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公开(公告)号：CN110890463A
公开(公告)日：2020-03-17
申请号：CN201811040480.9
申请日：2018-09-07
Applicant: 中国计量大学
Abstract: 本发明公开了一种用于ITO基底的热转印图案化刻蚀方法，包括以下步骤：(1)利用打印机在热转印纸上打印需要刻蚀的图案，并将打印了图案的热转印纸贴在ITO基底上进行热转印；(2)将热转之后的ITO基底用强酸溶液进行快速腐蚀；(3)脱去热转印图案的油墨层，进行清洗和干燥，从而得到图案化刻蚀的ITO基底。本发明可用于非柔性和柔性衬底上ITO的图案化刻蚀，热转印图案化刻蚀方法具有操作工艺简单、成本低等优点，且能够实现精细复杂的刻蚀图案。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110890479A
公开(公告)日：2020-03-17
申请号：CN201811040477.7
申请日：2018-09-07
Applicant: 中国计量大学
IPC: H01L51/56
Abstract: 本发明公开了一种用于柔性ITO基底的打印图案化刻蚀方法，包括以下步骤：(1)采用打印机在柔性ITO基底上打印出高质量的待刻蚀图案；(2)将打印好图案的柔性ITO基底用强酸溶液进行快速腐蚀；(3)脱去基底上打印图案的油墨层，进行清洗和干燥，得到图案化刻蚀的柔性ITO基底。本发明用于柔性ITO的打印图案化刻蚀方法具有操作工艺简单、成本低等优点，且能够实现精细复杂的刻蚀图案。
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公开(公告)号：CN105977382A
公开(公告)日：2016-09-28
申请号：CN201610527363.X
申请日：2016-06-28
Applicant: 中国计量大学
CPC classification number: H01L51/0558 , H01L51/102
Abstract: 本发明提供的一种垂直沟道的柔性有机发光场效应晶体管，包括漏电极(1)、漏电极修饰层(2)、发光层(3)、场效应半导体层(4)、空穴传输层(5)、源电极(6)、绝缘层(7)、栅电极(8)、柔性衬底(9)；其中：柔性衬底、栅电极、绝缘层、源电极、空穴传输层、场效应半导体层、发光层、漏电极修饰层和漏电极依次叠加组成；构成栅电极的材料为ITO，构成漏电极的材料为银纳米线，构成漏电极修饰层的材料为LiF，构成发光层的材料为Alq3，构成场效应半导体层的材料为酞箐铜，构成空穴传输层的材料为NPB，构成源电极为网状金属金，构成绝缘层的材料为PVA，构成衬底的材料为PI或者PET。
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公开(公告)号：CN105977381A
公开(公告)日：2016-09-28
申请号：CN201610527334.3
申请日：2016-06-28
Applicant: 中国计量大学
CPC classification number: H01L51/0558 , H01L51/102
Abstract: 本发明提供的一种混合沟道的柔性有机发光场效应晶体管，包括顶部栅电极(1)、顶部栅绝缘层(2)、场效应半导体层(3)、空穴传输层(4)、发光层(5)、漏电极修饰层(6)、源电极(701)、漏电极(702)、柔性衬底(8)；其中顶部栅电极的材料为银纳米线，顶部栅绝缘层的材料为聚甲基丙烯酸甲酯，场效应半导体层的材料为并五苯，空穴传输层的材料为NPB，发光层的材料为Alq3，漏电极修饰层的材料为LiF，源电极的材料为金属金，漏电极的材料为金属铝，柔性衬底的材料为苯二甲酸乙二酯。
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公开(公告)号：CN205985074U
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201620706248.4
申请日：2016-06-28
Applicant: 中国计量大学
Abstract: 本实用新型提供的一种垂直沟道的柔性有机发光场效应晶体管，包括漏电极(1)、漏电极修饰层(2)、发光层(3)、场效应半导体层(4)、空穴传输层(5)、源电极(6)、绝缘层(7)、栅电极(8)、柔性衬底(9)；其中：柔性衬底、栅电极、绝缘层、源电极、空穴传输层、场效应半导体层、发光层、漏电极修饰层和漏电极依次叠加组成；构成栅电极的材料为ITO，构成漏电极的材料为银纳米线，构成漏电极修饰层的材料为LiF，构成发光层的材料为Alq3，构成场效应半导体层的材料为酞箐铜，构成空穴传输层的材料为NPB，构成源电极为网状金属金，构成绝缘层的材料为PVA，构成衬底的材料为PI或者PET。
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公开(公告)号：CN205985073U
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201620706186.7
申请日：2016-06-28
Applicant: 中国计量大学
Abstract: 本实用新型提供的一种混合沟道的柔性有机发光场效应晶体管，包括顶部栅电极(1)、顶部栅绝缘层(2)、场效应半导体层(3)、空穴传输层(701)、漏电极(702)、柔性衬底(8)；其中顶部栅电极的材料为银纳米线，顶部栅绝缘层的材料为聚甲基丙烯酸甲酯，场效应半导体层的材料为并五苯，空穴传输层的材料为NPB，发光层的材料为Alq3，漏电极修饰层的材料为LiF，源电极的材料为金属金，漏电极的材料为金属铝，柔性衬底的材料为苯二甲酸乙二酯。(4)、发光层(5)、漏电极修饰层(6)、源电极
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