公开(公告)号：CN116209287A

公开(公告)日：2023-06-02

申请号：CN202111460883.0

申请日：2021-11-29

Applicant: 中国计量大学

Inventor： 李锐 ,  严卿华 ,  彭应全 ,  吕文理 ,  徐苏楠 ,  朱伟豪 ,  梁绍昌 ,  张月 ,  贾志强

IPC: H10K30/65 ,  H10K71/00

Abstract: 本发明公开一种利用飞秒激光刻蚀源极的垂直沟道有机光敏场效应管，其结构为：栅极/栅极电介质/飞秒激光刻蚀源极/有机功能层/漏极。该器件采用硅/二氧化硅衬底作为栅极/栅极电介质；源极采用飞秒激光刻蚀法进行图案化刻蚀，形成长方形孔状阵列；有机功能层采用常用的有机半导体光敏材料；漏极为半透明金属薄膜。相对于传统光刻法，利用飞秒激光刻蚀法制备图案化源极，具有制备工艺简单，图案化刻蚀效率高等优点。

公开(公告)号：CN115078860A

公开(公告)日：2022-09-20

申请号：CN202111267468.3

申请日：2021-10-29

Applicant: 中国计量大学

Inventor： 梁绍昌 ,  郑一佳 ,  陶科明 ,  彭应全 ,  吕文理 ,  徐苏楠 ,  朱伟豪 ,  李锐 ,  贾志强

IPC: G01R31/00

Abstract: 本发明公开了一种基于电荷产生层的饱和光电流的有机半导体薄膜载流子迁移率测量方法。在待测有机半导体样品的透明底电极和有机半导体薄膜之间加入一层厚度远远小于待测有机半导体薄膜厚度的、且具有一定光生电荷产生能力的电荷产生层，以常规激光器或发光二极管作为光源，测量样品的饱和光电流特性曲线，最后利用空间电荷限制电流传导理论的公式拟合饱和光电流特性曲线，确定有机半导体薄膜的载流子迁移率。本方法避免了传统TOF(飞行时间，time of fight)法测量载流子迁移率时的脉冲光源昂贵问题和待测有机半导体薄膜较厚的问题，有效降低了成本，并且提高了测量迁移率准确度。

公开(公告)号：CN220209416U

公开(公告)日：2023-12-19

申请号：CN202321696598.3

申请日：2023-06-30

Applicant: 中国计量大学

Inventor： 韩汶栩 ,  李晟 ,  董前民 ,  周盛华 ,  朱伟豪

IPC: H01R13/52 ,  H01R13/508 ,  H01R13/502

Abstract: 本实用新型公开了一种具有防水功能的充电插头结构，涉及充电插头技术领域，包括防护盖、卡接机构、连接侧板、弹簧、固定块、滑杆、铰接杆、卡接杆和按压块，所述充电插头本体包括有插头壳体，所述插头壳体的前端设置有三个插针孔，充电插头本体的前端设置有相匹配的防护盖，所述防护盖的前侧设置有按压块，所述按压块的两侧对称设置有两个卡接机构，可以实现方便地将防护盖安装在插头壳体的前端，来对插针孔进行遮盖，从而防止雨衣中携带的雨水进入至插针孔内而导致充电插头本体出现损坏的情况，同时也可以方便将防护盖从插头壳体的前端取下，通过在密封圈的设置，使得防护盖与插头壳体前端之间具有较好的密封性能。