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发明公开
一种利用飞秒激光刻蚀源极的垂直沟道有机光敏场效应管审中-实审

公开(公告)号：CN116209287A

公开(公告)日：2023-06-02

申请号：CN202111460883.0

申请日：2021-11-29

Applicant: 中国计量大学

Inventor： 李锐 , 严卿华 , 彭应全 , 吕文理 , 徐苏楠 , 朱伟豪 , 梁绍昌 , 张月 , 贾志强

IPC: H10K30/65 , H10K71/00

Abstract: 本发明公开一种利用飞秒激光刻蚀源极的垂直沟道有机光敏场效应管，其结构为：栅极/栅极电介质/飞秒激光刻蚀源极/有机功能层/漏极。该器件采用硅/二氧化硅衬底作为栅极/栅极电介质；源极采用飞秒激光刻蚀法进行图案化刻蚀，形成长方形孔状阵列；有机功能层采用常用的有机半导体光敏材料；漏极为半透明金属薄膜。相对于传统光刻法，利用飞秒激光刻蚀法制备图案化源极，具有制备工艺简单，图案化刻蚀效率高等优点。

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