作为栅极/栅极电介质;源极采用飞秒激光刻蚀法进行图案化刻蚀,形成长方形孔状阵列;有机功能层采用常用的有机半导体光敏材料;漏极为半透明金属薄膜。相对于传统光刻法,利用飞秒激光刻蚀法制备图案化源极,具有制备工艺简单,图案化刻蚀效率高等优点。
-
-
公开(公告)号:CN109405886A
公开(公告)日:2019-03-01
申请号:CN201811480475.X
申请日:2018-12-05
Applicant: 中国计量大学
IPC: G01D21/02
Abstract: 本发明公开了一种用于柔性电子器件或者产品在拉伸状态下光、色、电特性检测的自动测量仪,由计算机、数据采集卡,电流测量模块、程控电压源模块、亮度光谱测量模块、三轴移动平台和拉力产生/控制装置组成。其中计算机作为硬件和程序控制的中心;数据采集卡包含数模(DA)转换卡、模数(AD)转换卡和输入输出(IO)开关量卡;电流测量模块将柔性电子的电流信号转换为电压信号;程控电压源为柔性电子提供所需的电压信号;亮度光谱测量模块用于测量柔性电子的光色参数;三轴移动平台用于控制亮度光谱测量模块的三维移动;拉力产生/控制装置用于给柔性电子施加拉力。
-
公开(公告)号:CN114937745A
公开(公告)日:2022-08-23
申请号:CN202210686053.8
申请日:2022-07-26
Applicant: 中国计量大学
IPC: H01L51/42
Abstract: 本发明公开了一种具有双向光电流增益的有机光敏二极管,其特征在于有机功能层由给体/受体/给体三层平面异质结结构构成,器件结构为:透明衬底/透明阳极/有机光敏给体①/有机受体/有机光敏给体②/阴极,其中有机光敏给体①和有机光敏给体②可采用相同的有机给体材料,有机受体的厚度远小于给体的厚度。该器件在正向偏压和反向偏压下,空穴都能隧穿通过受体,使得器件的光电流显著增大,实现双向光电流增益特性。
-
公开(公告)号:CN112086558A
公开(公告)日:2020-12-15
申请号:CN201910505327.7
申请日:2019-06-12
Applicant: 中国计量大学
IPC: H01L51/42
Abstract: 本发明公开了一种基于倒置发光结构的透明有机近红外上转换器件,其结构为“透明衬底/ITO阴极/有机近红外光敏层/倒置OLED有机功能层/ITO阳极。”其中有机近红外光敏层包含给体/受体有机平面异质结和给体:受体有机体异质结结构;倒置OLED采用“电子传输层/发光层/空穴传输层”的结构,其中发光层包括荧光和磷光发光材料。由于这种有机近红外上转换器件采用倒置有机发光二极管结构,底电极和顶电极均可以采用高功函数的透明导电氧化物ITO分别作为阴极和阳极,解决了传统有机近红外上转换器件顶电极透光性差的问题,使得全透明有机近红外上转换器件的制备成为可能。
-
-
-
-
-
-
-
-
-